显卡芯片显示异常的失效分析

显卡芯片是构成计算机最重要的部件之一,运用芯片失效分析的方法和依照严谨的失效分析流程准确迅速地发现芯片失效的根本原因对显卡芯片及计算机系统集成制造的品质改善至关重要。由于显卡芯片具有一定的特殊性,因此我们根据半导体器件失效分析的基本流程提出了针对显卡芯片显示异常的失效分析的改进流程。同时通过对一组显卡芯片显示异常实际案...     

E2PROM失效故障分析

在计算机的使用中,发现E2PROM芯片出现数据丢失问题,导致计算机无法正常工作。通过对E2PROM的失效分析,其结果表明,故障的原因是芯片失效所致。经试验验证分析,确定该E2PROM器件存在芯片某流片生产批次工艺参数RRPOLY较差,影响上电复位电路的工作状态,造成部分芯片在上电过程中出现数据丢失问题。另外在E²PROM筛选中添加了非易失性测试,发现并解决了E²PROM早期失效问题。验证试验表明该措施的有效性和可行性。     

深能级瞬态谱（DLTS）技术应用于半导体器件的失效分析

开展半导体器件管芯特性异常的失效分析,需要从原子分子的观点来解释器件电特性异常的原因,笔者把深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术应用于半导体器件的失效分析,测定了不同半导体器件的ＰＮ结构和肖特基势垒结耗尽层的微量重金属杂质和缺陷引起的深能级中心浓度,能级位置。用失效样品和正常样品的以上微观物理量的差异来解释半导体器件电特性异常的原因,得到了满意的结果。笔者用ＤＬＴＳ技术解决的失效分析问题包括：１．随频率的     

低温晶体失效故障分析

在计算机的实验中,晶体在温度试验条件下,性能不稳定,导致计算机无法正常工作。通过对晶体的失效分析,确定了晶体失效的原因。结果表明：由于晶体谐振器内部晶片的形成结构异常造成晶体谐振器与振荡电路不能相互匹配,因而在低温条件下表现出来,这种晶体谐振器内部晶片结构异常是导致计算机无法正常工作的原因。通过对晶体谐振器进行温度频差测试,发现晶体谐振器早期失效问题,可解决这一问题,验证试验表明这一措施有效、可行。     

运用工艺筛选技术提高半导体器件的产品质量

一、前言半导体器件是现代无线电电子装备中的重要元件。随着空间电子技术、电子计算机、雷达、通讯技术的迅速发展,对于电子元件的质量提出了更高的要求。目前,大型军用电子设备中使用着成千上万的半导体器件,只要其中任何一个器件产生失效,机器就不能正常工作。由于电阻、电容等无源元件的可靠性一般要比半导体器件的可靠性高,因此,半导体器件质量的优劣,直接关系到电子装备的使用可靠性。没有高质量的半导体器件就不可能制造     

基于WindML环境下的显卡驱动设计

目前VxWorks操作系统及其图形支持库WindML已经在很多领域得到了广泛的应用。但由于WindML本身支持的硬件少,提供的分辨率低等因素,往往不能满足在实际运用的要求,使得自行开发显卡驱动越来越有必要。但缺少相应的文档,显卡驱动程序的开发是比较困难的。在此以Intel855GME芯片组为例,介绍了基于VxWorks操作系统图形支持库WindML基础上的显卡驱动程序开发,对其整个流程进行描述。一方面通过调用一些WindML标准API函数,另一方面对显示芯片的相关寄存器进行设置。实现了高分辨率图像在WindML环境下的显示,讨论了在开发中需要注意的问题。     

国产裸芯片质量控制方法初探

随着工程产品小型化的发展趋势,裸芯片的使用越来越广。目前国内半导体器件生产厂缺少对裸芯片进行电老炼的手段。组件、混合电路的电老炼应力不能满足剔除装入其中存在的早期失效缺陷裸芯片的要求,因此裸芯片的质量与可靠性已成为制约工程产品可靠性的瓶颈。本文针对国内半导体器件生产厂不能对裸芯片进行电老炼的现状,从芯片设计到筛选、评价等过程对面向工程应用的国产裸芯片的质量控制方法进行初步探索研究。     

半导体器件参数退化失效分析

1 前言电参数漂移、超差或退化是半导体器件常见的失效模式。这类失效会导致产品合格率不高;使得成品器件档次下降;更严重的是还会影响整机的寿命和可靠性.引起这类失效的原因很多,如材料缺陷,生产工艺欠佳,使用条件、环境所致等等.但要对参漂或退化的器件进行分析时,由于这类失效的原因复杂,失效部位难寻,不像分析致命失效那样较直观,往往不易找到其失效原因。因此,如何准确确定这类失效器件的失效原因,是半导体器件生产厂家和用户长期以来乃至今依然十分关注的问题.本文通过两种型号晶体管的失效分析实例,介绍了对半导体器件参数退化失效原因的诊断分析方法。     

关于芯片失效分析方法的讨论

主要通过实践经验总结了一种关于芯片失效分析流程和方法,用于应对集成电路研发、生产和使用过程中不可避免的失效问题的分析,满足用户对高品质、高可靠性产品的要求。通过对芯片失效的充分剖析,从简到繁、从表面破损到内部具体电路损坏,通用性强,分析逐步深入,在一定程度上可以节约分析成本,快捷有效地找到失效具体位置、失效原因以及预防措施。     

半导体器件应用中的可靠性及失效分析

本统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因，阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用。     

可靠性问题讲座 第五讲 集成电路的失效分析

半导体器件是近几十年发展起来的一种新型电子器件,它体积小、重量轻、功耗低、可靠性高,在电子学领域中已占有相当重要的地位,尤其是在导弹、计算机和航天技术中更显得重要。而集成电路是近十几年在平面型晶体管基础上发展起来的。目前由于在半导体器件和集成电路的研制和生产过程中,手工操作仍很多,以及使用数量的迅速增加,故提高可靠性已成为重要的问题。为了保证设备和系统功能正常,必须评价和验证半导体器件和集成电路的可靠性,以供系统设计者的参考,还要通过适当的手段测定其功能极限和对失效进行分析,找出性能退化的原因,改进工艺和向使用者提出合理     

显卡常见故障的分析与维修

故障现象 开机无显示 。　 　分析检修 此类故障一般是因为显卡与主板接触不良或主板插槽有问题造成。对于一些集成显卡的主板，只有将主板上的显卡禁止方可使用。由于显卡原因造成的开机无显示故障，开机后一般会发出一长两短的蜂鸣声对于ＡＷＡＲＤ ＢＩＯＳ 显卡而言。 故障现象 显示颜色不正常。　　分析检修 此类故障一般有以下原因：①显示卡与显示器信号线接触不良；②显示器自身故障；③在某些软件运行时颜色不正常，一般常见于老式机，在ＢＩＯＳ里有一项校验颜色的选项，将其开启即可；④显卡损坏；⑤显示器被磁化，此类现象…     

基于MB86296显卡芯片的显示平台设计

介绍了基于Linux操作系统使用MB86296显卡芯片构建高性能雷达显示平台的基本方法。首先介绍了MB86296显卡芯片的特性,给出了硬件平台的搭建过程和Linux系统帧缓冲的处理机制及底层显卡驱动程序的编写,解决了Powerpc固有的大端模式特性引起的PCI设备通信不正常的问题。最后通过实际测试,验证了工作的正确性,并将此高性能显示平台成功应用于某型号雷达显示设备中。     

电压检测芯片失效分析

近年来,随着智能电表的广泛使用,其质量和可靠性问题受到了人们越来越多的关注.但是,由于各种原因,产品投入市场后仍会出现各种失效现象.因此,对某智能电表的电压检测芯片的失效现象进行了分析,通过外观检查、 电参数测试和X-射线测试等手段找到了该芯片的失效原因,并针对发现的问题提出了相应的改进意见.     

隔离型达林顿管静态漏电失效分析

分析了半导体器件静态漏电对高可靠设备造成的危害。对比了失效器件在不同偏压条件下的测试结果,结合器件芯片版图的设计特点以及制造工艺特点,对隔离型达林顿管静态漏电的失效现象进行了分析,通过故障树分析,排除了外部沾污、静电损伤、过电应力损伤等使用问题导致器件失效的可能性,提出了器件出现异常静态漏电流是因为采用扩散方法制作的pn结深度不足导致的假设,并利用磨角染色法证明了失效芯片隔离岛隔离墙pn结深度不足的假设,并提出了改进意见。     

ATI Radeon 8500解析更真实、更逼真的3D图像带来全新视觉感受

自从3dfx被收购以后,Nvidia在显卡市场中就好像占据了霸主之位。在显示及制造技术上唯一能与其抗衡的也就只有ATI了。其在去年的第一代Radeon由于频率以及驱动上的一些原因并不能算是一个成功的产品。而且Nvidia在此之后推出的Geforce3芯片,在近大半年的时间里一直是唯一一款完全支持DirectX 8的显卡。自从ATI“美丽新世界”发布会以后,所推出的Radeon 8500改变了这一切。     

半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用

针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。     

启亨：银色PCB版GeForce FX 5800显卡超炫包装曝光

近日启亨也推出了基于GeForceFX5800(non-Ultra)显示芯片的GeforceFXTriplex5800显卡。从照片中我们可以看到其显卡似乎使用PS贴在包装盒上的,原因是可能目前还没有样卡。与公板的GeForceFX显卡相比,启亨的这款GeForceFX5800显卡采用了银色的PCB,而且散热器上的标志换成了启亨的Logo。如果照片的确属实的话,可以看到“非Ultra版”的GeForceFX显卡仍搭配FXFlow散热装置。启亨:银色PCB版GeForce FX 5800显卡超炫包装曝光…     

非接触智能卡芯片ESD失效分析

非接触智能卡芯片在生产加工过程中不可避免地会产生由于静电放电(ESD)原因导致的失效.收集失效样品并进行分析,并最终确定失效模式,以及对失效点进行定位,这些都对芯片片上ESD保护电路的改进,以及生产加工环境静电防护措施的改进提供科学依据,并最终有益于提高芯片产品质量,以及提升整个生产过程中的成品率.本文对非接触智能卡的ESD失效模式、失效分析手段和失效分析流程进行了分析,并给出了一个具体的分析实例和结果.     

50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。