半导体与微电子技术

静电式微开关硅悬臂梁的变形分析(见0208983)LIGA 技术及其在制造可动微结构件中的应用(见0208977)     

半导体与微电子技术

0605770 具有GaAsN/GaAs超晶格的量子级联异质结构In0． 4Ga0．6As/GaAs量子点内次级电致发光=Intersublev- el electroluminescence from In0．4Ga0．6As/GaAs quan-     

半导体与微电子技术

0311934摩尔定律与半导体设备[刊]/翁寿松//电子工业专用设备.—2002,31(4).—196～199(D)介绍了摩尔定律及其寿命和争议。同时介绍了ITRS2001及其对缩小芯片特征尺寸的争议。讨论了影响摩尔定律寿命的半导体工艺及设备,如光刻工艺及设备、互连工艺及设备和纳米半导体工艺及设备。并对发展我国半导体设备提出了建议。0311935飞速发展的微电子技术[刊]/杨筱莉//微处理机.—2002,(4).—3～4,13(D)     

半导体与微电子技术

Y2002-63586 03277372001年IEEE纳米技术会议录=2001 1st IEEE confer—ence on nanotechnology(会,英]/IEEE Robotics and Au-tomatlon Society.—571P.本会议录收集了于2001年10月28-30日在夏威夷Maui召开的纳米技术会议上发表的104篇论文,内容涉及纳米磁学,纳米光刻,纳米加工,纳米电路,纳米     

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0810 半导体物理 0500295氮对 InyGal-yAsl-xNx-GaAs 量子阱能带结构和材料增益的影响=Effect of Nitrogen on the Band Structureand Material Gain of InyGal-yAsl-xNx-GaAs QuantumWells〔刊,英〕/J.M.Ulloa,J.L.Sanchez-Rojas//IEEEJournal of Selected Topics in Quantum Electronics.—2003,9(3).—716-722(E)     

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0626105在碳纳米管上CVD法原位生长CdSe纳米晶体〔刊,中〕/汪玲//信阳师范学院学报(自然科学版).—2006,19(3).—314-317(L)用化学气相沉积(CVD)法在多壁碳纳米管(MWCNTs)上均匀地生长了CdSe纳米晶体,并用TEM、SEM、EDS、UV-Vis和XRD对CdSe纳米晶体的形貌和结构进行了表征。结果发现,CdSe纳米晶体的粒径约为18nm,晶相为六方晶型,光谱分析表明CdSe纳米晶体的起始吸收大约在650nm左右。参150810半导体物理0626106纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模〔刊,中〕/危书义//液晶与显示.—2006,21(4).—336-342(C)0626107在…     

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本次会议由电化学协会主办,于1997年5月6日至8日在加拿大的蒙特利尔召开,本会议录收录会上发表的论文44篇,内容主要涉及适用于新的半导体器件材料特征分析的、器件制造加工有效性监视的和加工完成的半导体产品质量评价的诊断技术,亚微米器件研究用的波束和扫描探针技术以及光学测量和电测量等方面。     

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0625942三级结构场致发射显示器件的制作〔刊,中〕/李玉魁//液晶与显示.—2006,21(3).—232-235(C)利用钙钠玻璃作为阴极和阳极面板,并采用低熔点玻璃粉进行高温烧结,制作了三极管型的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件样品。高效的烧结排气工艺提高了器件的制作成功率,避免了碳纳米管阴极和阳极荧光粉的损伤。改进的消气剂装配确保了器件的良好密封性能。整体显示器件具有高的显示亮度和低的制作成本。参70625943一种有效提高CNTs/CNFs阴极场发射性能的热处理方法〔刊,中〕/郭平生//光电子·激光.—2006,17(6).—681-684(E)半导体与微…     

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Y2002-63306-232 0305073用于逻辑电路的 InP 单片集成谐振隧道二极管/异质结双极晶体管单稳-双稳变换逻辑单元=InP-basedmonolithically integrated RTD/HBT MOBILE for logiccircuits[会,英]/Otten,W.& Glosekotter,P.//2001IEEE International Conference on Indium Phosphide andRdated Materials.—232～235(E)     

半导体与微电子技术

Y2002-63439-79 0316834教学用微系统工艺:结构与电子特征=Micro-systemprocess for education: Morphological and electrical char-acterization〔会,英〕/Palun, L. & Montes, L. //2001IEEE International Conference on Microelectronic SystemsEducation. -79～80(E)     

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Y98-61304-5 9905748从固体电子学到量子、分子电子学:信息加工的深化=From solid state to quantum and molecular electronics,thedeepening information processing[会,英]/Draganescu,M.//1997 Proceedings of the International Semiconduc-tor Conference,Vol.1.—5～21(UV)这是一篇在全体大会上宣读的特邀论文。主要叙述了信息加工的观念,最近数年内硅技术的进展,工艺与经济学问题,各种常用的、稀有的和创新的器件,功能性和结构性电子学,纳米技术,量子信息技术,分子电子学与计算技术等问题。参77     

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Y98-61412-201 9904476半导体器件和电路的大规模并行反向模拟法=Mas-sirely parallel reverse modeling approach for semiconduc-tot devices and circuits[会,英]/Wu,S.& Vai,M.//1997 IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts inHigh speed Semiconductor Devices and GrcuitS.—201～209(V)     

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1999年 IEEE 国际微电子测试结构会议录(见0004512)氧浓度和衬底温度对透明导电 Cd_2SnO_4薄膜光学性质的影响(见0003782)HBT 中基区内建电场的物理机制及其理论分析(见0003773)InGaP/GaAs 异质结价带不连续性的直接测量(见0003577)     

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SPIE-Vol.3582 00200411998年 SPIE 会议录,卷3582:1998年国际微电子学专题讨论会=1998 proceedings of SPIE,Vol.3582:1998 international symposium on microelectronics[会,英]/SPIE-the International Society for Optical Engineer-ing.-1998.-1046P.(PC)本会议录收集了于1998年11月1～4日在美国加州圣地亚哥召开的国际微电子学专题讨论会上发表的177篇论文。涵盖了无线、印制布线、可靠性、材料、制造、集成无源元件、功率、热管理、高密度互连、备用     

半导体与微电子技术

N2000-06588 00126481999年版日本半导体年鉴=1999年版日本半导体年鉴[著,日]/月刊 Semiconductor World 编集部.一株式会社,1999.03.—521P.(L)本年鉴分7编13个章节论述了1998～1999年日本及部分世界发达国家和地区的半导体生产动态与展望。内容主要涉及:98～99年半导体应用领域的动态与展望;半导体工业的发展动态与展望(包括日、美、欧、以及亚洲等国和地区的半导体工业动态与展望);面向2001年的日本的研究开发团体的动态;98～99年日本及海外主要半导体厂商的动态与战略,以及各类产品的市场分析和有关统计资料、厂商名录等。     

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9907331微电子技术的发展趋势与展望[刊]/陆剑侠//微处理机.—1999,(1).—1～7(D)     

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0810半导体物理 0516228AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型〔刊,中〕/杨燕//电子学报一2005,33(2)一205一208(E) 0516222低温氢化前和低温氢化后氧化N型高阻FZ硅的深能级=Deep Leve坛in Oxygenatedn一T即e High一ResistivityFZ Silieon before and aftera助w一TemPerature Hydro-genation Step〔刊,英〕/E.Simoen,C.Claeys//Journal ofThe Eleetrochemieal段(iery一2003,150(9)一G520-G526(E)基于碳纳米管/硅纳米导线场效应晶体管的采用h一hot寻址方案纳米阵列结构的产量建模(见0517525)多同步干扰稳固算子(见。517459)测…     

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N2003-07837 03142222001年版日本半导体年鉴=2001年度版日本半导体年鉴[著,日]/Semiconductor FPD World 编辑部,一株式会社,2001.03.—528P.(L)本年鉴分7编18个章节论述了2000年～2001年日本及部分世界发达国家和地区的半导体生产动态与展望。内容主要涉及:上一年度世界半导体应用领     

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0114818基因芯片中点阵的微电子加工技术(刊]/余志文//微电子学.—2001,31(2).—100～102(D)0114819现代科学的奇迹——半导体技术[刊]/周如培//微电子学.—2001,31(2).—77～82(D)文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历