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Bruce Denmark 《电子设计技术》2004,11(7):93-94
将降压型开关转换器IC配置成反相器,便可获得一个高效大功率-5V电源,其输出电流在输入电压为12V时高达4.5A,在输入电压为5V时为3.2A(图1).常见的反相电源用一个D沟道MOSFET进行开关切换(图2).这种电路配置在输出电流很小时能运转正常,但在输出电流超过2A左右时,其使用受到限制,这要视输入、输出电压电平和你使用的MOSFET而定. 相似文献
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《电子产品世界》2005,(8B):50-50
Maxim推出一款双路、大功率、线性稳压控制器——MAX8737,通过外部n沟道MOSFET产生笔记本电脑所需的两路低压电源。稳压器可提供0.5V至2.5V的低电压输出,外置MOSFET、高精度(1%)稳压输出允许灵活的负载电流设计,最高可达5A。MAX8737可工作在低输入电压下,从而降低外部n沟道MOSFET的功耗。外部电阻分压器提供折返式限流保护,降低了总功耗。输出欠压超时检测为低成本应用中省去了检流电阻。线性稳压器具有可调节的软启动功能,并能产生延时的电源就绪信号,在MAX8737处于稳压状态时提供指示。限流和热保护特性可避免器件损坏。 相似文献
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TPS2014/2015是一种限流开关,串接在电源与负载电 路之间,由于采用了导通电阻仅95mΩ的功率MOSFET作 开关,损耗极小。当负载电路有过负荷或短路情况发生时,限 流开关限制电流输出,以保证电路的安全,同时输出过流信 号。该限流开关有一个低电平有效的片选端EN,可用作电源 管理。 TPS2014/2015结构与工作原理完全相同,仅输出的限 制电流不同。TPS2014在短路时输出的限制电流典型值为 1.2A,而TPS2015的典型值为2A。 内部结构与工作原理 TPS2014/2015的内部结构如图1所示,是由N沟道功 率MOSFET为开关,加上可检测电流的FET(CS)、电荷泵 电路、驱动器电路、电流限制电路、过热保护电路、低压锁 相似文献
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《电子产品世界》1995,(9)
MAX622/623电源对高边n沟道- MOSFET开关和控制电路提供方便的栅极驱动电压源.使用充电泵电压转换器,集成电路产生了高于系统电压(V_(cc))11V的稳压电压.如果没有升高的栅极电压,就无法使用低成本的n沟道MOSFET.而必须选用一昂贵的5V逻辑电平的MOSFET或一效率相当低且昂贵的p沟道MOSFET或p-n-p晶体管.宽输入范围(3.5V到16.5V)和低静态电流(典型70μA)使得MAX622/623适用于许多开关和控制应用中,并且不论是市电供电、还是电池供电.两种芯片的电源准备好输出(PR)信号,指示在加电期间栅极驱动电压已达到一允许电平.MAX622以8引脚DIP或封装,并需要使用三个廉价的外接电容器.含有电容器不需要外部元件的MAX623为16引脚DIP封装.MAX622和MAX623都有经商业温度范围及工业温度范围测试合格的不同类型.MAX622起价为$1.99(1000件),MAX623起价为$3.95(1000件). 相似文献
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。… 相似文献
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德州仪器(TI)日前宣布推出集成FET的业界最小型、最高效率的降压转换器,可为电信、网络以及其它应用提供高达25A的电流。25A,14V的TPS56221集成NexFET MOSFET且简单易用,与SWIFT开关转换器同步,可在12 V输入至1.3V输出的高负载条件下,同时实现超过200W/in~3的功 相似文献
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