自旋电子学和自旋电子器件

自旋电子学是近年来发展起来的微电子学和磁学的交叉学科,主要研究自旋极化电流的注入、控制和检测。本文介绍了自旋电子学和器件的研究进展,着重讨论了自旋注入和检测的问题,分析了自旋电子器件研究的核心问题和难点。自旋电子学的研究有着重要的理论意义,自旋器件在信息科学领域也具有十分广阔的应用前景。     

自旋电子学、自旋电子器件及GaAs中电子自旋弛豫研究

评述了自旋电子学及自旋电子器件的发展,自旋电子器件的应用,半导体自旋电子学的研究内容及目前的研究现状．给出了我们的有关GaAs中电子自旋偏振与相干弛豫的研究结果．     

自旋电子学研究的最新进展

自旋极化电子的高效注入、自旋霍尔效应和自旋流的产生与探测都是目前自旋电子学中热门研究专题,世界一些著名学术刊物屡见报道。对这些重要内容的理论和实验的最新研究成果进行了介绍。通过自旋极化电子高效注入方法和材料的研究,人们期望研制出新一代自旋电子器件,进而实现应用电子自旋传输、记录和存储信息的目标。近期实验给出,自旋极化电子从铁磁金属注入半导体和金属都获得较高的极化率。各种注入方法中,自旋流直接注入法目前备受关注,因为自旋霍尔效应为自旋流的产生与探测提供了新的途径,即自旋霍尔效应可以产生自旋流,但因无霍尔电压故不容易测量;而逆自旋霍尔效应又将自旋流转化为电流,使得难以测量的自旋流又可以直接用电学方法测量。     

自旋电子学研究进展

自旋电子学是上世纪 90年代以来飞速发展起来的新兴学科。与传统的半导体电子器件相比 ,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点。电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧道器件、THz频率光学开关、调制器、编码器、解码器及用于量子计算、量子通信等装置的新型器件 ,从而触发一场信息技术革命。文中介绍了自旋电子学的若干最新研究进展。     

自旋电子学及其器件应用

介绍了近年来自旋电子学研究概况及器件应用，并展望了半导体自旋新器件的研究和发展。     

自旋电子学和自旋注入

自旋电子学是一门新兴的学科，利用它制造的自旋电子器件，与传统的半导体器件相比，有着非易失性，提高数据处理速度，降低能量消耗和增加集成密度等优点，从而给现有的电子业带来革命性的变化，有效的自旋注入是自旋电子学面临的重大挑战之一，文中综述了欧姆式注入，隧道注入，弹道电子注入等几种重要的自旋注入方法以及它们的最新进展。     

自旋电子学研究

本文对自旋电子学的起源,作为自旋源的稀磁半导体的制备和自旋电子学的应用及发展前景进行了综述。详细介绍了稀磁半导体的制备及自旋电子学在器件上的应用。     

半导体材料中自旋极化的光学注入与探测

综述了自旋电子学的一些新进展,重点介绍了自旋极化的光学注入、弛豫机制和光学探测等方面的内容,并涉及到与自旋有关的自旋霍尔效应(SHE)和纯自旋流等物理效应.     

HgMnTe磁性半导体研究概述

HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域.同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子...     

我国超导电子学进展

本文着重介绍我国超导电子学在几个重要领域里的发展现状,并对超导电子器件的制备、基础理论研究以及应用中的相关技术扼要地作了介绍。以向对我国超导电子应用技术感兴趣的人们提供参考。     

稀磁半导体异质结构的自旋极化输运性质

采用格林函数方法和群速近似研究在电场、磁场作用下电子渡越稀磁半导体异质结构的自旋过滤及自旋分离的特征。研究表明具有不同自旋指向的极化电子渡越同一稀磁半导体异质结构 ,不仅隧穿几率存在着显著的差异 ,而且渡越时间的差异可达几个数量级。这种差异随着外磁场的增强而加大 ,而随外电场的增强而减小。结果意味着稀磁半导体异质结构具有很好的自旋过滤效果 ,且极化电子渡越此类结构在时间上是分离的     

L-EDIT软件在“半导体器件”教学中的应用

本文针对＂半导体器件＂的课程特点,探讨了如何应用L-EDIT软件改进教学方式和教学手段。将L-EDIT软件引入教学,更有利于学生对半导体器件的物理原理、器件结构及制造过程这三方面知识的综合理解和整体把握。教学实践表明,在该课程中引入L-EDIT可以收到良好的教学效果。     

Innovation of Materials,Devices, and Functionalized Interfaces in Organic Spintronics

Organic spintronics has been attracting the interest of the scientific community because of its potential to complement the electronics industry by combining the spin and charge degrees of freedom. Synthesized organic materials with light elements have been widely applied in organic spintronics due to their intrinsic weak spin-orbit coupling and hyperfine interaction. Meanwhile, the prototypic devices in inorganic spintronics have been creatively utilized to fabricate analogous organic devices. The interfaces between organic materials and ferromagnetic electrodes in spintronic devices are diverse and can lead to many novel phenomena that influence the device performance. In this review, the novel organic materials, innovative devices, and functionalized interfaces in organic spintronics are comprehensively introduced. First, the fundamental concepts and parameters of organic spin devices are clarified. Subsequently, the organic materials applied in organic spintronics are classified, which include small molecules, polymers, and organic–inorganic hybrid perovskites. Moreover, several types of spin-related devices in this field are introduced and discussed. Thereafter, the functionalized interfaces of the spin-related devices are categorized and elaborated upon. Finally, a brief summary and future prospects are presented, which highlight the developments necessary in organic spintronics in the near future.     

II-VI族半导体量子点的发光特性及其应用研究进展

半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性，在实验中发现核壳结构的CdSe／CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高．吸收光谱和发射光谱均发生红移，而且粒径不同．半导体量子点所呈现的颜色也不同，随着粒径的增加吸收光谱和发射光谱向长波方向红移。介绍了半导体量子点在光电子器件和生物医学方面的应用．并对其发展前景进行了展望。     

Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展

Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述     

电源的小型化与半导体器件的应用

本文从电源的小型化出发,简要介绍几种半导体器件和电路的具体应用情况及其发展趋势,其中包括功率晶体管、低耐压MOSFET、CMOS开关稳压器及单芯片电源。     

基于失效机理的半导体器件寿命模型研究

微电子技术的发展使得集成电路的可靠性愈来愈重要,为了在较短的时间内得到产品可靠性数据,使用加速寿命试验是十分有效的方法.而使用加速寿命试验进行可靠性分析,关键是能够得到合适的寿命模型.不同的失效机理对器件寿命的影响是不同的.详细考虑了半导体器件的3个主要失效机理:电迁移、腐蚀和热载流子注入的影响因素,介绍了相应的寿命模型,并且通过具体的数据计算所得到的加速因子,对半导体器件在不同状态下的寿命情况进行了比较.