占空比调频式低频正弦振荡器

本文介绍一种带有周期性通断形状的振荡器电路，它是由两级积分器和一个倒相器组成的新式反馈型振荡器。在每个积分器中都有一个开关与积分电容串联，改变形状脉冲频率可使输出正弦波频率在较宽的低频范围内成正比变化，频率覆盖范围可达１０＾６倍。这种方法具有一般性，可用于任何普通ＲＣ振荡器。     

粗调和细调相结合的标准CMOS低噪声环形压控振荡器

本文提出了一种基于65nm CMOS标准工艺、采用粗调和细调相结合的低噪声环形压控振荡器。论文分析了环形振荡器中的直接频率调制机理,并采用开关电容阵列来减小环形压控振荡器的增益从而抑制直接频率调制效应。开关电容采用电容密度较高的二维叠层MOM电容使该压控振荡器与标准的CMOS工艺兼容。所设计压控振荡器的频率范围为480MHz～1100MHz,调谐范围为78%,测试得到输出频率为495MHz时的相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz。该压控振荡器在1.2V的偏压下的功耗为3.84mW,相应的优值(FOM)为-169dBc/Hz。     

全通网络多相振荡器中多频率振荡的研究

本文分析了基于有源全通网络的多相正弦振荡器所特有的多频率振荡问题,得到了不同n值所对应的各振荡频率。给出了消除k>1振荡的方法和相位补偿电容(C1、C2)之间必须满足的关系,讨论了非理想运算放大器时的振荡频率,测试了三相和四相正弦振荡器,用PSPICE仿真了五相和六相正弦振荡器,实验和仿真结果与理论分析相符。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖３０ＭＨｚ的高频权电容编码压控振荡器为例，介绍了用权电容编码方法展宽普通ＬＣ压控振荡器频率覆盖的原理和技术，并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

一种低成本的RC环形振荡器

本文提出了一种能够在纯数字CMOS工艺中制造的振荡器。通过电荷守恒原理将内部节点的电压范围限制在0~VDD之间,使其可以采用低成本的N-阱电阻和MOS电容。测试结果表明,振荡器输出频率中心值为1MHz,与设计预期相符。     

一种基于开关电容的高精度低温度系数振荡器

在分析传统环形振荡器的基础上,提出了一种基于开关电容的高精度低温度系数环形振荡器。采用了带开关电容电路的频率负反馈架构,使得输出频率的精度与其温度系数仅取决于外部设定电阻与片上电容,通过合理选择外部设定电阻,即可实现高精度、低温漂的时钟输出。设计的高精度低温度系数的环形振荡器采用0.6 μm标准CMOS工艺设计。仿真结果显示,当输出频率为5 MHz时,输出频率误差≤1.74%,频率温度系数≤8.11×10-5/℃。     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

本文介绍了一种改进LC振荡器设计方法，谐振回路采用非对称电容结构，与常见的振荡器结构相比，经改进的电路结构可以获得更好的相位噪声。本文基于CMOS工艺，设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器，工作电压为2.5v。经仿真证明，通过调整非对称电容谐振回路中的电容值，可以获得最优的相位噪声     

采用固态电调振荡器的插入式微波治癌机

本文报导一种新近研制成功的插入式微波治癌机及其实验结果.着重介绍了用于微波治癌机的一种微波固态电调振荡器.该振荡器的频率稳定度和输出功率均满足要求,且实验结果与设计值符合得较好.     

高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO

采用Jazz0.18μm RF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566~4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。     

三级Colpitts微波混沌振荡器的仿真研究

提出一种具有3级结构的微波Colpitts混沌振荡器,这种新的结构通过增加共基极组态的三极管抑制了电路中三极管寄生电容的负面影响,以提高微波Colpitts混沌振荡器的基本振荡频率和频带宽度。借助Matlab和HSPICE软件对新结构的理想非线性动力学模型和电路进行了时域和频域分析。选用截止频率为9 GHz的三极管时,模型的电路仿真结果表明,新结构的基本振荡频率可达到4.9 GHz;信号的频谱分布更为均匀平坦,10 dB带宽可以达到4.9 GHz。     

Cobalt oxide nanosheet humidity sensor integrated with circuit on chip

The work studies a micro humidity sensor integrated with a seven-stage ring oscillator circuit-on-a-chip fabricated by the commercial 0.35 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process and a post-process. The structure of the humidity sensor consists of interdigitated electrodes and a sensing film. The sensing film is cobalt oxide nanosheet that is prepared by a precipitation-oxidation method. The sensor, which is a capacitive type, changes in capacitance when the sensing film adsorbs or desorbs water vapor. The ring oscillator circuit is employed to convert the capacitance of the sensor into the oscillation frequency output. The post-process of the sensor includes etching the sacrificial oxide layer and coating the sensing film on the interdigitated electrodes.     

Analytical study of the photo-effects on common-source and common-drain microwave oscillators using high pinch-off n-GaAs MESFETs

A new analytical study of the photo-effects on common-source and common-drain microwave oscillators using a high pinch-off n-GaAs MESFET has been presented in this paper. The gate-area of the MESFET with a transparent/semitransparent metal at Schottky junction is assumed to be illuminated with optical radiation. The changes in the gate-source and gate-drain capacitances by an induced photovoltage across the Schottky junction due to the incident illumination have been utilized to model analytically the photo-dependent output frequency characteristics of the microwave oscillators. It has been observed from the numerical results that the output frequency of the common-source oscillator is highly influenced by the gate-source capacitance whereas that of the common-drain oscillator is sensitive to the change in the gate-drain capacitance. Further, in both of the oscillators, the output frequencies are decreased with the increase in the intensity level of the incident optical illumination.     

基于orCAD／PSpice的晶体振荡电路设计仿真

通过对电容三点式振荡电路和石英晶体振荡器等效电路的计算分析,设计并改进了石英晶体振荡器电路。在OrCAD／PSpice环境中完成了电路的时域和频域仿真分析,对影响振荡电路起振特性的因素进行了探讨,进一步验证了PSpice电路仿真设计的合理性和可靠性。给出了发生电路的振荡、稳幅波形,测量了振荡周期和振荡频率,并与理论值做出比较。结果表明,设计的振荡电路波形好,振荡频率稳定,易于实现,可广泛应用于工程设计领域。     

一种应用于模拟卫星电视调谐器的单端晶体OSC

介绍了一种应用于模拟卫星电视调谐器的单端晶体OSC实现方法,本结构所有负载电容都集成在片内,片外只需连接晶体的单个管脚,片内所有电容都由MOS管栅电容实现,从而大大减小了芯片的面积,在0.18μm1P6MCMOS工艺下,整体版图面积只有0.023mm2.电路可实现外接晶体模式或外接激励模式自由切换,外接晶体时可在2-10M晶体下正常工作,振荡稳定产生轨到轨正弦波形,起振时间在1ms内,外接激励模式下可满足0.1～3.3V的正弦波输入.     

一种具有较大电容动态测量范围的接口电路

针对应用广泛的电容式传感器信号采集问题,提出了一种具有较大电容动态测量范围的高精度电容式传感器接口电路。该接口电路包括一个电容式有源电桥,以及用于将电容直接转换为频率的张弛振荡器,电路的频率输出用于确定微湿度传感器的响应特性。在基于薄膜的电容湿度传感器上进行了测试,实验结果表明,相比现有的类似电路设计,提出电路的结构更加简单且具有更大的电容测量范围和较高的精度,在1 p-600 p测量范围内的精度（误差百分比）<-2.14%,接口电路灵敏度为4.91 Hz/ppm,且输出频率与电容变化成线性关系。     

A low-power 2/5.8-GHz dual-wide-band CMOS LC-VCO with switched-inductor technique

A fully integrated dual-band LC voltage control oscillator, designed in a 0.18-µm CMOS technology for 5.8-GHz/2.0-GHz wireless communication applications, is described. The frequency band switching is accomplished with switched-inductor technique. The dual-band oscillator can be operated in 5.38–6.23?GHz and 1.78–2.07?GHz with 15% frequency tuning range. Two different inductors are used for the frequency band switching. Frequency tuning is implemented by varying the capacitance of a MOS varactor. The measured phase noise is ?109?dBc/Hz @ 1?MHz and ?112?dBc/Hz @ 1?MHz for frequency at 5.8?GHz and 2?GHz, respectively. This oscillator is fabricated in UMC's 0.18-µm one-poly-six-metal 1.8?V process. The power dissipation of this dual-band VCO is 11.7 and 9.3?mW for oscillation frequency of 2?GHz and 5.8?GHz, respectively.     

电感电容压控振荡器调谐曲线的时域分析

本文提出了一种基于周期计算技术的压控振荡器频率-电压调谐曲线的分析方法.在传统的谐波平衡近似方法中,通过大信号非线性分析方法可以计算出一个周期内可变电容的有效电容值.然而通过有效电容推导的调谐曲线并不准确,况且如果高阶谐波分量不可以忽略的话,谐波平衡近似分析方法将会变得很复杂.本文提出的周期计算方法所得到的振荡调谐曲线比传统谐波平衡近似分析方法更加精确.在0.35μm 2P4M CMOS工艺上实现的电感电容压控振荡器的实验测试证明了该理论分析的正确性.     

Design of a new low-phase-noise millimetre-wave quadrature voltage-controlled oscillator

This paper presents a new circuit topology of millimetre-wave quadrature voltage-controlled oscillator (QVCO) using an improved Colpitts oscillator without tail bias. By employing an extra capacitance between the drain and source terminations of the transistors and optimising circuit values, a low-power and low-phase-noise (PN) oscillator is designed. For generating the output signals with 90° phase difference, a self-injection coupling network between two identical cores is used. The proposed QVCO dissipates no extra dc power for coupling, since there is no dc-path to ground for the coupled transistors and no extra noise is added to circuit. The best figure-of-merit is ?188.5, the power consumption is 14.98–15.45 mW, in a standard 180-nm CMOS technology, for 58.2 GHz center frequency from 59.3 to 59.6 GHz. The PN is ?104.86 dBc/Hz at 1-MHz offset.     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的、作为内部时钟源的环形振荡器；RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。