比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

Bi_4eG_3O_(12)晶体电光系数的测量

本文介绍了一种简便的Bi_4Ge_3O_(12)晶体电光系数的测量方法,扼要地概述了测量的基本原理和实验装置,并对测量结果进行了误差分析.采用这种测量方法,可避免由于Bi_4Ge_3O_(12)晶体的半波电压较高而引起的一系列麻烦,使整个测量系统具有结构简单、图形直观、操作方便的特点,其测量精度优于1.5%.     

Nd:GGG晶体折射率和折射率温度系数的测量

利用自准直法,在303～443 K温度范围内,用0.473、0.633、1.064、1.319和1.338 μm等波长测量了Nd3 :Gd3Ga5O12(Nd:GGG)晶体的折射率,得到了上述波长的折射率温度系数和测量温度范围内修正的Sellmeier方程的常数.用色散方程和折射率温度系数表达式,计算了相应温度下在0.473～1.338 μm波段内任意波长的折射率及折射率温度系数.     

LAP晶体主轴电光系数的测量

用干涉法测量了LAP晶体的主轴电光系数,结果为:γ_(12)=0.3,γ_(22)=-0.5,γ_(32)=-2.3×10~(-12)m/V。     

低对称晶体CdCa4O（BO3）3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体GdCa4O(BO3)3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数γ51,γ53,γ42和γ62,采用了新的样品趋向。测量结果为：γ11＝0．4pm/V,γ21＝0．5pm／V,γ31＝0．6pm／V,γ13＝0．1pm／V,γ23＝0．4pm/V,γ33＝2．0pm／V,γ51＝0．7pm／V,γ42＝0．5pm／V,γ62＝0．8pm／V。     

低对称晶体GdCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用干涉法测量了低对称晶体 Gd Ca4 O(BO3) 3的全部电光系数。为了分离测量交叉电光系数 γ51 ,γ53,γ4 2和γ6 2 ,采用了新的样品趋向。测量结果为 :γ1 1 =0 .4 pm / V ,γ2 1 =0 .5 pm/ V,γ31 =0 .6 pm / V,γ1 3=0 .1pm/ V,γ2 3=0 .4 pm / V,γ33=2 .0 pm/ V,γ51 =0 .7pm / V ,γ53=1.5 pm / V,γ4 2 =0 .5 pm/ V,γ6 2 =0 .8pm / V .     

低对称晶体YCa_4O(BO_3)_3电光系数的测量

用于涉法测量了低对称晶体YCa4O(BO3)3的全部电光系数,为了分离测量交叉电光系数γ51, γ53, γ42,和 γ62,采用了新的样品趋向,测量结果为:γ11=0.6, γ21=0.4, γ31=0.3, γ13=0.3, γ23=0.2, γ33=2.26, γ51=0.9, γ11=0.6, γ11=0.6, γ53=4.1, γ42=0.8, γ62=0.4×10-12m/V。     

泰曼干涉法测量晶体的电光系数

本文报道用泰曼干涉仪通过同时记录干涉光强度和分束前光强度的方法来测量晶体的电光系数的测量结果.     

一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

电光晶体光学性质的折射率椭球分析法

本文利用折射率椭球一般性地讨论了电光晶体的光学性质,给出了电光晶体光轴方位和折射率分布的普遍公式。根据这些公式,可以很方便地分析一个具体的电光晶体的光学性质。     

LiNbO3电光调制器行波电极微波等效折射率的测量

LiNbO3电光调制器的设计中,行波电极的微波等效折射率是一个重要的参数。该文通过自行设计的微波探针架及探针,采用差值的方法,在微波网络分析仪上对样品CPW电极的微波等效折射率进行了测量,分析了实测值与理论计算值的偏差,给出了修正因子,研究了微波等效折射率随频率变化的色散现象,并对这种测量方法进行了误差分析,提出了减小误差的方法。     

干涉法测量晶体的折射率

基于迈克尔逊干涉仪的原理,提出了一种测量晶体折射率的理论及实验方法;在旋转角度不大的情况下,推导出了理论计算公式。利用CCD传感器和微处理器的结合建立了一套测试系统,该系统利用条纹评估软件提高了测试精度。     

RbTiOPO_4晶体的电光性能

本文用干涉法测量了 RbTiOPO_4晶体的电光系数,结果为 r_(13)=9.7,r_(23)=10.8,r_(33)=22.5,r_(51)=-7.6,r_(42)=14.9(×10~(-12)m/V)。     

KTP和KTA晶体在3～6THz波段的折射率测量

利用太赫兹(THz)光参量发生器,测量了KTP晶 体和KTA晶体在3~6THz波段的折射率。利用一束 脉冲宽为5ns的Nd:YAG 1064nm激光作为泵浦源,分别泵浦KTP晶体 和KTA晶体,获得了一束宽谱 的Stokes光;测量了泵浦光和产生的Stokes光的非共线相位匹配角度以及对应Stokes光的波 长,通过计算 得出了KTP晶体在3.07~6.12THz波段对应的折射率为2. 81~5.05;KTA晶体在3.71~6.19THz波段对应的折射率为3.26~4.68。     

低对称晶体YCa4O(BO3)3电光系数的测量

用于涉法测量了低对称晶体YCa     

Ti：Mg：LiNbO_3晶体的折射率温度系数表示式

基于在５３９．７５ｎｍ，６３２．８ｎｍ，１０７９．５ｎｍ，１３４１．４ｎｍ波长上和２８８Ｋ，３３８Ｋ，３８３Ｋ，４２３Ｋ温度条件下，对掺５ｍｏｌ％ＭｇＯ和０．２ｍｏｌ％Ｔｉ的ＬｉＮｂＯ＿３晶体的主折射率的精密测量￣［１］，根据对ＬｉＮｂＯ＿３晶体适用的修正的Ｓｅｌｌｍｅｉｅｒ’ｓ方程，以解出参数Ｃ＿ｉ表达式的方法，求出上述温度时Ｓｅｌｌ－ｍｅｉｅｒ’ｓ方程的参数Ａ＿ｉ，Ｂ＿ｉ，Ｃ＿ｉ，Ｄ＿ｉ，以最小二乘法精确地拟合上述参数对温度Ｔ的线性关系，进而推导出这种晶体的折射率温度系数的表示式。利用此表示式可以计算波长在５３９．７５ｎｍ～１３４１．４ｎｍ区间附近，温度在２８８Ｋ～４２３Ｋ范围左右Ｔｉ：Ｍｇ　：ＬｉＮｂＯ＿３晶体的折射率温度系数。为检验该折射率温度系数表示式的实用性，利用此表示式计算１０７９．５ｎｍ为基波的该晶体的二倍频非临界相位匹配温度，与实验值之差在１Ｋ以内，从而证明这个折射率温度系数表示式对于采用Ｔｉ：Ｍｇ：ＬｉＮｂ＿Ｏ，晶体设计非线性光学器件是适用的。     

Ti;Mg;LiNbO3晶体的折射率温度系数表示式

基于在539.75nm,632.8nm,1079.5nm,1341.4nm波长上和288K,338K,383K,423K温度条件下,对掺5mol%MgO和0.2mol%Ti的LiNbO3晶体的主折射率的精密测量,根据对LiNbO3晶体适用的修正的Sellmeier's方程,以解出参数Ci表达式的方法,求出上述温度时Sell-meier's方程的参数Ai,Bi,Ci,Di,以最小二乘法精确地拟合上述参数对温度T的线性关系,进而推导出这种晶体的折射率温度系数的表示式。利用此表示式可以计算波长在539.75nm～1341.4nm区间附近,温度在288K～423K范围左右Ti:Mg:LiNbO3晶体的折射率温度系数。为检验该折射率温度系数表示式的实用性,利用此表示式计算1079.5nm为基波的该晶体的二倍频非临界相位匹配温度,与实验值之差在1K以内,从而证明这个折射率温度系数表示式对于采用Ti:Mg:LiNbO3,晶体设计非线性光学器件是适用的。     

LiNbO3电光调制器行波电极微波等效折射率的测量

LiNbO3电光调制器的设计中，行波电极的微波等效折射率是一个重要的参数。该文通过自行设计的微波探针架及探针，采用差值的方法，在微波网络分析仪上对样品CPW电极的微波等效折射率进行了测量，分析了实测值与理论计算值的偏差，给出了修正因子，研究了微波等效折射率随频率变化的色散现象，并对这种测量方法进行了误差分析，提出了减小误差的方法。