LGS上的SAW滤波器特性实验研究

介绍了通过硅酸镓镧(LGS)上的滤波器试验,证明LGS基片具有与水晶相似的优良温度稳定性,而机电耦合系数是水晶的2～3倍,衍射影响几乎可以忽略,非常适合设计制作窄带低损耗高带外抑制滤波器。最后给出了欧拉角为(0°,140°,25.5°)的LGS切型制作的声表面波(SAW)滤波器频响曲线和温度特性曲线,发现在20°C附近频率温度系数存在拐点,即频率温度系数为0。     

一种横向耦合改进型结构极窄带声表面波滤波器研究

该文采用波导法分析了横向耦合极窄带声表面波滤波器速度变化模式,并用多物理场COMSOL软件对横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构和耦合距离的变化建模进行计算,并分析频响特性。采用石英晶体作为底衬,设计了频率为898.144 MHz,插入损耗约为6 dB的极窄带声表面波滤波器并进行验证。结果表明,中心耦合条开腔结构的声表面波滤波器的相对带宽达到7.2‰,与不开腔结构5.2‰相对带宽相比,提升了2‰。这说明横向耦合声表面波滤波器的中心耦合条结构变化,能改变极窄带声表面波滤波器的相对带宽。     

声表面波器件在移动通信中的应用

本文简单介绍了声表面波滤波器的原理、声表面波滤波器在移动通信系统中的应用和应用中应注意的问题，展望了声表面波器件的发展趋势。     

西安电子工程研究所

声表面波部从事声表面波技术的研究工作已有四十多年，开发了几百个品种的声表面波滤波器，脉冲压缩延迟线等。主要产品有CCTV的频道滤波器，中频滤波器，传感器用延迟线，谐振器，相位编码匹配滤波器，抽头延迟线，GSM、CDMA基站中频滤波器，     

声表面波滤波器进化设计

提出了一种全新的设计方法,它以声表面波滤波器中心频率处的插入损耗和旁瓣抑制作为寻优目标,通过选择、交叉和变异等遗传操作,自动生成声表面波滤波器的输入和输出叉指换能器所有指条长度,并给出中心频率处的声表面波滤波器频率响应。与典型的等周期、等指长的声表面波滤波器相比,采用进化方法设计,极大地提高了滤波器频率响应性能,旁瓣抑制得到了改善。所作的研究具有较强的实用价值。     

声表面波滤波器生产中的几个问题及其解决方法

<正> 自从美国泽尼斯公司于十几年前首先把声表面波滤波器用于彩色电视机以来,声表面波滤波器已获得惊人的发展。据估计,目前全世界采用声表面波滤波器的电视机的年销售量为几千万只。近年来,我国电视机生产发展很快,声表面波滤波器技术也随之迅速发展起来,现在已有十几个生产厂家,年     

声表面波低损耗滤波器的进展

本文从分析获得声表面波低损耗的途径出发,概述声表面波低损耗滤波器的最新进展,介绍几种单层工艺制作的实用型声表面波低损耗滤波器结构。并报道我们研究的650MHz高频低损耗滤波器以及10%宽带低损耗滤波器的结果。     

通讯用高基频带通声表面波滤波器的设计

简述了声表面波滤波器当前的发展,讨论了单端谐振型声表面波带通滤波器设计原理和设计要点,得到了一种较好的设计方案,并给出了主要参数的推导过程。通过对滤波器滤波特性影响因素的分析,改进了谐振电路结构和参数,并成功设计了中心频率为902.5 MHz,带宽为25 MHz的声表面波滤波器。     

西安电子工程研究所微电子中心

声表面波部 从事声表面波技术的研究工作已有四十多年，开发了几百个品种的声表面波滤波器，脉冲压缩延迟线等。主要产品有CCTV的频道滤波器，中频滤波器，传感器用延迟线，谐振器，相位编码匹配滤波器，抽头延迟线，GSM、CDMA基站中频滤波器，通讯用70MHz、140MHz滤波器等，可供用户随意选用。     

聚酰亚胺覆盖层对LGS声表面波谐振器的影响

该文在硅酸镓镧(LGS)声表面波(SAW)谐振器上沉积了不同厚度的聚酰亚胺薄膜,研究了聚酰亚胺覆盖层对LGS声表面波谐振器的影响。结果表明,SAW谐振器表面沉积了聚酰亚胺薄膜后,器件的谐振频率向低频移动,且随着聚酰亚胺层厚度的增加,谐振器的谐振频率下降越大。SAW谐振器的一阶频率温度系数绝对值随着聚酰亚胺层厚度的增加而增大,且温度转变点向低温偏移。研究结果表明,覆盖聚酰亚胺层薄膜可以提高SAW谐振器的温度灵敏度,从而可应用于温度传感器中。     

光通信系统用SAWF系列研制

介绍了光通信系统用ＳＡＷＦ系列的研制情况，由于采用石英ＳＴ切晶体衬底，较先进的３指群和４指群指加权换能器和计算机辅助设计方法，器件的各主要技术指标均有明显提高，并达到国际同期商用器件水平。三次群，四次群，五次群系统用ＳＡＷＦＱ值分别达到２５０、６００和８００；插入损耗则达到１０ｄＢ左右。     

一种改进型声表面波滤波器在接收机中的应用

针对应用于接收机中中心频率为898.144MHz的声表面波滤波器的缺点,提出了一种改进型的滤波器.改进型的声表面波滤波器采用镜像阻抗连接低插损结构,大大改善了幅频特性,提高了选择性和温度稳定性.将其应用到接收机中,经试验验证效果良好.     

甚高频窄带SAWF中心频率精确控制研究

中心频率偏差较大是研制278MHz甚高频窄带SAWF碰到的主要困难。由于采用了CAD等措施,这一困难得到了有效的克服。实验结果,主要技术性能指标达到插入损耗约8 dB,中心频率偏差小于60kHz,Q值则超过590.     

基于遗传算法的声表面波滤波器进化设计

传统方法设计声表面波滤波器的主要缺点是设计过程复杂.本文提出了一种新的设计方法,它将声表面波滤波器的所有指条结构特征的集合作为染色体,并分成两个基因段分别编码,采用自适应调整策略调整进化过程中两基因段的交叉概率和变异概率,通过遗传操作自动设计出综合性能指标最优的声表面波滤波器.相对于同指对数未加权声表面波滤波器,中心频率插入损耗损失不多(-2dB),而旁瓣抑制约改善了26dB.     

基于LTCC技术的表贴式封装SAWF

提出一种基于低温共烧结陶瓷(LTCC)技术的封装形式,将声表面波滤波器(SAWF)做成表面贴装器件(SMD).该封装结构可实现SAWF基片表面上方2个换能器间的隔离,提高SAWF的阻带抑制,其器件适合于高密度组装,进而可演变成SAWF集成在电路模块的LTCC多层电路板上,即直接将SAWF的裸基片掩埋在LTCC多层电路板内,实现器件—电路—体化.     

提高声表面波滤波器带外抑制的一种方法

提出了一种提高非对称频响声表面波滤波器带外抑制的方法，即采用特殊设计的多条耦合器加吸声介质；接收叉指换能器选取适当加权，得到更低的旁瓣电平。这些措施使声表面波滤波器的带外抑制提高到－４５ｄＢ以上，陷波点－５５ｄＢ以上，矩形系数也大为改善     

叉指换能器模型对声表面波滤波器的影响及其设计考虑

本文论述了叉指换能器(IDT)模型对声表面波滤波器(SAWF)综合设计的影响;指出了现有综合设计方法共同存在的问题;并提出了一种新的设计思想和方法。该方法能将IDT的物理模型直接纳入SAWF综合设计之中,并能消除现有方法不可避免存在的器件实际响应与设计目标响应之间的偏离,提高SAWF的设计精度。     

La3Ga5SiO4中声表面波传播的温度特性研究

硅酸镓镧(LGS)是一种新型压电材料．通过对LGS的温度稳定性和在几个优化切向上声表面波传播特性与温度的关系计算分析表明，LGS较之传统的压电材料具有较好的温度稳定性；声表面波波速在优化切向上随着温度的升高而减小，机电耦合系数及频率延迟系数TCF值呈抛物线增长．束偏向角线性增长。     

YZ、XZ、XY面内硅酸镓镧晶体的体声波特性

根据硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)的密度、弹性刚度系数、压电应力常数和介电常数,利用固体中声波的克里斯托夫方程,详细计算分析了其在YZ、XZ和XY面传播的体声波特性,绘制了相应的慢度曲线和速度-角度曲线。计算发现考虑压电性前后体声波速度相差不大,说明压电性对LGS晶体体声波速度的影响比较小,这可能是由于LGS本身压电性较小。将计算结果和石英进行对比,发现二者体声波特性相差较大,且多数方向上LGS的BAW速度要小于石英,这对于延迟线等应用比较有利。