助烧剂对复合PTC材料微观结构和电性能的影响

将金属Ni加入到(Ba,Sr)TiO3陶瓷基质中来制备低阻复合PTC材料.复合材料在石墨粉形成的弱还原气氛下烧成后,Ni主要以单质态存在.研究了添加Al2O3-SiO2-TiO2 (AST)与PbO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃料对复合材料微观结构和电性能的影响.与AST一样,玻璃料可作为复合材料的烧结助剂,更突出的是玻璃料能实现金属Ni在陶瓷基质中的均匀分布.从烧结助剂引起的陶瓷基质和金属分布两方面的变化来讨论复合材料的电性能.采用玻璃料作为烧结助剂,复合材料获得了较低的室温电阻率和较高的升阻比.     

Ni/BaTiO3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料。对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复。其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1?·cm)。     

Ni/石墨/BaTiO3复合材料低阻化研究

采用在BaTiO3陶瓷中加入Ni粉和石墨粉,将金属Ni和石墨的良好导电性能与BaTiO3基材料优良的PTC效应相结合,旨在研究降低BaTiO3基陶瓷室温电阻率的有效途径。通过大量反复的比对实验和测试分析,制备出了具有较低室温电阻率和一定升阻比性能的正温度系数(PTC)复合材料。     

含Ni量对Ni/BaTiO3基复合PTC材料的影响

加入金属Ni来降低正压电系数(PTC)陶瓷材料的室温电阻率是目前较可行的方法之一。该文主要研究了金属Ni的加入量对Ni/PTC陶瓷复合材料性能的影响。实验采用固相法制备粉体,样品在还原气氛中烧结,烧成后进行氧化处理。实验结果表明:Ni加入质量分数为5%~10%时,试样的室温电阻率可由不加Ni的试样的119.69Ω.cm降至10~15Ω.cm,升阻比可达102,体现出较好的PTC效应。。     

Ni/石墨/BaTiO3复合PTC材料的显微结构模型

将金属Ni和石墨粉通过机械混合的方法加入预合成的BaTiO3粉体中，在1230～1260℃下保温20min烧成Ni／石墨／BaTiO3复合正温度系数（PTC）材料。由这种复合材料所制试样具有较低的室温电阻率和较好的PTC效应。通过对实验结果的分析，同时利用XRD、SEM、EDS等手段对复合材料的物相进行分析并对材料的微观形貌进行观察和研究后，提出了该复合材料的显微结构模型和晶界势垒模型，这两种模型从微观层面上解释了加入的Ni和石墨对该复合材料的室温电阻率、PTC效应及耐电压性能的影响，与实验中观察到的现象相符合。     

金属Ni/Mn/BaTiO3基复合PTC材料的研究

为了降低 BaTiO3基 PTC 材料的ρ25,将金属 Ni、Mn 加入其中,并研究了金属 Ni 和金属 Mn 的加入量以及氧化处理等工艺条件对金属 Ni/Mn/BaTiO3基复合 PTC 材料性能的影响,且优化了该材料的组成和工艺条件。实验结果表明:其中含 Ni 的质量分数为 15%,Mn 的摩尔分数为 0.04%的 PTC 复合材料室温电阻率达到 18 O·cm,升阻比为 50.6。     

工艺过程对NBT/BaTiO3复合PTC材料性能的影响

采用传统陶瓷工艺制备了Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)/BaTiO3复合PTC材料,通过对样品性能测试及扫描电子显微镜(SEM)形貌分析研究了工艺过程对NBT/BaTiO3复合PTC材料性能的影响,研究结果表明,NBT的加入方式影响复合PTC材料的半导化,而成型压力影响试样的气孔率,进而影响材料的PTC效应和室温电阻率,最佳的工艺过程为:NBT在二次料中加入,成型压力为298 MPa,烧结温度范围为1 275～1 290℃.     

稀土氯化物溶液掺杂BaTiO3基PTC陶瓷性能研究

采用稀土氯化物(YCl3、LaCl3)溶液作为施主掺杂剂,在1350℃空气气氛下烧结制备一系列BaTiO3陶瓷样品。借助XRD、XRF等手段,研究了氯化物溶液掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响。结果显示,YCl3掺杂样品的最低室温电阻率为17?·cm、LaCl3掺杂的为47?·cm,且样品都具有一定的PTC效应。室温电阻率大幅降低的原因,是引入的Cl元素有一部分能进入晶格取代O位起施主作用。     

复合BN的PTC热敏陶瓷性能的研究

以（Ba,Sr)TiO3为主要原料，适当引入半导化施主元素Y2O3等，用BN进行复合制备样品。研究了BN对材料PTC热敏特性及微观形貌的影响，讨论了烧成温度对产物性能的影响，并对其半导机理进行了分析。     

Dy2O3对钛酸锶钡基陶瓷结构及介电性能的影响

采用传统固相法制备Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3系电容器介质陶瓷,通过扫描电镜、X线衍射仪及LCR测试系统,研究不同含量的Dy2O3对体系微观结构及介电性能的影响.结果表明,随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷平均粒径减小且Dy2O3掺杂(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷均为钙钛矿结构单相固溶体.Dy2O3通过占据钙钛矿晶格A、B位引起(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷晶格畸变,体系自发极化能力降低,进而显著降低了体系室温相对介电常数及介电损耗.随着Dy2O3添加量的增大,(Ba0.7Sr0.3)TiO3陶瓷居里温度向负温方向移动,且体系的相对介电常数及介电损耗随温度变化显著.