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H.263是关于低于64kbit/s的极低速率频编码的国际标准,主要用于模拟电话网上的视频传输。文章介绍了H.263建议的主要内容,并对H.263的实时实现技术进行分析,提出了H.263计算机模拟算法的改进措施。 相似文献
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针对深空通信极低信噪比环境下,通信距离大,信号衰减大等特点,阐述了深空通信对低码率码字的需求。介绍低码率码字的发展情况后,引入GLDPC码,分析了LDPC码和Hadamard码进行级联时存在的度为1的节点问题。将LDPC-Hadamard级联码进行优化,对优化后的LDPC-Hadamard码进行仿真。结果表明,极低信噪比下,低码率LDPC-Hadamard码性能较好,一定程度上能够满足深空通信等恶劣信噪环境下的需求。 相似文献
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针对现代数字通信系统中广泛采用的MPSK调制信号,分析了其相位跳变特征以及码速率估计的本质,将相关运算应用在隐含周期性检测中,提出了一种基于自相关的码速率估计算法,通过Matlab仿真验证了算法性能,并与基于包络谱单谱线检测的码速率估计方法进行了性能对比。该算法突破了传统基于谱的检测算法对数据长度和信噪比的限制,实现了在低信噪比、少符号数条件下MPSK信号的码速率估计。 相似文献
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功率信号的振幅和相位对功率合成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
两个输入功率信号的振幅不等或存在相位差时,都会对合成功率产生较大的影响。这两种情况都会使输入到功率合成器的功率产生不平衡,导致负载电阻RL上合成的功率减小。并在平衡隔离电阻RD上吸收一部分功率。其吸收的功率越大。温度就越高;当温度过高时,平衡隔离电阻RD将会损坏,使反射过大,从而使功率放大器损坏。 相似文献
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在图形化蓝宝石衬底上制备了串联结构的氮化镓(GaN)高压发光二极管(LED),分别在极小电流与极低温度下研究了其光电特性。结果表明,在极小电流区(I<1×10-8 A),主要输运机制为缺陷辅助隧穿。由于能带热收缩效应和辐射复合中心的热激活效应,随着温度升高,电致发光(EL)峰发生红移,半高宽(FWHM)增加;光输出强度与注入电流呈幂指数关系,表明极小电流下非辐射复合占主导,且载流子通过缺陷辅助隧穿至量子阱。在极低温度下(T~40 K)仍能观测到电致发光现象,表明载流子并未被完全冻析,在强场下可由施主态或受主态通过缺陷辅助隧穿至量子阱;随着注入电流增加,注入电荷的库伦电场对极化电场的屏蔽作用增强,导致发光峰发生明显的蓝移,能带填充效应则导致半高宽增加。 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献