Ku波段功率GaAs FET

<正> 最近,电子部第十三研究所研制了Ku波段功率GaAsFET,对于K波段雷达通讯、卫星通讯以及电子对抗等方面的应用具有较重要的意义, 获得GaAs功率器件在Ku波段方面的进展,是由于采取了一系列的先进的工艺和结构设计,其中包括亚微米微细加工技术,源区正面通孔电镀热沉结构等等。器件的性能由两种装配形式测量获得。芯片载体装配器件:在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益7dB。其水平相当于美国微波半导体公司的MSC88199,载体装器件(18GHz,G(?):5dB,P_o:25mW,1984年)。管壳密封器件在18GHz下,输出功率大于30mW,相应增益5dB。其水平相当于美国Gould微波公司DXL-3501A-P70,管壳密     

44GHz HEMT混合功率放大器

我们实验室研制的0.25μm栅长掺杂沟道PHEMT,在毫米波频率下已显示出优良的功率性能,44GHz下的输出功率密度和功率附加效率分别为0.93W/mm和41％,用这些器件已研制出两种Q波段混合功率放大器。二级放大器输出功率为108mW,相应功率增益为9.5dB,功率附加效率为26.5％;三级放大器输出功率达251mW,功率增益为13.6dB,功率附加效率为26.8％。当加上不同偏压时,三级放大器的峰值效率可达31.3％。这两种放大器的线性增益分别为12dB和20dB。这些结果清楚地表明这些器件能够用于毫米波发射器。     

GaAs微波双栅功率MESFET

本文报导了C和X波段GaAs微波双栅功率MESFET的研制情况和器件设计的主要原则、制作技术、器件性能以及使用情况。CX651型较好器件,f_0=12GHz,P_0=195mW,G_p=13.7dB,第二栅可控增益△G_P=34.4dB;DX591型较好器件,f_0=6GHz,P_0=310nN,G_P=7.1dB,第二栅可控增益△G_P=33dB。代表了目前我国双栅功率器件的最高水平。     

DX33型硅微波功率静电感应晶体管

<正> DX33型硅微波功率静电感应晶体管是一种1GHz下输出功率≥10W、增益5～19dB的微波功率器件。具有非饱和型的三极管特性如图1所示。器件在1GHz下其线性输出功率可达9W、线性增益可达8～12dB,最大输出功率12W。在0.8GHz下最大输出功率可达13～15W,功率增益5～11dB。器件漏极效率≥30％。 DX33型是由电子工业部第十三研究所在1982年新研制的产品,并于1982年12月通过了     

微波低噪声SiGe HBT的研制

利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景     

1WKu波段GaAs MESFET

采用新型通孔结构制作的微波功率GaAs FET,在12GHz,输出功率达1.2W,相应功率增益为6.6dB。在15GHz输出功率为1.1W,相应增益为5.5dB,漏极效率大于30％。     

60GHz三端功率器件

<正>美刊《IEEE EDL》1990年11月报道了60GHz三端器件的最新结果.为满足卫星间通讯的需要,目前发展了一种60GHz三端功率器件.该器件采用离子注入In_xGa_(1-x)As/GaAs MESFET结构.获得了在60GHz下100mW的输出功率,4.2dB的相关增益和15%的附加功率效率.在3dB相关增益时,饱和输出功率为121mW.材料的制造是用     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析，并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件，结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术，建立了SiC MESFET的微波测试系统，完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试，功率增益大于6dB，器件的fT为6.7GHz, fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

微波低噪声SiGe HBT的研制

利用3μm工艺条件制得SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景.     

密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET

本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。     

部级鉴定项目

<正>一、WC55型C-X波段中功率GaAs场效应晶体管系列C波段:输出功率0.5～1.5W,功率增益>3.5～4dB,4GHz下最高可输出2W;X波段:输出功率100～500mW,功率增益>4dB,9GHz下最高可输出800mW.该器件设计合理,结构紧凑,工艺上有一定特点,在8千兆赫以上,参数已达到了国内最高水平,其中性能较好的样管参数已与国外1979年同类产品相当.     

源区正面通孔电镀热沉结构的X、Ku波段功率GaAs MESFET

本文简述了采用源区正面通孔电渡热沉结构的三种器件(CX631、CX641、CX671)的设计要点和主要制作技术及性能。由于这种结构的FET的源区通过在极薄GaAs衬底上开凿的通孔和散热电极直接接地,使器件的源寄生电感和热阻大大下降,使得器件在X、Ku波段获得较高增益。CX631器件在12GHz下,P_0≥40mW,G_p≥10dB,较好器件P_0为58mW,G_p为11.6。CX641器件在18GHz下,P_0≥30mW、G_p≥5dB,载体装配器件G_p可达7dB。最好器件P_0可达50mW。CX671器件在12GHz下,P_0≥80mW,G_p≥9dB,最好器件输出功率可达140mW。     

K和Ka波段GaAs功率FET

为了改进K波段以上大功率FET的性能应用了深凹槽沟道结构。内匹配的器件已经展示了在18GHz下输出功率2W,功率附加效率16％,和在29.5GHz以下3dB的相关增益获得165mW的功率。     

12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管

报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。     

用于砷化镓功率MES FET器件的优质多层汽相外延材料的制备

本文介绍了近年来我们在氯化物汽相外延GaAs材料的新进展,其中包括提高均匀性的研究,采用脉冲掺杂进行变浓度有源层生长的研究,以及带有n~+层的外延材料用于功率GaAs MESFET器件的研究。所生长的优质多层GaAs VPE材料,用于MESFET功率器件获得良好的结果,在15GHz下输出功率≥1W,相关增益≥5dB;18GHz下,输出功率≥600mW,相关增益≥5dB。     

X波段双级单片功率放大器

本文利用比较符合实际的MESFET器件物理模型,采用集总元件匹配网络设计了单级和双级的x波段单片功率放大器。单级放大器中心频率为10.0GHz,带宽1.3GHz,线性输出功率126mW时,增益为5.2dB。双级放大器中心频率为9.4GHz,带宽0.8GHz,输出功率P_0≥1 00mW,增益G_p≥7dB,带内增益平坦度⊿G_p≤±0.5dB。较好的样品在9.6GHz下输出功率P_0≥250mW,G_p为9.4dB。     

高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.     

高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.