LSI及半导体存贮器的发展动向

一、引言 LSI,特别是MOS-LSI以及LSI半导体存贮器及微处理机工业,是七十年代电子工业的核心,已发展成为第二次工业革命的动力。 以MOS-LSI为例,已由71年的第一代PMOS4004四位微处理机(～770门)发展到亚毫微秒指令时间包括上万门电路的第三代16位μP(微处理机,下同)如Z8000、8086及MC68000等,速度由早期PMOS的上100ns单门时延经硅栅NMOS的儿十ns,降低到HMOSⅡ的0.4ns。即LSI的集成度及速度,在七十     

第四代计算机的连接器

一、前言第四代电子计算机组装上的主要特点,除了高功率密度外,就是电路的高密度组装.一个CPU的电路可达一百万个以上.为了适应很短的机器周期(一般在10～20ns以下,最短的为4ns),必须提高互连密度和缩短连线长度.由表1可知,一台大型通用电子计算机所用的连接器可达一万多     

第六代计算机

<正> 自世界第一台电子管计算机在美国问世以来,计算机技术进展异常迅速,如今已发展到第四代,第五代也已进入开发的最后阶段。但就计机“智力水平而言,第五代计算机充其量也只相当于一个幼儿,而第六代计算机则是具有与人脑相似功能的智能计算机。可以这样说,计算机从第一代到第五代的更替,最主要的变化是速度提高、耗电减少、体积缩小,但仍然需要在程序控制下工作,以数据处理的方式处理信息,与人类大脑的信息处理方式有着本质的不同。第六代计算机则将具有直观判断和不完整信息处理的能力,它工作时无需编制任何程序,     

计算机体系结构

尽管发展至今的前四代计算机在硬件和性能上有很大的差异,但它们都是从一个基本的设计——冯诺依曼处理机衍生出来的。这些机器都是顺序的,即,每次使用一个处理部件完成一个运算。它们的控制部件是集中顺序的。存贮器是线性编址、固定宽度的。它们使用低级的顺序性的机器语言。为了提高顺序式机器的速度,就必须提高每个部件的运行速度。第五代计算机要求的速度将比用这种方法所能达到的速度高得多。因而,第五代计算机将是并行的机器。它的体系结构将使计算机一次完成许多个运算。     

基于CPLD+LVPECL可调窄脉冲发生器的设计与实现

采用CPLD和具有速度极快的LVPECL门电路来实现脉宽可调的窄脉冲信号。利用CPLD提供的10 MHz激励信号和对延时芯片进行写延时控制字来产生所需脉宽。测试结果表明,该可调窄脉冲发生器能产生500 ps～20 ns范围内的脉宽可调、幅度约为400 mV的脉冲信号。     

生物计算机

<正> 1946年第一代计算机(电子管)诞生以来,1956年第二代计算机(晶体管)即产生,1965年第三代计算机(中小规模集成电路)试验成功,1970年第四代计算机(大规模集成电路)宣告投产。八十年代以来,有关国家在研制第五代计算机(超大规模集成电路)——人工智能计算机的同时     

第四代计算机技术的进展

<正> 一、引言 电子计算机是二十世纪最重大的科技成果之一。在四十年里,电子计算机已经历了第一代电子管计算机,第二代晶体管计算机,第三代集成电路计算机和第四代超大规模集成电路计算机。计算机之所以能够这样经久不衰地飞跃发展,一方面是由于社会生产发展的客观需     

创刊贺词

《计算机应用与软件》杂志创刊,我代表中国电子学会计算机学会和电子工业部计算机工业管理局表示热烈的祝贺。自从世界科学技术发展以来,还没有任何科学技术象计算机那样以极高的速度向高精尖方向发展,在应用上以极大的广度向各个方面渗透。同时又对人类社会的发展发生那么深远的影响。由于发展迅速,差不多每十年就要换代。按硬件的观点,从第一代电子管计算机到第二代晶体管计算机到第三代集成电路计算机至八十年代已进入超大规模集成电路计算机时代,目前正计划发展九十年代的第五代计算机系     

介绍几种CX35的典型应用线路

<正> CX35是一种超高频、低噪声、宽频带集成放大电路。共频带宽度为10～300MHz,10～400MHz,10—500MHz,10～600MHz;噪声系数为2～6db;     

迎接第五代计算机的挑战——赴日参加国际第五代计算机系统的学术会议的汇报

一、什么是第五代计算机第五代计算机,也称为新一代计算机,这是一个处理知识的系统。也就是一个智能系统。这样的系统聪明伶俐,人们使用起来得心应手,它能以惊人的速度,给出专家水平的问题解答,作出权威水平的英明决策。自从第一台计算机诞生以来,已经经历了从第一代到第四代的变革。这期间积累了大量的科学技术成果。主要有硬件技术、软件技术,人工智能等。这些成果是研制第五代计算机的基础。智能包括推理、学习和联想。目前正在突破推理机能、学习和联想处于学术研究阶段,     

动态I~2L4K位随机存储器

1975年国际固态线路会议上,仙童公司发表了一个动态I~2L 93481型4K 位随机存储器。它将先进的集成电路工艺等平面隔离与好的集成注入逻辑(I~2L)的单元设计结合起来。其工作功耗为400mW;只需要一种电源+5v(一般MOS 存储器需要三种电源);取数时间为100ns(比通常MOS 存储器快一倍);读写周期为200ns;工作温度范围为0～70℃。93481采用标准16引线双列直插式封装。芯片尺寸仅112密耳×129密耳(2.84mm×3.28mm),比多数MOS 4K 存储器小得多。93481的价格也与4K MOS 存储器相当,因而可作为主存储器使用。     

什么是第五代计算机

通常按元件将计算机划分为代,电子管为第一代、晶体管为第二代、集成电路为第三代、大规模集成电路为第3.5代、超LSI为第四代、第五代计算机是指90年代将出现的计算机。这种计算机将采用什么样的元件现在还很难肯定,但人们已     

苏联的计算技术

<正> 一、苏联计算机现状和发展动向 Ⅰ.ESI系列 苏联的第一个集成电路计算机是Nairi-3,属于第二代到第三代过渡的机器。第三代计算机最有名的是苏联和东欧五国共同研制的统一系列计算机,即ESI系列,也叫Ryad Ⅰ系列。     

第五代计算机

<正> 从四十年代到八十年代,计算机经历了四代: 第一代电子管计算机; 第二代晶体管计算机; 第三代集成电路计算机; 第四代超大规模集成电路计算机。由于微电子学工艺的突破,前四代计算机在硬件结构工艺技术方面有重大的进     

基于FPGA的二-十进制转码器设计

针对二进制转十进制(BCD)转码器的FPGA实现目标,提出了一种高效、易于重构的转码器设计方案.并在FPGA开发板上成功地实现了该设计,验证结果表明,与使用中规模集成电路IP核(SN74185A)实现的7 bit、10 bit和12 bit的转码器相比,本设计可以分别节约28.5%、47.6%和49.6%的硬件实现代价(逻辑单元LEs);同时,电路的路径延迟也分别减少了0.7 ns、2.1 ns和8.9 ns.     

ECL 256×1双极全译码随机存储器组件的电路设计

为了适应千万次以上的大型计算机对超高速存储器的要求,中国科学院上海冶金研究所和北京计算技术研究所共同研制了双极全译码 ECL256×1随机存储器组件。它采用泡发射极、对通隔离、单层布线工艺。存储单元为并联二极管双射极单元[1]-[4]。芯片面积为2.6×3.2mm~2。试制样品的地址取数时间一般小于23ns。最小写入脉冲宽度小于15ns。功耗一般小于500nW,电源电压-5V±10%。工作时最高环境温度75℃。本文介绍单层布线256×1存储器组件的线路设计和测试结果。     

第六代计算机——二十一世纪的超级计算机

现代社会是信息的社会,是计算机发展和应用空前繁荣的时代,这就要求我们所使用的计算机能够不断地胜任越来越复杂的工作需要。鉴于现在的计算机仍存在着诸多的不足,因此研究新一代超级计算机——第六代计算机已成为当今最紧迫的课题。 所谓第六代计算机,就是从根本上提(?)现有计算机的性能,实现在信息处理上的超高速化、超大容量化,实现基本结构的非冯,诺依曼体系;实现在处理能力上的扩大乃至非逻辑化;实现对处理对象的扩大直至知识工程化。     

SHARC引领第四代通用DSP高端应用潮流

<正> DSP的发展大致经历了5个阶段:雏形阶段;第一代真正意义的DSP;第二代DSP;第三代DSP;第四代DSP。在速度、性能、集成度和I/O吞吐率等方面,第四代DSP比前一代DSP又有跨越式的增强。SHARC支持高性能32位和40位扩展浮点运算以及32位定点运算,速度最快的SHARC处理器的内核时钟频率最高可达450 MHz,处理能力达到2 700 MFLOP(SHARC 2146x系列),而且片上外设也越来越丰富。它们正在为诸如工业控制、专业音响、汽车音频、医疗电子等对信号处理品质要求非常严格的高端应用提供核心动力,为人类生活创造更多精彩。     

明星片

世界上第一台电子计算机——电子数字积分和计算机ENIAC于1946年2月正式通过验收并投入运行,并一直服役到1955年。它共使用了18000多个电子管,1500个继电器,重达30吨,占地下70平方米,每小时耗电140kW,每秒钟能计算5000次加法。这50多年来,人们根据电子计算机所采用的物理器件的变化,把它的发展分成四个阶段:从1946年第一台计算机ENIAC研制成功到五十年代后期这一阶段一般称为第一代——电子管计算机时代,第二代——晶体管计算机时代(1955年-1965年),第三代——集成电路计算机时代(1965年-1975年),第四代——大规模集成电路计算机时代。     

谈谈钽电解电容器

常用的电解电容器是铝电解电容器,如CD110型(标准品)、CD11型(LF系列)、CD11C型(超小型)。这一类电解电容器的工作温度范围为—40～ 85℃(CD11O、CD11)或—20～85℃(CD11C型);电容量允差一般为—10％～ 50％;漏电流为5～20μA左右。如果要求工作温度范围更大,漏电流和等效串联电阻(ESR参看第8页文)更小,性能更稳定、可靠,可采用钽电解电容,其性能比铝电解电容好,尺寸也小,但价格稍贵。钽电解电容简介钽电解电容分成固体电解质钽电容及非固体电解质钽电容