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相似文献
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1.
以ZrO(NO3)2·2H2O、Ce(NO3)·6H2O和La2O3为原料,采用柠檬酸法制备了La2Ce2O7粉体,研究了pH值、乙二醇及柠檬酸用量、煅烧温度等工艺参数对La2Ce2O7粉体的影响。结果表明,采用该方法能够制备纯净的La2Ce2O7粉体,最佳实验条件是pH值为5,乙二醇、柠檬酸与金属离子的摩尔比分别是1.8和2,煅烧温度为400℃。  相似文献   

2.
溶胶-凝胶法制备La2O3纳米粉体   总被引:10,自引:0,他引:10  
以普通La2O3,硝酸,聚乙二醇为原料,利用溶胶-凝胶法制备了纳米La2O3粉体,利用TG-DTA,XRD,TEM等各种测试方法对干凝胶300℃灼烧所得前驱体粉末的分解过程及最终形成的纳米氧化镧粉体进行了分析和表征,并研究了浓度、搅拌和分散剂聚乙二醇(PEG)添加量等因素的改变对La2O3粉体的粒径、形态的影响.实验结果表明,在适当工艺参数下,可以制得平均粒径小于50 nm的La2O3粉体.  相似文献   

3.
等离子喷涂La2(Zr0.7Ce0.3)2O7热障涂层的抗热震性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用等离子喷涂制备了La2(Zr0.7Ce0.3)2O7(LZ7C3)热障涂层,并对涂层的微观组织、相结构、成分、相稳定性、涂层热导率以及抗热震性能进行了研究.结果表明,LZ7C3涂层由单相烧绿石结构物质组成,高温稳定性较好;涂层的热导率较块材下降约20%,这是由于涂层具有较高的孔隙率所致:涂层在不同温度范围的热震寿命和失效机制不同,在室温至约1000℃间的热震寿命为116 cyc,涂层失效方式以片状剥落为主:在室温至1100℃间的热震寿命为53 cyc,涂层失效方式为片状剥落和层状撕裂;在室温至1200℃间的热震寿命为3 cyc,涂层失效方式以层状撕裂为主.  相似文献   

4.
对在900、1000、1100、1200和1300℃下预腐蚀0.5 h的Gd2Zr2O7陶瓷进行了1250℃下3 h的CaO-MgO-Al2O3-SiO2(CMAS)热腐蚀实验,利用XRD、SEM以及EDS等手段表征了腐蚀产物和腐蚀深度。实验表明,在1100℃下预腐蚀0.5 h之后的Gd2Zr2O7抗CMAS性能有效提高。1250℃下CMAS腐蚀3 h后,腐蚀深度为39.46μm;CMAS腐蚀10 h后,腐蚀深度为70.49μm。高温下,预腐蚀后的Gd2Zr2O7时与熔融的CMAS相互反应,形成致密的富磷灰石相(Ca2Gd8(SiO4)6O2)上反应层,能够有效抑制CMAS的进一步渗透。  相似文献   

5.
以价格低廉的水玻璃代替TEOS(正硅酸乙酯)作为硅源,分别在丁二酸铵、柠檬酸三铵辅助下,通过离子交换-溶胶凝胶法合成Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。用DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征。结果表明:在丁二酸铵或柠檬酸三铵调节下,前驱体干凝胶煅烧到1100℃转变为高纯度的Sr2MgSi2O7相,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得细粉;激发光谱在250~450 nm之间都存在一个强度较高的激发带,以柠檬酸三铵辅助得到的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料发光性能较好,发射峰位于467 nm附近,余辉时间长。此外对溶胶凝胶的形成机理等进行讨论。  相似文献   

6.
溶胶-凝胶法制备α-Al_2O_3纳米粉体   总被引:2,自引:0,他引:2  
以工业氧化铝溶胶为原料,通过溶胶-凝胶法制备了-αA l2O3纳米粉体。研究了解胶条件、晶种加入量、矿化剂种类及加入量、煅烧温度及保温时间对产物的影响。结果表明:溶胶解胶后的粒度越小,产物的粒度越小,得到产物所需的煅烧温度越低;晶种和矿化剂的引入,可以促进过渡型氧化铝向-αA l2O3的转化,降低相转变温度;煅烧温度对α-A l2O3的生成影响比较大,在温度恒定时,延长保温时间对产物物相的影响不大。溶胶-凝胶法制备-αA l2O3纳米粉体的最佳条件是分散剂三乙醇胺用量为1%(质量分数),晶种加入量为5%,NH4NO3加入量为5%,煅烧温度为1000℃,保温时间为2 h。所得-αA l2O3纳米粉体外观呈球形,粒度分布均匀,粒径在50 nm左右。  相似文献   

7.
采用溶胶-凝胶(Sol-gel)并结合热处理工艺制备氧化镍粉体,考察烧结条件对NiO粉体组成、结构和形貌的影响,并对其电化学性能进行研究.结果表明:以醋酸镍为镍源,PAA为整合剂合成了均匀稳定的溶胶;在热处理过程中,干凝胶前驱体在450℃基本分解完全并逐渐形成纳米晶NiO粉体;在粉体热处理过程中随着温度的升高,凝胶中的有机物去除更加完全,NiO晶型趋于完整,晶粒逐渐增大;在600℃烧结获得的晶型完整、颗粒分布均匀,同时也表现出了良好的充放电稳定性.  相似文献   

8.
溶胶-凝胶法制备Eu掺杂Sr2 MgSi2O7光致发光性能   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备稀土离子Eu掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计(PL)对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试。XRD测试结果表明,在较低的处理温度下可获得Sr2MgSi2O7,但样品中也存在其它的杂质相。荧光光谱测试结果表明,经空气中处理的Eu3+在395 nm光激发下产生590 nm、610 nm的发射峰,通过氢气还原处理后得到的Eu2+离子的发光从250到400 nm的紫外区可以激发峰值为460 nm左右的宽谱带,且随氢气还原温度的升高和Eu离子掺杂浓度的提高发光强度也增强。  相似文献   

9.
运用共沉淀法制备Sm2Zr2O7原料粉末,利用放电等离子烧结技术(SPS)制备锆酸钐质量分数分别为25%、50%、75%的Sm2Zr2O7-ZrB2/SiC复合材料,对材料进行相成分、微观形貌、力学性能测试表征。结果表明,采用SPS在1600℃下可制备出高致密度的Sm2Zr2O7-ZrB2/SiC三相复合材料。随着复合材料中Sm2Zr2O7含量的增加力学性能显著降低,主要是Sm2Zr2O7材料本身的力学性能较低,且烧结过程中易形成连续相以及烧结应力共同作用的结果。  相似文献   

10.
首次以价格低廉的水玻璃(Na2SiO3)为硅源,通过离子交换,采用水热辅助溶胶凝胶法合成Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。通过DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征,结果表明:前驱体干凝胶煅烧到1065℃后开始有Sr2MgSi2O7相形成,到1150℃完全转变成高纯相Sr2MgSi2O7,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得超细粉。它的激发光谱在250~450nm之间存在一个强度较高的激发带,发射峰位于468nm,余辉为天蓝色,余辉时间超12h。此外,本研究还对溶胶凝胶的形成机理等进行了讨论。  相似文献   

11.
Free-standing La2Zr2O7 coatings were obtained by plasma spraying, using an amorphous La-O-Zr precursor as the feedstock. The La-O-Zr precursor powder was prepared by coprecipitation. During thermal spraying, the formation of coatings can be regarded as a joint process of melting-solidification, thermal decomposition, and crystallization. The time required for crystal growth was significantly shortened during spraying. Consequently, the average grain size of coatings was approximately 200 nm, with a narrow distribution (100-500 nm). Coatings prepared by this method show better thermophysical properties than those prepared with crystalline La2Zr2O7 powder as the feedstock. The thermal conductivity of the as-sprayed coating was approximately 0.36-0.47 W/m K and the average coefficient of thermal expansion (CTE) is 11.1 × 10?6/K.  相似文献   

12.
用Y、Ba、Cu的三氟乙酸盐溶液,通过MOD法在SrTiO3(100)衬底上成功地制得了黑色的、表面光滑的YBCO超导薄膜。研究了两种理想的成膜烧结工艺,对膜进行了物相研究。结果表明:在850℃,潮湿氧气氛中烧结的薄膜具有一定的择优取向;而在750℃,潮湿的低氧气氛中烧结的薄膜则具有高度的c轴织构,前者的Tc(onse)≈90K,Tc0≈79K,较低的氧分压似乎有利于c轴结构。  相似文献   

13.
Al2O3-ZrO2复合纳米超微粉的制备及其特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
以高纯铝屑和氯氧化锆为主要原料 ,用化学共沉淀—凝胶工艺分别制备出平均粒径约10nm的纯ZrO2 、Al2 O3 50ZrO2 、Al2 O3 2 0ZrO2 三种纳米超微粉 ,其中ZrO2 基本以t相结构存在。在不同温度煅烧后 ,纯ZrO2 粉粒迅速长大而转变为单斜相 ,Al2 O3 ZrO2 复合粉粒长大困难 ,并使ZrO2 仍主要以四方相存在 ,Al2 O3以非晶态存在。表明ZrO2 纳米粉粒以四方相在室温下稳定存在的原因是尺寸效应造成的。  相似文献   

14.
用固相反应法制备了(1-x)La2/3Ca1/3MnO3/xcr2O3(x为摩尔分数)复合样品,实验研究了在外加0~3T的磁场下,Cr203含量对该复合样品的电输运性质及磁电阻的影响。结果发现随着Cr2O3含量的增加,金属.绝缘体(M-I)转变温度耳急剧降低,并且当Cr2O3,含量x〉0.1时此转变消失。与此同时,电阻率随其含量增加而快速增大,特别的是在样品中观察到了较宽温度范围内显著增强了的磁电阻。这种结果的出现可能与Cr2O3有关的新相偏析在La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)晶界和颗粒界面有关。  相似文献   

15.
对采用化学溶液沉积技术动态热处理制备La2Zr2O7(LZO)缓冲层进行了研究.结果显示,制备长样品时,侧向进气更有利于驱散热解气体,降低样品织构的不均匀性.当侧向进气方向与样品表面法线方向夹角较小时,更有利于提高LZO缓冲层的织构特性.LZO缓冲层的织构和表面形貌受样品移动速度影响的主要原因是样品移动速度的变化直接改变了样品的热处理时间.优化动态热处理过程后制备出的LZO缓冲层表面致密,LZO缓冲层具有锐利的立方织构,织构锐利度与金属基带织构相当.  相似文献   

16.
The GalnAsSb quaternary alloys for 2~4 μm long wavelength optoelectronics have been prepared byMOCVD.The growth of buffer layers and the employment of GaSb/GaAs and GaSb/GaSb hybridsubstrates are mentioned,which effectively improve the properties of GalnAsSb epilayers.In order to controlthe epitaxial growth of GaSb and GalnAsSb,emphasis is given on the deposition rates,growth temperaturesand the relationship between growth conditions and the distribution coefficients of In and Sb.The experimen-tal solid compositions in this work are predicted by the thermodynamic calculations.Whether the growth ofGalnAsSb epilayers is controlled by chemical reactions or by mass diffusions depends on growth temperatures.This argument is verified by kinetic considerations.The FWHMs of the DCXD (double crystal X-raydiffraction)spectra of GalnAsSb epilayers grown on GaSb/GaSb and GaSb/GaAs hybrid substrates areabout 200~300 arcsec and 800 arcsec respectively.The unintentionally doped GalnAsSb epilayers have themobilities of μp=100~240 cm~2/V·s at 300 K.The corresponding wavelength ofMOCVD GaInAsSb alloysis calculated from EPMA(electronic probe microanalysis)data and determined by FTIR(Fourier transformedinfrared spectroscopy)measurement.  相似文献   

17.
采用机械活化+热爆法制备AB2型Laves相Mg(Cu1-xAlx)2(0≤x≤0.35),并对热爆产物进行XRD、EPMA、SEM和DSC分析。结果表明:MgCu2中的部分Cu被Al替代,晶体结构并不发生改变,主相是MgCu2型λ1相。随Al替代量的增加,λ1相的点阵常数逐渐增大,整个XRD衍射峰向低角偏移增大,致密度逐渐提高,晶粒尺寸减小,点阵畸变增大。随Al替代量的增加,λ1相的熔点先升后降,当化学计量比为Mg2Cu3Al(x=0.25)时,熔点达最高,约为910℃,比MgCu2的熔点(约797℃)高113℃,说明用轻质、抗氧化性能高的Al元素进行合金化,能够使C15结构的AB2型Laves相的热稳定性提高,其中Mg2Cu3Al是更具开发潜力的化合物。  相似文献   

18.
介绍了NaZn13型La(FexSi1-x)13系磁制冷材料的制备、合金化、磁热效应及其在磁制冷机中的应用情况,并分析了限制该材料在磁制冷机中应用的主要因素。  相似文献   

19.
采用溶胶凝胶法和二次还原工艺成功制备了Al2O3/Mo超细粉末,利用XRD、SEM对还原后不同柠檬酸添加量的粉末相的结构、形貌、粒度进行了分析,并结合实验结果,阐述了柠檬酸在粉体制备过程中的作用机理。结果表明,在溶液pH2,柠檬酸与钼酸铵质量比为1.5时,所得粉体质量较好。  相似文献   

20.
利用非自耗真空电弧熔炼技术,制得了Zr系吸氢合金ZrVxFe(2-x)合金,其中x=0.2、0.3、0.4、0.5。采用SEM、EDS并结合XRD分析了合金的显微组织。结果表明,合金主要由ZrFe2(V)和ZrV2(Fe)两相组成,在熔炼过程中,Zr首先析出,随后ZrFe2(V)和ZrV2(Fe)开始形核并析出;随着合金成分中V含量的增加,ZrFe2(V)相的含量减少,ZrV2(Fe)相的含量增加。  相似文献   

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