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侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe HBT超自对准结构模拟的报道.文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGe HBT超自对准器件的优化结构.利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究.结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大. 相似文献
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本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果. 相似文献
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本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAsHBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备,AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究,并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果。 相似文献
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This paper presents design and implementation of a dual-band LNA using a 0.35μm SiGe HBT process for 0.9 GHz GSM and 2.4 GHz WLAN applications.PCB layout parasitic effects have a vital effect on circuit performance and are accounted for using electro-magnetic(EM) simulation.Design considerations of noise decoupling, input/output impedance matching,and current reuse are described in detail.At 0.9/2.4 GHz,gain and noise figure are 13/16 dB and 4.2/3.9 dB,respectively.Both S11 and S22 are below -10 dB.Power dissipation is 40 mW at 3.5 V supply. 相似文献
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为了改善高压功率SiGe HBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGe HBT器件.相对于双台面结构的SiGe HBT而言,该结构的SiGe HBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%.经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求. 相似文献
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在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。 相似文献
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<正>石墨烯自问世以来,因其优异的性能已在电子领域取得了显著的成果,成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的应用进程。南京电子器件研究所在柔性衬底PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)上成功制备了高性能的石墨烯FET器件。该器件可在外力作用下发生较大幅度的形变[见图1(a)左上角]。在0.5 V漏压下,源漏间电阻为1800Ω·μm,电流密度为0.3 A/mm。小信号特性测结果显示,器件具有优良的频率性能。图1(b)为以OPEN-SHORT法除去PAD寄生电阻、电容后的频率性能,最大电流增益截止频率f_T和最大功率增益截止频率f_(max)分别达到41.4 GHz和17.7 GHz。 相似文献
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针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50~58mA,VCO振荡频率为3.2~6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11~14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。 相似文献
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微反射镜和光纤自对准V型槽的制作 总被引:1,自引:1,他引:1
用纯KOH水溶液和KOH +IPA混合水溶液在 ( 1 0 0 )硅片上沿 <1 0 0 >方向上腐蚀所暴露的平面是不同的。纯KOH水溶液中总是能暴露与衬底垂直的 {1 0 0 }面 ,在KOH +IPA溶液中 ,随着KOH的浓度不同将暴露 {1 1 0 }和 {1 0 0 }面。使用KOH浓度为 50 %的KOH +IPA溶液 ,在 ( 1 0 0 )硅片上一次掩模制作微反射镜和光纤自对准V型槽 ,微镜的表面粗糙度低于 1 0nm。 相似文献
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研制了高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅.此外,还讨论了寄生效应对器件fT的影响.测试结果表明,器件的栅漏电为3.8 μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,fT达到236 GHz.延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果. 相似文献