连接技术和互连技术之预测

行家对新品开发作了报道，对１９９７年即将进行的产品开发作了预测。     

MCM中的倒装芯片互连技术

本文介绍一种实用的倒装芯片的凸点形成技术，倒装焊接芯片与基板的对准方法及倒装焊的考核结果。     

MCM芯片安装互连及相关技术

下填充料应具有以下性能：(1)良好的流动性，以适于窄间隙、细间距的应用；(2)适宜的固化收缩应力；(3)与芯片、基板间优良的CTE匹配性，热循环应力低，满足大尺寸芯片、薄基板的需要；(4)粘接强度高；(5)良好的抗潮湿能力；(6)遮光，适于光敏器件的应用；(7)阻燃；(8)导热率高，满足大功率、高密度、高频需要；     

可控坍塌芯片互连技术及其最新发展

一、引言 可控坍塌芯片互连技术(Controlled collapse chip connection-C4)由IBM公司在本世纪六十年代开发并成功应用于大型计算机中。C4倒装技术是在芯片上制作Pb-Sn合金焊料凸点,然后将芯片凸点对准金属化陶瓷或多层陶瓷基板上的金属化焊区,在保护气体以及在适当的温度下进行再流焊,实现芯片与基板的互连,如图1所示。本世纪八十年代,Motorola公司认识     

光电多芯片组件的自由空间光互连技术研究

自由空间光互连 (FSOI)技术使用激光在自由空间中传播 ,其表现出的特性如速度和功耗等方面较之电在连线中的传输具有的明显优点 ,从而在具有巨大发展潜力的光电多芯片组件(OE- MCM)中得到了广泛的重视。本文在建立了 OE- MCM的物理模型、逻辑模型及开销模型的基础上 ,着重对 OE- MCM中的互连分割、互连距离 (MID)最小化和 FSOI互连设计几个方面进行了研究。     

电迁移引起的倒装芯片互连失效

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。     

基于垂直互连技术的上下变频多芯片模块

采用垂直互连技术研制了一种X波段上下变频多芯片模块,实现了微波单片集成电路和介质基板在三维微波互连结构中的平稳转换、保证了微波信号的有效传输.简要分析了垂直互连对微波传输的影响和解决方法,应用微波仿真软件建立了互联结构的三维电磁场模型,对垂直互连结构进行了仿真优化.实测结果和仿真结果吻合良好.最后在较小尺寸盒体内实现了上变频链路、下变频链路、电源管理、TTL检测四个功能.模块测试结果表明,下变频链路的变频增益大于51 dB,噪声系数小于6 dB,杂散抑制小于65 dBc;上变频链路的变频增益大于9 dB,1 dB压缩点输出功率大于11 dBm,杂散抑制小于55 dBc;模块尺寸为80 mm×42 mm×15 mm,达到了小型化设计要求.     

倒装芯片互连凸点电迁移的研究进展

电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一步减小和凸点中电流密度的进一步提高,由此出现电迁移失效引起的可靠性问题.本文回顾了倒装芯片互连凸点电迁移失效的研究进展,论述了电流聚集和焊料合金成分对凸点电迁移失效的影响,指出了倒装芯片互连凸点电迁移研究亟待解决的问题.     

芯片内/间无线互连技术发展综述

为了解决超大规模集成电路布线复杂的问题,无线互连技术(WIT)应运而生。介绍了实现芯片内/间无线互连的两类技术,一类是基于片上天线的无线互连技术,另一类是基于AC耦合的无线互连技术。从实现成本、功耗,传输性能方面对这两类技术进行了分析与比较,讨论了它们的具体应用及适用范围,同时也总结了两者目前存在的问题,并指出了其未来的研究方向,对今后芯片内/间无线互连技术的应用研究具有一定的参考意义。     

局域网络互连技术探讨

介绍了局域网络互连的几种方法，并系统地阐明了这些方法的互连层次，特点及作用。     

Cu引线超声键合FAB工艺及影响研究

通过对50μm直径铜引线超声键合过程中烧球工艺参数的优化,分析了各参数对烧球质量的影响及原因,并通过键合试验重点讨论了铜球表面质量、形球尺寸等对键合质量的影响.     

陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝超声楔焊键合的工序检查

本文简要描述了陶瓷外壳封装集成电路自动铝丝楔焊键合的工序检查。检查内容包括键合引线的显微镜观察和键合引线的抗拉强度测试。     

引线键合技术进展

引线键合以工艺简单、成本低廉、适合多种封装形式而在连接方式中占主导地位.对引线键合工艺、材料、设备和超声引线键合机理的研究进展进行了论述与分析,列出了主要的键合工艺参数和优化方法,球键合和楔键合是引线键合的两种基本形式,热压超声波键合工艺因其加热温度低、键合强度高、有利于器件可靠性等优势而取代热压键合和超声波键合成为键合法的主流,提出了该技术的发展趋势,劈刀设计、键合材料和键合设备的有效集成是获得引线键合完整解决方案的关键.     

Cu丝超声球焊及楔焊焊点可靠性及失效机理研究

Cu丝由于具有优良的导热性能、机械性能以及低成本等优点使得用铜丝替代传统的Au丝和Al丝已经成为半导体工艺发展的必然方向.综述了Cu丝超声球焊以及楔焊焊点可靠性问题,对焊点的各种失效模式与机理进行探讨.     

电子制造中的引线键合工艺(英文)

文章通过总结众多相关文献的研究成果和实际引线键合工艺中的经验心得,为读者呈现较全面的有关于引线键合的介绍,包括键合时序、机台动作、关键键合参数、键合材料特性、键合工具的设计、键合机理等方面。在对一些常见的工艺问题(如不烧球、高尔夫焊点、短线尾、焊点不粘等)分析的基础上,讨论其解决方案和最近研究进展;同时也关注了铜引线键合技术发展中存在的一些问题。由于作者能力及文章篇幅的限制,仅对关键工艺及因素进行了探讨,希望能帮助读者深入了解引线键合工艺,并对实际工艺问题的解决和键合理论机理的研究有所益处。     

热压超声球引线键合机理的探讨

热压超声球键合具有较低键合温度、键合强度好、效率高和能实现金属线的高质量焊接等优点。介绍了引线键合的发展历程,热压超声球引线键合工艺及键合强度的主要影响因素,概述了早先的几种引线键合机理,提出了当前较为前沿的微动学理论,并将之应用到探索热压超声球引线键合的机理当中。     

集成电路封装中的引线键合技术

在回顾现有的引线键合技术之后,文章主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求,反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合,能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求,为封装继续提供低成本解决方案。     

焊料凸点式倒装片与引线键合成本比较分析

文章讨论了引线键合芯片与板上或有机基板上焊料凸点式倒装片的成本比较问题。核查了IC芯片效率、金丝与焊接材料及这些技术使用的主要设备对成本的影响。采用有用的公式和图表,确定成本,并比较了采用这些技术的成本状况。     

声表面波器件内连技术探讨

声表面波(SAW)器件的内连技术是指将光刻出的压电芯片上的电极与外壳上对应的内引脚连接起来,从而实现电信号的连通。由于内连质量很难通过中间过程的检测完全确定,因此,内连技术成为影响SAW器件性能和可靠性的关键之一。该文介绍了对各种内连技术的原理和工作过程,并比较其不同特点,探讨了适合SAW器件发展要求的技术和方法。     

粗铝丝超声键合的尾丝控制研究

针对自动粗铝丝超声楔焊键合的尾丝质量问题,剖析了键合尾丝的形成机理,建立了键合尾丝缺陷故障树,构建了键合尾丝缺陷的因果关系图,提出了尾丝缺陷现象与根源因素的影响关系矩阵,确立了尾丝质量控制的关键控制点和控制要求。