AZO靶材的制备与镀膜应用研究

以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析薄膜结构,研究靶材密度及孔径分...     

氧化锌铝(ZAO)靶材的制备及性能研究

采用冷等静压成型(CIP)、低真空烧结和热等静压(HIP)烧结技术制备ZAO靶材,采用排水法、SEM、XRD、光谱发射法(ICPOES)分析了2种烧结方法制备的ZAO靶材的密度、结晶状态和组织成分.结果表明,ZAO细粉经压力造粒后,CIP成型压坯相对密度可达75%以上,该压坯经低真空高温烧结,相对密度达到95%,而采用HIP低温烧结的靶材可达到98%以上,靶材结晶完整,组织成分均匀.     

磁性陶瓷靶材的制备及其应用研究

薄膜制备过程中溅射靶材的利用率很低,导致薄膜材料制备成本很高。以自制的高纯度纳米晶镍钴锌/二氧化硅复合铁氧体粉体为原料,冷等静压后高温烧结制备得到铁氧体复合靶材。用XRD、EPMA和SEM分析靶材的化学成分和微观形貌。结果表明：靶材为尖晶石型铁氧体和二氧化硅的复合材料,收缩率达14.37%,能在高真空多功能磁控溅射仪正常工作,并成功制备得到性能良好的软磁薄膜。整个制备过程工艺简单,操作方便可行,大大降低了靶材的制备成本。     

铝掺杂氧化锌(AZO)废弃靶材回收再利用的研究

将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收利用对靶材性能的影响。残靶粉末的加入对AZO靶材有轻微影响,测试结果显示烧结温度1450℃、保温5h、AZO残靶加入量为10%时有较好的性能:相对密度高达99.24%,吸水率和收缩率分别为17.96%和15.70%,电阻率为2.12×10-3Ω·cm。含有残靶的AZO靶材稍差的性能可能归结于AZO粉末和残靶粉末的兼容性。     

辉光放电质谱法检测AZO靶材中痕量元素及深度分布

利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素随深度的纵向分布,最后利用GDMS对预溅射完后的AZO靶材内部杂质元素进行质谱分析。利用XPS进行验证,两种方法测试得到的Zn和Al的含量相近。分析结果表明GDMS是分析AZO等半导体靶材的有效方法,该方法可以对靶材造成的污染进行预判,避免溅射过程中造成的污染。     

铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究

用化学共常常法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压工艺参数－保温温度、保压压力和保温时间对ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约１０００℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当处长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析     

绒面AZO干法制备及性能研究

利用射频溅射方法,制得AZO透明导电膜,并用离子束刻蚀制备绒面,得到绒面AZO透明导电膜。比较刻蚀前后光电性能及表面形貌,发现透过率稍有下降,在可见光波段透过率在80%以上;电阻率略有上升,但仍保持在10-3?·cm数量级,最低为2.91×10-3?·cm;刻蚀后薄膜表面形貌变化较大,大多数薄膜表面呈现"坑状"结构,横向尺寸在0.5?1.0μm,开口角在120°左右,表面粗糙度从7.29nm上升到36.64nm。薄膜具有较好的表面微结构,在作太阳能电池前电极方面有较好的应用前景。     

PTC—BaTiO3射频溅射用靶材的制备

研究了用于射频溅射ＰＴＣ－ＢａＴｉＯ３薄膜的厚大靶材制备工艺，所制成的靶材的室温电阻率为８００Ωｃｍ，ＰＴＣ效应〉１０＾５，平均粒径为１－３μｍ，讨论了配方ＴｉＯ２品种的选择，施受主添加剂的搭配与掺量以及烧成中的升温速率对于ＰＴＣ效应的影响。     

液位沉降法制备AZO薄膜及其光电性能研究

以二水乙酸锌为原料,乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂,乙醇胺为稳定剂,六水合氯化铝为掺杂剂,合成AZO前驱液,采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜,用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征,结果表明,应用液位沉降法制备AZO薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h,得到薄膜透光率为88％,方块电阻为536Ω／□。     

溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的研究进展

综述了采用溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的进展,阐述了影响AZO薄膜光电特性的主要工艺参数,分析了陈化时间、热处理工艺、铝掺杂量、催化剂种类及薄膜厚度因素等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,指出了溶胶-凝胶法制备AZO薄膜的优势与不足,展望了未来的研究方向.     

Ag层厚度对AZO/Ag/AZO透明导电薄膜性能的影响

在室温条件下,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上生长了AZO/Ag/AZO多层透明导电薄膜。主要研究了Ag层厚度对多层透明导电薄膜结构和性能的影响。研究表明,AZO和Ag分别延(002)面和(111)面高度择优生长,随着Ag层厚度的增加,多层透明导电薄膜的电阻率不断降低,透过率呈现先降低再增加最后再降低的变化趋势,其中Ag层厚度为8nm的样品获得最大品质因子33.1×10^-3Ω^-1,综合性能最佳。     

真空退火法对AZO薄膜的研究

磁控溅射法在玻璃衬底上制备了AZO(氧化锌掺铝)薄膜。对薄膜进行了真空退火。利用XRD、分光光度计以及四探针等测试装置,对AZO薄膜的晶粒度、透光率和导电性能进行了测试分析。结果表明,退火有利于薄膜结晶;退火有利于薄膜光电性能的提高。在本实验中,AZO薄膜的最高透光率可达90.617%;最低电阻率可达2.21×10-3(Ω.cm)。对比在真空中退火的ITO薄膜的光电性能参数,结果已有所超越。此结果说明,AZO薄膜有潜力成为透明导电膜ITO的替代产品。     

AZO薄膜制备工艺及其性能研究

综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。     

AZO与ITO薄膜电磁散射特性对比试验研究

基于非平衡磁控溅射技术在浮法玻璃表面沉积了系列掺铝氧化锌 (AZO) 和氧化铟锡 (ITO) 薄膜, 从电磁隐身角度出发, 确定了两种薄膜的电磁散射测试方法和分析方法, 并测试了10、15 GHz的HH、VV的极化雷达散射截面 (RCS) 曲线, 以试验数据为基础, 研究了方块电阻对两种薄膜电磁散射的影响特性。试验结果表明, AZO与ITO散射曲线具有相似性, AZO散射曲线震荡性更明显;两种薄膜RCS增益随着方块电阻的增大而变小, AZO和ITO的RCS增益曲线均震荡性降低;方块电阻合适时, 两种薄膜均可实现座舱玻璃隐身。     

射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了衬底温度及溅射工作压强对沉积薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果显示,随衬底温度增加,薄膜的结晶结构发生显著变化,而溅射工作气压增加主要影响沉积薄膜(103)面与(002)面的相对强度。薄膜的表面形貌受温度影响严重,而气压对形貌的影响相对较小。衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度都显著增加,而工作气压增加则导致电阻率先减小后增大。     

Preparation of Polycrystalline Singe-phase K0:3MoO3 by Hot Isostatic Pressing Sintering

Nearly single-phase and polycrystalline charge-density-wave compound K0.3MoO3 have been prepared by using a simple method. In this work, K2CO3 and MoOs were used as starting materials and reacted by hot isostatic pressing （HIP） sintering. The product is nearly single phase K0.3MoO3 determined by X-ray powder diffraction （XRD） and energy dispersive spectroscopy （EDS）. Measurement of temperature dependence of resistivity reveals that the transport property of polycrystalline K0.3MoO3 obviously differs from that of single crystal due to the grain boundaries and the anisotropic structure in this kind of compound.