多晶La0.85Na0.17MnOz晶界间自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnOz多晶样品的电磁性质,发现弱连接的样品和致密连接的样品在居里温度以下的输运性质显著不同,弱连接的样品从居里温度到77 K在低场下具有较大的磁电阻,而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零.结合低温下的电阻率与外磁场的关系,可以得出,晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用.     

高压下CaB4晶体的电输运特性研究

利用原位高压电学性质测量实验技术,对处于亚稳态的CaB4在高压下的电输运行为进行了系统的研究.高压下的原位电阻率测量结果表明,在0～30GPa范围内,电阻率随压力的增加而减小,但并没有发生突变,即样品没有发生电输运性质的突变,表明CaB4在30GPa的压力范围内具有高度的结构稳定性.对样品进行的变温电阻率测量中发现,在1OOK-400K范围内,样品的电阻率始终是随温度的升高而升高,表现明显的金属导电特性.     

高压下CaB_4晶体的电输运特性研究

利用原位高压电学性质测量实验技术,对处于亚稳态的CaB4在高压下的电输运行为进行了系统的研究。高压下的原位电阻率测量结果表明,在0～30GPa范围内,电阻率随压力的增加而减小,但并没有发生突变,即样品没有发生电输运性质的突变,表明CaB4在30GPa的压力范围内具有高度的结构稳定性。对样品进行的变温电阻率测量中发现,在100K-400K范围内,样品的电阻率始终是随温度的升高而升高,表现明显的金属导电特性。     

多晶La0.85Na0.17MnO2晶界问题自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnO2多晶样品的电磁性质。发现弱连接的样品和致密 连接的样品在民里温度以下的输运性质显著不同，弱连接的样品从居里温度到77K在低场下具有较大的磁电阻，而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零，结合低温下的电阻率与外磁场的关系，可以得出，晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用。     

Nd掺杂对δ-MoN电子结构和输运性质的影响

为了探讨稀土掺杂对材料导电性影响的机理,采用密度泛函理论并结合非平衡格林函数方法,从理论角度研究了Nd掺杂δ-MoN的电子结构与输运性质,分别讨论了Nd取代Wyckoff坐标系中2a位置和6c位置的Mo原子时对δ-MoN导电性的影响.计算并分析了Nd掺杂δ-MoN的能带结构、态密度和伏安特性曲线.电子结构的计算结果表明,Nd掺杂使δ-MoN在费米能级附近的态密度增大,导致费米面电子出现的几率增加;伏安特性曲线显示Nd掺杂体系的电流大于未掺杂体系,说明Nd掺杂增强了δ-MoN的导电性,其中当Nd取代6c位置的Mo原子时δ-MoN的导电性增强较大.     

交流电频率范围变化对电化学合成的聚吡咯薄膜电致变色性能的影响

采用电化学阻抗谱法,以吡咯和对甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid, p-TSA)为原料配制反应溶液,以掺氟SnO₂透明导电玻璃为基底,简单而有效地一步合成聚吡咯(polypyrrole, PPy)薄膜。研究了电化学合成中交流电频率范围的变化对所制备的聚吡咯薄膜的结构和电致变色性能的影响。结果表明,在初始电位0.7 V,施加±100 mV正弦波的基础上,交流电频率范围的变化改变了PPy薄膜颗粒的分布形态,频率范围变化越宽,薄膜颗粒越小,尺度接近于纳米级。当交流电频率范围在10^-1～10³Hz时,制备的PPy薄膜的电致变色性能最佳,其800 nm光波处的光调制幅度达到65.4%,该薄膜还具有较快的电致变色响应,着色和褪色开关时间分别为5 s和6.5 s,且其着色效率达到137.4 cm²·C^-1, 100次电致变色循环后的光调制幅度保留率可达65.7%。     

甲烷在稀有气体中输运性质的理论研究

本文利用 Tang-Toennies 势模型计算了理论上难以处理的甲烷与稀有气体原子间的相互作用势.其中部分色散分数用 pade 似和组合规则来确定,Born-Mayer参数利用已知的色散系数和势阱位置来确定。在此基础上,我们计算了甲烷在稀有气体中的输运性质。最后分析了气体的不同输运性质与原子分子相互作用势的不同部分的关系。     

LiMn_2O_4粉体及薄膜电极动力学性质的研究

采用溶胶-凝胶法制备了锂离子电池正极材料尖晶石型Li Mn2O4粉体及薄膜.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)等表征方法对所得产品进行物性分析,通过循环伏安(CV)和电化学交流阻抗谱(EIS)等电化学表征手段考察了两种电极的动力学过程,并得到相应的动力学参数.测试结果表明,Li Mn2O4材料的结晶度、粒度和电极的厚度、比表面积、碳材料导电剂的添加等因素影响了电极过程动力学性质,从而导致其电化学性能的差异.     

高压下材料的电导率研究

阐述了在高压下研究材料电导率随压力变化情况的分析方法.以半导体CuS为例,用阻抗谱法分析了其微观电传导机制.研究表明,电导率对频率具有很强的依赖性.材料的电导率随压力的变化而发生变化.     

纳米硫化镉的原位高压阻抗谱研究

利用在金刚石对顶砧上集成微电路,在0～25 GPa内原位测量了平均尺寸为100 nm的硫化镉的阻抗谱.研究表明:阻抗谱在压力下的改变对应着纤锌矿到岩盐矿的相变;在高压力作用下,晶界的散射作用变弱并导致晶界电阻下降.     

~3H_e和~4H_e及其混合气体输运性质的理论研究

本文应用TT势计算了~3He和~4He气温体在0.1K—3273K温度范围内的粘滞系数和热传导系数,以及~3He和~4He气体等摩尔二元混合在0.1—373K内的输运性质,计算结果与Kestin等人的数据符合得很好。计算中用了经典和量子力学两种输运截面公式,T=373K时两种计算得出的输运系数,其相对偏差在0.7％左右,随温度降低偏差逐渐增大。     

高压下立方形AgMgF3钙钛矿的力学、热力学和电子性质研究

采用密度泛函理论的超软赝势平面波方法,系统地研究了高压下AgMgF₃晶体的结构、力学、热力学和电子性质.研究表明,零温零压下AgMgF₃晶体的晶格常数、体弹模量均与文献值符合很好;不同压强下AgMgF₃晶体均表现出了良好的延展性,并随压强的增大而增大.根据立方形晶体力学稳定条件,预测出了立方形的AgMgF₃的相变点约为54.36 GPa.通过分析不同压强下立方形的AgMgF₃晶体的各项异性特性,发现其各项异性程度随着压强的增大而增大.利用准谐近似德拜模型,研究了AgMgF₃晶体热力学性质,包括体积、热容、热膨胀系数α、相对德拜温度与温度和压强的关系.同时,研究了不同压强下AgMgF₃晶体的电子态密度和能带结构,研究表明,AgMgF₃均保持为间接带隙半导体化合物,且带隙值整体呈现增大的趋势.相关研究为AgMgF₃晶体的进一步的实验及应用研究提供一定的理论指导.     

三端耦合多量子点体系的电输运

设计一个三端耦合多量子点体系的模型.利用非平衡格林函数的运动方程与Dyson方程,计算出通过体系的电流表达式.对体系的电输运性质进行研究,发现一些有趣的结论:当边耦合奇数个量子点时,随着量子点数目的增加,单量子点能级处对应的共振峰逐渐发生劈裂;当边耦合偶数个量子点时,单量子点能级处总能出现一个完全共振峰.     

底电极对BiFeO3薄膜电性质的影响

用溶胶-凝胶方法在LaNiO3,ITO和Pt底电极上制备了BiFeO3(BFO)薄膜.薄膜的退火温度为550℃.对不同底电极上的BFO薄膜的结构、形貌、铁电性、介电性和漏电流特性进行了研究.XRD研究表明不同底电极上的BFO薄膜呈不同的取向.所有的薄膜都没有观察到不纯相.剖面扫描电镜研究表明薄膜的厚度为350nm.铁电性测试表明在128kV/cm的测试电场下LaNiO3底电极上的薄膜的剩余极化强度最大,为3.31μC/cm2.而ITO和Pt底电极上的BFO薄膜的剩余极化强度分别为2.07μC/cm2与2.76μC/cm2.此外,漏电流的研究表明在ITO底电极上的BFO薄膜的漏电流最小.     

ZnS和MgS的高压相变和弹性性质

为了进一步研究ZnS和MgS晶体在高压下的B1和B3结构的晶体结构和弹性性质,利用第一性原理平面波赝势密度泛函理论并通过GGA近似,计算得到了高压下ZnS和MgS晶体B3到B1结构相变的相变压强和高压下的弹性系数（C11,C12,C44,B）,结果发现两者相变压强是11.87和0.78GPa,两者在不同结构的弹性系数（C11,C12,C44）与压强变化具有相同的趋势：C11>C12>C44;同时计算得到了两种物质在基态的结构常数,并将其与其他实验和理论计算的结果对比,发现符合得甚好.     

杀虫剂对Q235钢微生物腐蚀影响的研究

利用微生物分析、交流阻抗测试技术,扫描电镜等方法,研究了在不同吡虫啉浓度下的同一类型土壤中硫酸盐还原菌（SRB）对Q235钢腐蚀的影响。结果表明：随着吡虫啉浓度的增加,SRB的数量逐渐减少,说明吡虫啉的加入对SRB的生长有抑制作用,可降低对Q235钢的腐蚀速率.     

晶界损伤对裂尖应力场的影响分析

以奥氏体钢低应力脆断微观组织特征为基础,提出了晶界损伤的分析模型;采用有限元方法分析了裂尖邻域里微观组织晶界上杂质、孔洞对宏观裂纹裂尖应力集中情况的影响;建立了晶界损伤对裂尖应力集中系数影响的等势图,分析结果与实验观测结果基本一致.     

晶界损伤对裂尖应力场的影响分析

以奥氏体钢低应力脆断微观组织特征为基础,提出了晶界损伤的分析模型;采用有限元方法分析了裂尖邻域里微观组织晶界上杂质、孔洞对宏观裂纹裂尖应力集中情况的影响;建立了晶界损伤对裂尖应力集中系数影响的等势图,分析结果与实验观测结果基本一致．     

TiS2的电输运性质及其压力效应

利用第一性原理计算和高压原位霍尔效应测量技术,研究了TiS2的基态电子结构和高压下的电输运性质。研究结构表明：TiS2展现半金属特性;TiS2的电输运特性在15 GPa前后发生突变。TiS2的电输运行为的压力效应与其杂质能级压致离化后的传导有关。     

钛酸锶钡陶瓷的结构及介电规律研究

采用冷压陶瓷技术制备了(Ba1-xSrx)TiO3(x=0.15,0.20,0.25,0.30,0.35)陶瓷.研究了烧结温度的提高对陶瓷结构及介电规律的影响.研究表明:30℃烧结温度的提高使该系列陶瓷能在x=0.35后从四方相进入立方相.介电峰移动率为-3.2℃/%Sr.x=0.35样品的介电峰发生在室温附近,室温介电常数在8 000左右,室温介电损耗降至0.04以下,适合于高介电材料的应用.