载带自动键合（TAB）引线技术

介绍了ＴＡＢ工艺，包括历史演变，基本的引线键合结构，载带及其制作，缓冲触突与势垒金属层的么及内引线和外引线键合。     

起步中的载带自动键合技术(TAB)

<正> 载带自动键合(TAB)是一种封装技术,该技术使用了一种覆有金属引线框架的聚酰亚胺带。裸露的芯片被键合到内引线框架上,而键合好的引线框架/管芯或是被单个地置于载体上或是被送到卷带上的定位/键合装置上。图1是一个装在典型的内引线框架上的单个载带自动键合的示意图。 TAB、带式封装、微封装和PILL封装的引线均不穿过电镀通孔(PTH),这一点与SMT相似。不同的是,SMT的典型间距在0.020～0.050in之间,而载带引线则在0.008～0.020in之间,属于精细间距技术(FPT)。     

键合线弧高度对键合拉力的影响分析

在集成电路封装的质量控制中,键合拉力的地位非常重要。作为键合质量好坏的主要判定基准之一,影响键合拉力的因素有很多,包括键合工艺参数、焊线材料类型、拉力测试吊钩的测试位置、焊线线径以及线弧的长度和高度等。主要讨论在键合线弧投影长度不变的情况下,线弧高度的变化对键合拉力产生的影响。通过对不同线弧高度条件下测得的拉力数据进行整理分析,结果表明:键合线弧越高,拉力就越大;反之,拉力则越小。这为集成电路组装的正常量产过程中,工程技术人员对于键合线弧整体高度的合理有效控制及键合拉力规范的合理定义提供了参考依据。     

高级IC封装中新兴的细铜丝键合工艺

在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时,近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此,业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料,进而带来了一些新工艺的研究。结果证实,铜金属化使电路的线条更细、密度晚高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝,进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。本文要阐述了铜丝键合工艺在IC封装中的发展现状及未来发展方向。     

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。     

TAB OLB工艺在LCM制造中的应用

本文介绍了TAB器件及其制造工艺，通过讲述ACF特性，细致地阐述了TABOLB的工艺原理及参数设定方法，并对工艺中容易出现的不良现象进行了分析。     

铜键合线的发展与面临的挑战

介绍了当今微电子封装中重点关注的铜键合引线,指出了铜键合线的优缺点.铜线键合是一种代替金和铝键合的键合技术,人们关注它不仅因为它的价格成本优势,更由于铜线特有的机械和电学等方面的优良性能,当然,铜线键合技术还存在不少问题和挑战,针对这些存在的问题,进行了简要的介绍并提出相应的解决办法.     

引线带键合技术在混合集成电路中的应用

在混合集成电路的引线带键合中,由于与圆形键合丝在键合引线形状上的不同,导致其键合方式和键合参数有所不同。本文以金带键合为例,就混合集成电路中金带键合点的失效模式、键合引线的评价等问题进行了讨论,通过采用正交试验法对键合参数进行优化试验,提高键合的可靠性,达到引线带在混合集成电路中实际应用的要求。     

引线带楔焊键合技术

引线带楔焊键合和引线(圆形)楔焊键合是不同的。对于高频器件应用来说,引线带键合较之于圆形引线键合更为有利。为了让更多的人了解该项技术,文章对部分相关技术,其中包括键合工艺过程、键合引线的断丝方式、键合引线带规格以及键合劈刀的选择作了介绍。     

自动楔焊键合第一键合点跟部损伤控制

在自动楔焊键合中,要提高键合引线的抗拉强度,最重要的一点就是要减小第一键合点跟部的损伤。文章简述了自动楔焊键合的工艺过程,分析了在自动楔焊过程中造成第一键合点跟部损伤的主要原因：劈刀本身结构会对键合引线造成一定的摩擦损伤,劈刀在键合第一点后垂直上升所产生的应力会对第一键合点根部造成损伤,键合引线在拉弧过程中也会造成键合引线摩擦受损,送线系统的张力也会对第一键合点根部造成一定的损伤。文中还讨论了如何尽量减小摩擦和应力对第一键合点跟部所造成的损伤。     

等离子清洗技术在键合工艺中的应用

本文介绍了等离子清洗工艺所依据的原理和技术，通过对瓣膜混合集成电路的实验说明了它应用于键合工艺前的必要性和实用性，指出等离子清洗工艺是提高产品可靠性的一种有效手段。