新型溶胶-凝胶法制备羟基磷灰石粉体及工艺研究

借助正交试验设计方法设计试验方案,用硝酸钙醇溶液和五氧化二磷醇溶液,以溶胶-凝胶法制备了羟基磷灰石（HAP）粉体,对制得的HAP试样分别进行XRD、SEM和TG-DTA分析测试,测试结果的极差分析表明,制备的HAP晶粒为尺寸分布十分均匀的纳米球形或椭球形颗粒,得出较优的工艺参数为：A3B4C3D3．     

溶胶-凝胶法制备羟基磷灰石粉体

采用溶胶-凝胶法以五氧化二磷和四水硝酸钙为反应物,按一定的钙磷比分别溶于乙醇后混合,再添加不同的分散剂,高温煅烧,制备了羟基磷灰石粉体,并考察了煅烧温度以及添加分散剂对制备羟基磷灰石粉体颗粒粒径及分布的影响。结果表明:添加分散剂后得到的羟基磷灰石粉末粒径较小,分布均匀,较少出现团聚现象,但对粉体的相组成没有影响;随着焙烧温度的升高,颗粒的粒径增大,发生了团聚;600℃为最佳焙烧温度。     

溶胶-凝胶法羟基磷灰石纳米粉体的制备

本文以四水硝酸钙Ca(NH3)2·4H2O和五氧化二磷(P2O5)为前驱体,采用溶胶—凝胶工艺制备出高纯且粒度均匀的羟基磷灰石纳米粉体。借助XRD,TEM,IR等测试手段研究了在不同温度下羟基磷灰石合成各阶段的相组成、结构变化。结果表明,在600℃下处理2h可获得粒度均匀的纳米羟基磷灰石粉体。     

溶胶-凝胶法制备羟基磷灰石粉体化学机理分析

利用硝酸钙醇溶液和五氧化二磷醇溶液,通过溶胶-凝胶法,制备了羟基磷灰石(HAP)粉体.对前驱体和不同热处理温度的HAP粉体试样进行了FTIR与XRD测试分析,讨论分析了在溶胶-凝胶法制备HAP过程中HAP生成化学反应的机理.     

溶胶-凝胶法制备纳米钛酸钡

以溶胶-凝胶法制备纳米钛酸钡粉体,利用价廉的重晶石为主要原料制备钡源,有效地克服了传统方法因采用有机钡盐或有机钛而导致的生产成本过高的缺点:研究结果表明,该方法可制备出高纯钛酸钡粉体,制备过程中三废排放物中基本不含有害物质,并可从母液中回收质量较高的副产品硝酸铵,具有产品质量高,原料来源广泛、价格低廉、工艺环保、节能等特点.     

溶胶-凝胶法制备BaTiO3纳米粉体

阐述了用溶胶－凝胶工艺的半醇盐法制备BaTiO3纳米粉体的基本原理和工艺流程，讨论了溶剂、pH值、Ti/Ba摩尔比以及热处理工艺对BaTiO3纳米粉体性能的影响，并分析了目前以该法制备BaTiO3纳米粉体存在的问题。     

溶胶-凝胶法制备纳米钛酸铅的工艺

采用无机溶胶-凝胶的方法来制备纳米钛酸铅粉体,以廉价的无机钛盐为原料,有效克服了传统方法因采用有机钛盐或有机钛而导致的生产成本过高的缺点,并利用XRD、FT-IR、SEM等分析手段对样品的颗粒大小、结构和形貌进行了表征.研究结果表明:制备出的PbTiO3干凝胶在1 000℃下热处理2 h可以得到结晶程度很好的纳米PbTiO3粉体.     

纳米SiO2的溶胶-凝胶法制备及其最佳工艺条件

选用正硅酸乙酯（TEOS）有机物作为硅源,以醋酸-醋酸铵缓冲液和氨水为催化剂,采用两步催化法制备SiO2粉体。研究了制备SiO2的几个影响因素：水醇盐的摩尔比,催化剂的浓度及用量,反应温度和陈化温度。确定了制备SiO2的最佳工艺条件,缩短了工艺周期,并利用X-射线衍射（XRD）分析、扫描电镜（SEM）照片、傅立叶变温红外（FT-IR）图谱、综合热分析对SiO2的结构和性能进行了表征。     

溶胶-凝胶法制备GdBCO超导粉体

采用溶胶-凝胶法制备GdBCO超导粉体.以Gd2O3,CuO和BaCO3为原料.柠檬酸为螯合剂,用氨水调节pH值为6～7,可以得到性能较好的蓝黑色溶胶.溶胶经过凝胶化后获得干凝胶,将干凝胶在不同的温度下进行煅烧而获得GdBCO超导原粉.XRD分析表明煅烧后的GdBCO超微粉在不同的温度下获得不同的相,其中1000℃烧结得到的是Gd-123相,同时TG-DTA分析结果也表明,1000℃为GdBCO超导粉体的最佳煅烧温度.     

Sol-Gel法制备纳米二氧化钛粉体

以钛酸四丁酯为原料，采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备出了晶粒尺寸6～23nm的二氧化钛粉体，并对酸度．制备温度和升温速率等条件进行了研究．实验证明：室温下，硝酸与钛酸酯摩尔比为0．30～0．39；450℃左右煅烧2h可得锐钛型二氧化钛纳米粉体；600℃煅烧2h得到金红石型二氧化钛粉体。     

溶胶-凝胶法制备纳米钛酸钡

以溶胶－凝胶法制备纳米钛酸钡粉体,利用价廉的重晶石为主要原料制备钡源,有效地克服了传统方法因采用有机钡盐或有机钛而导致的生产成本过高的缺点：研究结果表明,该方法可制备出高纯钛酸钡粉体,制备过程中三废排放物中基本不含有害物质,并可从母液中回收质量较高的副产品硝酸铵,具有产品质量高,原料来源广泛、价格低廉、工艺环保、节能等特点．     

溶胶-凝胶法合成的羟基磷灰石的热稳定性研究

用溶胶-凝胶法法合成了具有不同Ca/P摩尔比的羟基磷灰石(HAP)和不同CO2-3含量的碳羟磷灰石(CHAP); 采用DTA,TG,XRD,FT-IR,BET比表面积测定,晶粒密度测定等方法研究了此两类磷灰石的热稳定性,探讨了影响热稳定性的晶体结构因素.结果表明:①由于Ca亏HAP存在空位缺陷结构,在781 ℃脱羟分解;正常配比HAP不存在缺陷结构,Ca盈HAP由于存在的是填隙缺陷结构,表现出较高的热稳定性,甚至于在1 100 ℃仍不脱羟分解;②在150～800 ℃范围内脱除CHAP中的CO2-3是非平衡态的连续固溶体分解,同时其结晶度增加且晶粒重结晶长大,CO2-3质量分数含量小于3.34的CHAP在776 ℃时脱羟分解;CO2-3质量分数≥3.34%的CHAP在150～1 100 ℃范围内不发生脱羟分解.     

溶胶凝胶法制备氧化亚铜薄膜及其工艺条件

以单质锂、无水甲醇和氯化铜为原料,葡萄糖为还原剂,醋酸为络合剂,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备Cu2O薄膜,并确定了制备的工艺条件:CH3OH及CuCl2·2H2O为原材料,C6H12O6·H2O为还原剂,CH3COOH为络合剂。通过X射线衍射仪、紫外 可见分光光度计和扫描电镜等分析和表征,确定了影响Cu2O薄膜性质的因素。结果表明:用溶胶 凝胶法可以制备具有良好性能的Cu2O薄膜。     

溶胶-凝胶法制备稳定WO3光致变色溶胶的研究

以钨酸钠和盐酸为主要原料,以溶胶-凝胶法制备了具有较高光致变色敏感性的稳定WO3溶胶,并应用SC-80C型全自动色差仪对溶胶进行了色度表征.使用漫反射紫外-可见吸收光谱分光光度计和TWM分析了WO3光致变色溶胶的吸收光谱和溶胶的颗粒形态;同时对WO3干溶胶粉体颗粒进行XRD表征.主要得出以下结论制备稳定WO3光致变色溶胶的最佳工艺条件为溶液体系的Ph值为1.6;丙醇的加入量为初始Na2WO4溶液的15 Vol%;乙酰丙酮的加入量为初始Na2WO4溶液的1.5 Vol%.     

溶胶凝胶法制备TGG纳米粉体与结构研究

采用溶胶凝胶法制备TGG纳米粉体,利用XRD、TG-DSC、IR和SEM等测试手段分析了TGG纳米粉体的物相结构。结果表明:TGG纳米粉体属于立方晶系,在1000℃和1100℃下烧结的样品,颗径尺分别为80nm和100nm。1000℃附近出现的失重是因为发生了相变过程,生成了TGG晶相,通过红外光谱和拉曼光谱对TGG粉体的振动模式进行了归属。     

不锈钢表面羟基磷灰石涂层的溶胶凝胶法制备

在316 L不锈钢基体表面采用溶胶-凝胶法和多次提拉法涂覆羟基磷灰石(HA)涂层,并对涂层进行了物相、形貌、结合力和耐腐蚀性能的表征,研究了不同退火温度对涂层性能的影响.结果表明:经400~500℃退火处理,能形成晶化程度不高、晶粒细小的多孔结构羟基磷灰石涂层;提高退火温度可提高HA晶化程度和界面结合力;HA涂层提高了不锈钢的抗侵蚀能力.     

溶胶-凝胶法制备二元金属氧化物

以柠檬酸为络合剂、PEG为分散剂,用Ce（NO3）3.6H2O和Zr（NO3）4.5H2O为原料制备出CexZr1-xO2。以Mg（NO3）2.6H2O和Al（NO3）3.9H2O为原料,同样方法制得了MgO-Al2O3。进行了X-射线衍射（XRD）和比表面积测试。Scherrer方程计算出MgAl2O4的主要晶面尺寸,表明MgO-Al2O3为纳米粒子。讨论了制备MgO-Al2O3过程中PEG种类和焙烧温度对产物结构的影响。     

溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜的研究

采用溶胶-凝胶方法制备纳米TiO2薄膜,以钛醇盐为前驱物,不同的螯合剂、溶剂和催化剂为原料,通过改变原料配比及实验条件对纳米TiO2薄膜的制备过程的影响进行探讨,从而取得制备纳米TiO2薄膜的最佳原料配比、工艺过程和控制条件.实验结果表明,当去离子水与钛醇盐摩尔比为2.5,乙醇与钛醇盐摩尔比为18,螯合剂与钛醇盐摩尔比为1.2,pH根据需要取3-5,水解温度25-35℃,热处理温度450℃,能够得到稳定的溶胶镀膜.     

纳米氧化镍粉体的溶胶凝胶法制备与光催化性能研究

采用改进的溶胶凝胶法制备了纳米氧化镍粉体,并利用热重分析法、X 射线衍射法对其进行分析表征,结果表明:以醋酸镍、氨水、PEG6000 为原料通过络合水解竞争平衡合成溶胶,随着烧结温度的升高,镍含量递减,直到 500℃形成纯度很高的立方晶相纳米氧化镍颗粒.以 8 W 紫外灯为光源,浓度为 0.4 g/L的氧化镍粉体光照4...     

化学沉淀法制备纳米HAP粉体的工艺优化

用化学沉淀法制备出了纳米级的HAP粉体，讨论了不同工艺参数对化学沉淀法制备的HAP粉体性能的影响．用X射线衍射、红外光谱以及TEM对所制粉体进行了分析．测定结果表明：煅烧后粉体的结晶程度明显提高，在进行煅烧时以900—1000℃煅烧1h以下为宜．反应温度及保温时间的影响较小．