半导体量子点材料

综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。     

半导体量子点和量子线材料及其制备技术

综述了半导体量子点和量子线材料的最新发展动态及其制备技术。     

半导体量子点的自组织生长及其应用

所谓半导体量子点的自组织生长,是指具有较大晶格失配度的两种材料,依靠自身的应变能量,并以Ｓｔｒａｎｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ－Ｋ）生长模式,在衬底表面上形成的一定形状、尺寸和密度分布的自然量子点结构。本文主要介绍了纳米量子点的自组织生长,自组织生长最子点的发光特性及其在光电器件中的应用。     

量子点结构和量子点激光器

简述了量子点结构和最子点激光器的目前发展情况，例举了量子点激光器的典型应用。阐述了对晶格失配系统，外延生长量子点最佳方法是应用Ｓ－Ｋ机理的自组织生长。     

半导体量子点自组织生长过程的控制

对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究. 在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上，提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小，并对生长过程进行了计算机模拟. 结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长，调节量子点的生长速度，达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.     

半导体量子点自组织生长过程的控制

对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟.结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长,调节量子点的生长速度,达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.     

半导体量子点自组织生长过程的控制

对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟.结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长,调节量子点的生长速度,达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.     

半导体量子点的生长机理及特性

阐述了半导体量子点自组织生长方法的基本原理,并介绍了半导体量子点的一些特性,如激子束缚能、载流子动力学、排列规则和光学性质。     

生长停顿对量子点激光器的影响

在ＩｎＡｓ自组织量子点的ＧａＡｓ覆盖层中引入生长停顿,将这种量子点结构作激光器的有源区,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现：生长停顿可以降低激光器的阈值电流,提高其特征温度,改善激光波长的温度稳定性。简单的分析表明,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性。     

半导体量子点自组织生长的计算机模拟研究

采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究。结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些差别给出了解释。     

Quantum Dot Lasers Fabricated by Self-organized Growth

Quantum dot lasers have excellent characteristics such as timperature stability of threshold current and ultra-high material gain.Quantum dot structures fabricated by self-organized growth have high crystalline perfection,high quantum yield of radiative recombination and high size homogeneity .Main advantages and operating properties of quantum dot alsers fabricated by self-organized growth are briefly introduced.     

半导体量子点的电容

当电子数目很少量,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系统和三电子系统的行为。少体理论可以把质心运动和相对运动分离,从而得到精确的数值解。利用单个电子在量子点中的基态波函数的束缚行为,选择了量子点的束缚能。通过对ＣｄＳ、ＰｂＳ等半导体纳米粒子的充电电容的计算找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径。     

量子点激光器

本文介绍了新型量子点激光器的概念。量子点激光器的制造技术及量子点激光器的性能。最后指出了量子点激光器的发展趋势。     

半导体量子点的发光性质研究

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.     

半导体量子点中强耦合磁极化子的性质

采用线形组合算符和么正变换研究了磁场对半导体量子点中强耦合磁极化子基态的影响.结果表明,磁极化子束缚能、磁极化子振动频率随有效束缚强度增大而减小,随电子-体纵光学声子耦合强度增大而增大,随磁场强度增大而增大,即均由于半导体量子点的受限和磁场的增大而使量子点的极化加强,因此半导体量子点的极化是不容忽略的     

纳米量子点结构的自组织生长

所谓自组织生长纳米量子点 ,是具有较大晶格失配度的两种材料 ,依靠自身的应变能量 ,并以 Stranki- Krastanov(S- K)生长模式 ,在衬底表面上形成的具有一定形状、尺寸和密度的自然量子点结构。文中主要介绍了量子点自组织生长的基本原理、几种不同类型量子点的自组织生长及其光致发光特性。     

半导体量子点敏化太阳电池的最新进展

半导体量子点太阳电池目前是一个十分热门的研究领域,在未来新能源利用领域具有潜在的应用价值。首先,介绍了几种量子点敏化电极的制备技术。然后,着重评述了CdS,CdSe和PdS量子点敏化太阳电池近年的研究进展。通过对大量最新的相关文献进行总结发现,电池的性能主要受量子点的组装技术、能带结构以及基体材料等因素的影响。最后,分析了该领域中目前存在的问题,并提出了今后研究的对策,包括采用两种量子点共敏化方法以提高光俘获效率,采用沉积钝化层的方法以降低载流子复合。