蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。     

适应高速数据带宽的半导体激光器:VCSEL

ＬＤ（激光二极管）的发光面是横向 的,发射角为± ５ｘ± １５的椭圆,而ＬＥＤ具有纵向发射和发射角± ４０的圆形。生产一种既有激光二极管的良好光发射特性,又兼有发光二极管的垂直发射和工艺简单的器件一直是激光器件的努力方向。垂直腔表面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）近年取得显著进展,开始应用到千兆位的光纤通道。以Ｆ介绍这种激光器件中的换代新成员。 二十年磨一剑 最早有关ＶＣＳＥＬ的报导见诸１９７９年,但一直处于研究实验室水平。随着数字通信的普及,光纤通道要求在１Ｇｂ／ｓ以上运行,而传统ＬＤ价格居高不下。在ＬＥＤ…     

InGaN／AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质，实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。     

基于DSA-ph的高效率超薄层蓝色有机电致发光器件

讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为：ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph（xnm）/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在（0.17,0.36）附近,属于蓝光发射。     

面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状

作为传统显示器强有力的竞争者之一,量子点发光二极管（QLED）在显示领域备受关注。然而,高性能蓝光QLED器件的发光材料中通常含有镉或铅,这两类重金属有毒元素对人体健康和生态环境不利,也阻碍了QLED器件的规模化商用进程。因此,高质量无镉无铅型蓝光量子点材料的研发成为推动新型显示产业发展的动力和业界迫切追求的目标。历经数十年发展,InP和ZnSe等无镉无铅量子点材料的蓝光发射性能已取得较大进步,随着合成策略及蓝光材料的进一步优化改进,环境友好型蓝光量子点发光二极管器件性能有望追上传统红、绿光量子点器件的步伐。本文分别从合成优化手段、表面包覆策略、核壳结构类型、发光性能参数等方面进行汇总,系统综述了当前无镉无铅型蓝光InP和ZnSe量子点材料的研究进展,指出了QLED蓝光材料未来的发展方向。     

9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴

采用Suzuki偶联反应制备了9位芘和长链烷氧基苯取代的三联芴ATF。热分析结果显示ATF具有良好的热稳定性,其热分解温度为430℃,玻璃化转变温度高达155℃。芘在芴9位的非共轭取代并没有改变共轭三联芴的高效率蓝光发射特点,但ATF的HOMO能级得以明显提高,这意味着空穴注入性能有明显的提高。ATF既可以采用真空蒸镀,又可以采用溶液旋涂的方法制备电致发光器件,旋涂器件（ITO/PEDOT：PSS（40nm）／ATF（100nm）／Ba／Al）的启动电压为7V,最大外量子效率为0．62。     

有机微腔蓝光发射二极管的研制

利用玻璃/DBR/ITO/NPB/NPB:二萘嵌苯/TAZ/Alq/Al器件结构,研制了有机微腔蓝光发射二极管.将激光染料二萘嵌苯掺于空穴传输材料NPB中作为发光层,Alq为电子传输层,为防止未参与复合的空穴到达金属电极,在NPB:二萘嵌苯和Alq之间引入一薄层TAZ,所研制的微腔器件的峰值位于456 nm,器件表现为较纯的蓝光发射,色坐标为x=0.165,y＝0.088.微腔器件的最大亮度为2 500 cd/m2,最大发光效率为0.23 cd/A.     

近红外激光二极管在气体传感中的应用

综述了近红外激光二极管在气体传感中的应用,讨论了用于这一技术的器件和实验技术。文中讨论了用分布反馈（ＤＦＢ）激光二极管、垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）以及其他单频器件作为光源的激光气体传感实验方法和相关结果,新型单频器件发展表明近红外激光二极管气体传人有广阔前景。     

红蓝光联合治疗与单纯蓝光治疗面部寻常型痤疮的疗效对比

目的：比较红光（630nm）和蓝光（415nm）联合治疗与单纯蓝光（415nm）治疗面部寻常型痤疮的临床疗效。方法：将61例面部寻常型痤疮患者随机分为红蓝光联合治疗组与单纯蓝光治疗组,分别进行8周治疗,于实验第2周、4周、6周、8周对疗效进行比较分析。结果：59例患者完成了实验,红蓝光联合治疗组对脓疱、结节/囊肿的疗效（皮损总数的减少率）较单纯蓝光治疗组好,而单纯蓝光治疗组对丘疹的疗效较好,所得结果均有统计学意义（P〈0.05）。8周治疗结束后,两组皮损总有效率无差异性（P〉0.05）。结论：红蓝光联合治疗及单纯蓝光治疗均对面部寻常型痤疮有一定的疗效,虽然二者总体疗效无差别,但对不同类型皮疹的疗效不同,且所得结果有统计学意义。     

聚合物电致发光器件的研究进展

聚合物电致发光器件（ＥＬＤ）因其具有许多无机及有机小分子ＥＬＤ所不具备的优点，成为电致发光领域研究的热点。通过掺杂或适当的分子设计可以调谐发光颜色。介绍和评述了聚合物电致发光原理、电致发光器件、电致发光材料的开发及应用前景。     

发射蓝光的光泵InGaN垂直腔面发射激光器

在１９９９年５月举行的激光电光学会议（巴尔的摩）的逾期论文中,日本东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员报导了室温下从光泵垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）二维列阵中获得蓝光发射（３９９ｎｍ波长）的成果。这种器件的列阵可望大大降低高密度光学存储器的读出时间。列阵中每一柱形氮化铟镓垂直腔面发射激光器的直径为１８μｍ,器件的间距为２２μｍ。这种激光器用氮激光抽运的３Ｈｚ重复频率染料激光器的３６７ｎｍ波长抽运,激光器的阈值抽运能量为１０ｍＪ／ｃｍ２或片载流子密度为２～４×１０１２ｃｍ２。该器件以多层结构形…     

半导体光电子器件的研究进展

文章综述ＣＬＥＯ’９４及ＩＱＥＣ’９４会议报道的有关光电子器件的发展状况，叙述了大功率ＬＤ、蓝绿光ＬＤ、垂直腔面发射半导体激光器、可调谐ＬＤ及ＯＥＩＣ的最新研究进展。     

场致发射显示器发展近况

介绍了一种新型平板显示器－场致发射显示器（ＦＥＤ），它与液晶显示器（ＬＣＤ）相比具有更薄、视角宽、响应速度快和功耗低等优点。ＦＥＤ已在美国的ＰｉｘＴｅｃｈ公司开始生产。     

蓝光LED的新进展和GaN蓝光激光二极管的诞生

本文综述了蓝光ＬＥＤ和激光二极管的新进展。氮化镓材料系作为未来短波半导体光源的优质日益明显，以ＧａＮ为基的超高亮度的蓝，绿光ＬＥＤ获得重大进展，以ＧａＮ为基的蓝光激光二极管也已诞生。本文着重了介绍了ＧａＮ蓝光器件衬底的种类和制备方法，对量子阱ＬＥＤ和新诞生的多量子阱ＩｎＧａＮ蓝光激光二极管的结构及特性也进行了重点介绍。     

实用小资料

实用小资料ＬｉｎｅａｒｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏｒｐ．（线性技术公司）集成电路命名方法１：器件型号前缀该公司产品自行开发产品ＬＴ、ＬＴＣ仿制其它公司产品其中：ＡＤ－仿ＡｎａｌｏｇＤｅｖｉｃｅｓ（模拟器件）公司ＬＦ－仿ＮａｔｉｏｎａｌＳｅｍｉｃｏｎｄｕ...     

发射波长为1.6μm的VCSEL适于批量生产

Bandwidth9的研究人员已开发出第一台单片集成电路长波长垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。这台单横模器件发射波长为１．６μｍ,完全能在一个适合于批量生产的简单外延生长过程中被生成。至今生产的长波长ＶＣＳＥＬ都是采用复杂的工艺来制作的,对大批量生产效益不高。Bandwidth9VCSEL由一个晶格匹配的底端分布式Bragg反射镜（ＤＢＲ）、一个InGaAs量子阱激活区和一个顶端变形的ＤＢＲ组成。变形材料允许高反射率和直接电流注入。电子和光学约束由选择性氧化物完成。一台９μｍ的器件常温下连续波的输出能量达到０．４５ｍＷ,连…     

蓝光OLED器件载流子复合区域的研究

制备了结构为ITO／NPB／BAlq／Alq/Mg：Ag的有机电致发光器件(OLED),研究了有机层厚度对器件载流子复合区域的影响。实验结果表明当改变各有机层厚度时,OLED器件的电致发光光谱将发生从绿光到蓝光的变化。经分析这是由于各有机层电场强度变化影响了空穴和电子的隧穿几率,从而导致载流子的复合区域发生改变而发射不同颜色的光。     

GaN基蓝光器件的研究进展

本文对近几年ＧａＮ基蓝光器件，包括ＧａＮ基发光二极管和激光二极管的发展历程进行了全面介绍和评价。指出ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ的研究开发技术将在１－２年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产，而ＧａＮ基蓝光ＬＤ也将在近二年内实用化。     

蓝光激光器光辉的未来

蓝光激光器光辉的未来最近，研制蓝光二极管激光器和蓝光发光二极管的突破预示着更高容量ＣＤ－ＲＯＭ光盘、更亮投影显示器和替代现今短寿命光源日子的到来。虽然今后３～４年时间还不能使蓝光激光器商业化，但研究人员确信，到本世纪末，蓝光激光器将取代较为低效的红光...     

白光LED的实现及荧光粉材料的选取

主要介绍了目前主流白光LED的封装方法,简述了各种方法的原理及优缺点。重点介绍了蓝光芯片与黄光荧光粉混合实现白光LED的机制。通过测试芯片发射谱、不同荧光粉材料的激发和发射谱,重点研究了蓝色芯片与黄色荧光粉材料的光谱匹配性,讨论了荧光粉材料的选取对器件的电学、光学性能的影响。