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所谓刻瓷艺术就是以刀代笔在瓷器釉面上雕刻山水、花鸟、动物、仕女人物、肖像和书法等各类题材,并根据不同釉色和工艺赋色或不赋色显形。真正的刻瓷(在瓷釉上雕刻)是从清初开始的。 相似文献
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智能化建设及改造是赋能水泥行业从传统制造走向智能制造的重要手段,在设计智能化子系统时,必须与行业深度融合,真正服务于行业痛点,才能最大程度发挥系统价值。文章介绍了水泥生产智能化平台下能源管理、先进控制、质量管理子系统的设计使用要点,描述了各子系统如何具体赋能水泥生产,为相关企业提供参考。 相似文献
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金刚石有序排列锯片切割性能的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
在金刚石锯片刀头表面上,金刚石颗粒的切割效率取决于金刚石颗粒之间的间距分布和单个金刚石的磨损状况。在这项研究中,试图分析金刚石颗粒之间的间距分布,在锯片的加工中,金刚石颗粒是人工有序排布的,将这种金刚石有序排列的锯片的切割特性与普通锯片的切割特性做了对比。金刚石颗粒的平均间距定为4mm,使用浓度为1.1ct/cm^3的美国40/50目的金刚石。在完成切割之后,在金刚石有序排列的锯片上,80%的金刚石颗粒可观测到其间距仍保持在2~6mm的范围内, 相似文献
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本文以六面顶压机合成工艺为研究对象,通过碳源及外部条件对人造金刚石单晶生长的影响,提出了优质金刚石单晶的合成工艺并论及其可行性。文章特别指出,合成优质金刚石应该有效的控制成核及生长速度,把生长控制点限制在“V”形区中小范围内研究,对生产实践有一定的指导作用。 相似文献
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用含硼T610石墨炭源材料合成透明含硼金刚石 总被引:3,自引:0,他引:3
控制石墨炭源材料的硼含量是透明含硼金刚石合成的关键问题。文中叙述了透明含硼金刚石合成的效果,讨论了石墨炭源材料中的硼含量和合成工艺对透明含硼金刚石合成的影响,指出了提高透明含硼金刚石合成质量的方法和途径。 相似文献
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Ni-Cr合金钎焊金刚石磨粒的试验研究 总被引:5,自引:1,他引:5
通过两种Ni-Cr合金在石墨表面润湿性实验,观察合金对石墨润湿过程,考察作为钎焊单层金刚石工具用合金钎料对金刚石的浸润性能。针对钎料对金刚石的浸润特点,采用恰当的加热方式和工艺来完成这种单层金刚石工具的钎焊,并利用扫描电镜和能谱仪分析钎焊后钎料与金刚石的过渡层特征,显示了这种紧密的化学冶金结合。观察样品经重负荷磨削后的工作面,发现金刚石正常损耗,无脱落。最后,考察钎焊后金刚石冲击强度下降的程度并分析其原因,说明了采用合理的工艺来减小这种高温钎焊对金刚石所造成的热损伤的必要性。 相似文献
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以实验结果为依据,叙述了含氮合金触媒与合成工艺对金刚石合成过程及其结果所产生的影响;讨论了氮杂质在金刚石晶体中的分布特征及对金刚石晶体性质的影响机理;还简述了合成含氮金刚石与普通金刚石及天然含氮金刚石性质问差异及原因;并指出了提高人造金刚石质量的一些重要途径。 相似文献
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《合成纤维工业》杂志简介《合成纤维工业》是国家科委批准发行的合纤专业性科技杂志,山中国石油化工总公司合成纤维科技情报中心站与岳阳石油化工总厂研究院主办,1978年创刊.双月刊.16开本.共72页,国内外公开发行.国内部发代号42—21,国外代号TA4... 相似文献
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以乙酸-乙酸钠缓冲溶液(pH=5.6)为介质,过氧化氢在微量cu(Ⅱ)的催化作用下,氧化邻氨基酚显色,显色程度与Cu(Ⅱ)含量成正比。方法的最大吸收波长为463nrn,在冰水浴中反应10min,Cu(Ⅱ)含量在睢10ug·mL-1围内呈线性关系,回归方程为A=0.007c+0.0129。此方法用于污水中微量铜的测定,RSD为3.21%(n=6),加标回收率在90.6%。109.9%之间。 相似文献
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抗氧剂在聚氯乙烯加工中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
重点研究了抗氧剂对高钛白颜料含量和含金属颜料的PVC压延膜制品加工过程的作用机理及效果,指出对于高钛白含量的PVC压延膜制品,使用受阻酚类抗氧剂是有效且可取的;对于含有金属颜料的PVC压延膜制品,加入金属钝化剂和受阻酚类抗氧剂能有效阻止其在加工过程中的热降解及氧化降解。 相似文献
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S. H. Connell J. P. F. Sellschop J. E. Butler R. D. Maclear B. P. Doyle I. Z. Machi 《Diamond and Related Materials》1998,7(11-12)
Two direct and two indirect nuclear methods are used for the analysis of hydrogen in diamond of different types. Exploiting the power of two-dimensional position sensitive detectors, the distribution of hydrogen in and on diamond in three dimensions has been measured by elastic recoil detection analysis, supplementing the earlier resonant nuclear techniques. Indirect methods of muonium spin rotation and time differential perturbed angular distribution measurements prove to be very informative. In a series of dynamic experiments, hydrogen has been implanted and the diffusion thereof sought as a function of temperature. Unlike the equivalent case for silicon, no migration of the hydrogen in diamond is found up to 1473 K. This striking result is considered in regard to existing theoretical calculations. It is concluded that the implanted hydrogen is self-trapped. Arguments are presented as to the location of hydrogen in natural diamond, in diamond grown at high pressure and high temperature, and in diamond grown by chemical vapour deposition. 相似文献
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为了获得高品质的硼掺杂金刚石薄膜,采用直流热阴极化学气相沉积法在不同的温度下制备了硼掺杂金刚石薄膜。利用等离子体发射光谱、扫描电子显微镜、X射线衍射和Raman光谱研究了温度对硼掺杂金刚石薄膜生长特性的影响。研究发现:等离子体活性基团 C2的浓度随温度升高而增加。除了1080℃时生长的薄膜存在孔洞外,在较宽的温度范围(800~1000℃)都能够生长高质量的硼掺杂金刚石薄膜,并随温度升高薄膜质量和晶体结晶度都有所提高。与未掺杂生长的金刚石薄膜相比,掺硼薄膜即使在较低的温度(800℃)时也没有出现非金刚石相。这主要是因为掺杂剂B(OCH3)3 在气相反应中能够生成含氧活性基团,对非金刚石相具有很强的刻蚀作用。 相似文献
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V. Baranauskas D.C. Chang B.B. Li A.C. Peterlevitz V.J. Trava-Airoldi E.J. Corat R.K. Singh Dong-Gu Lee 《Journal of Porous Materials》2000,7(1-3):401-405
Diamond coatings on porous silicon (PS) samples have been obtained by the hot-filament chemical vapor deposition(CVD) technique. We focused our attention on the coating morphology, showing experimentally that high quality diamond coatings may be produced with the PS sample kept at 710°C. The deposited patterns consist of polycrystalline grains with a plane interface with the PS layer.At 790°C, the quality of the coating is improved but the PS layer becomes damaged, and at 650°C the coating consists of diamond-like carbon particles. Besides the temperature, other factors such as the porosity, roughness and chemical activity of the PS layer deserve attention. We observed that one of the limiting factors of the deposition process was the high nucleation time. Two nucleation mechanisms are involved in the growth process. The first nucleation mechanism occurs on the top of the sharp PS features, subsequently to the nucleation a superficial film, and then a second nucleation mechanism occurs over this surface, which allows the growth process to continue. We also observed the presence of ablue-shift in the luminescence spectra following the coating. 相似文献