半导体SiC材料的外延生长

ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。本文简要介绍ＳｉＣ半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制。     

砷化镓单晶的等效微重力生长

论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法,并讨论了主要结果。     

微重力下的材料制备研究

简略地回顾了在微重力条件下制备材料的历史,介绍了在微重力下进行半导体晶体生长、新型金属材料及金属/陶瓷复合材料合成等方面的一些工作,并就各领域的发展现状和前景做了评述。     

半导体敏感元件材料

随着科学技术的发展,电子技术和自动化技术正迅速地应用到各个领域中去。例如自动检测,自动控制,自动跟踪,遥测遥控等,直至人工智能装置。如果被检测或被控制的量不是电信号,那么把各种各样的物理量变成电信号来测量的元件,就是所谓敏感元件。在仪器仪表中所使用的这样的敏感元件是多种多样的。而半导体在光、电、热、磁等因素作用下会产生光电、热电、雷尔、磁阻、压电、场和隧道等效应,利用这些效应可以制做各种具有独特性能的敏感元件。由于这些半导体元件具有灵敏度高、重量轻、响应快、工作电压低等特点而受到人们重视,特别是随着对半导体材料性质的深入了解和半导体元件技术的迅速发     

新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

半导体封装材料

从封装技术看,双列直插式封装(DIP)最经济、可靠性也高。但随着高集成度的半导体集成电路(IC)及高速逻辑元件的实用化的发展,由于封装性及基板面积等实装上的要求,取代DIP的新封装技术已逐渐被开发出来。封装方式有:用金属及新陶瓷的气密封装和用树脂的非气密封装。但现在的半导体IC的封装,树脂密封约达到90％,而气密封装则只局限于要求具有较高信赖性的军用、宇宙开发用IC等。     

微重力条件下单晶合金的凝固生长

单晶合金由于没有晶界缺陷而具有特殊的理化性能,如镍基单晶高温合金是先进航空航天发动机和燃气涡轮发动机关键材料,具有优异的高温使役性能。单晶合金的特色结构决定了它只能通过凝固的方式获得,因而凝固过程对单晶合金的组织结构、成分分布乃至理化性能具有难以磨灭的影响。如以枝晶结构为主要特征的单晶合金中的枝晶结构参数、合金元素的宏观与微观偏析都与凝固过程参数(如凝固速度、温度梯度等)密切相关。研究表明,重力导致的各项效应(如浮力对流、沉降和流体静压等)直接或间接地影响凝固过程参数,并且是导致成分偏析和凝固缺陷的重要原因。但在常规地面条件下由于无法有效去除重力影响,因而难以清晰揭示凝固过程中的重力效应及其作用规律。而在微重力环境中,这一难题将迎刃而解。因此,近些年来国内外一些学者利用空间或模拟微重力环境,对重力对单晶凝固行为的影响及其在缺陷形成中的作用进行了研究。这些研究对于获得良好的单晶凝固组织、避免凝固缺陷的形成,以及提高单晶合金的质量和性能都有着重要的意义。综述了目前国内外微重力下单晶生长研究的相关进展,并对未来研究进行了展望。     

材料知识讲座 气敏半导体材料

这一讲介绍了气敏半导体材料的基本概念及其应用,重要技术指标以及工作原理和反应机理,并简单介绍了气敏半导体材料研究的新动向及存在问题。     

半导体材料发展动态

本文对80年代国内外半导体Si单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物GaAs单晶材料的市场,生产及科技进展进行了综述,对90年代半导体材料的发展提出了一些看法。     

Half-Heusler热电半导体材料

介绍了最近几年在热电半导体材料领域里新出现的half-Heusler化合物的结构和研 究现状,比较了各化合物掺杂及等电子合金化前后的电与热传输参数的变化,并指出了该材料 的进一步研究方向.     

日本半导体封装材料

目前半导体器件的封装多用环氧类塑封料。为了适应超超大规模集成电路的发展,这类材料尚需解决以下问题:1.提高耐湿性;2.降低应力;3.防止铝布线变形(移动);4.提高热传导率;5.降低α射线发生量;6.改进成型装置。近几年,日本的化学工作者还在探索用其他工程塑料作封装材料,具体情况如下:1.开发封装用聚苯硫醚(PPS)PPS是一种新型的工程塑料。1973年     

化合物半导体功能材料

一、前言随着工业和技术的发展,世界各国都重视材料科学的研究工作。目前对高功能性高分子材料、精细陶瓷材料、新金属材料、半导体功能材料以及各种复合材料进行积极的研究工作。下表示出日本对这几种材料的研究经费投资情况。     

半导体材料的发展现状

在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg＞2．3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。     

半导体制冷材料的发展

从二元固溶体、三元固溶体、Bi-Sb合金、Ag1-xCu(x)TiTe和YBaCuO超导材料五个方面,较全面地介绍了现今性能较好的半导体制冷器材料的情况,并简单总结了提高材料优值系数的方法.     

半导体制冷器材料的发展

从二元固溶体，三元固溶体，Ｂｉ－Ｓｂ合金，Ａｇ（１－ｘ）Ｃｕ（ｘ）ＴｉＴｅ和ＹＢａＣｕＯ超导材料五个方面 ，较全面地介绍了现金性能较好的半导体制冷器材的情况，并简单总结了提高材料优值系数的方法。     

半导体热电材料研究进展

本文从讨论热电材料的性能出发 ,讨论了提高半导体热电性能的主要途径 ,介绍了主要的半导体热电材料特别是近年来的进展情况 ,展望了其应用前景 ,并提出了亟待解决的问题。     

半导体材料掺杂机理

半导体材料如硅和锗,通过掺杂Ⅲ,Ⅴ族的化学元素,如用砷、磷、硼的化合物可改变半导体材料的电学性能。这种被掺杂的元素,称掺杂源,有固体、液体和气体三类,根据半导体材料及器件制造的要求,可选择不同的掺杂源。这种掺杂过程在半导体工艺中称为扩散,是改造半导体材料的电学性能和半导体器件生产过程中的一项非常重要的工艺。     

半导体材料的现行研究

半导体材料经过不长的时间已经发展成为与我们生活息息相关的产业,随处可见,可见其重要性,普及性。本文简要的去解读半导体材料的性质、用途、具体的半导体材料组成,以及其研究的现状和意义、研究热点难点和前景等。     

空间半导体材料进展

介绍了在太空制备半导体的材料的优点，以及美国，前苏联，日本和我国在空间制备半导体材料的简况。