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相似文献
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1.
从杂质、组元、制备工艺和热处理等四个方面,较为详细地描述了影响CuCr系触头材料性能的因素。提出了几点关于CuCr触头材料今后使用和制造的看法。  相似文献   

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3.
真空电弧重熔法制造CuCr触头材料   总被引:5,自引:2,他引:3  
介绍了用真空电弧重熔法制造CuCr触头材料的原理、重熔炉的结构和控制电弧长度的几种方法、在重熔制造过程中对真空度的要求和自耗电极参数的选择以及重熔法的优点和缺点,最后还阐述了利造CuCr合金触头材料的过程和应用范围。  相似文献   

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5.
一、前言真空灭弧室的小型化是国际上研究真空开关甚感兴趣的课题之一。据报道国内外除从事改进真空灭弧室的电极结构为目标外,还同时以开发新的触头材料的途径来解决真空灭弧室的小型化。在触头材料方面,目前研  相似文献   

6.
CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响   总被引:6,自引:1,他引:6  
本文总结和分析了CuCr真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关CuCr触头材料的研究开发和应用提供参考。  相似文献   

7.
CuCr触头的材料特性及优化   总被引:4,自引:0,他引:4  
  相似文献   

8.
真空熔炼CuCr25合金及其性能研究   总被引:7,自引:1,他引:6  
赵峰  杨志懋 《高压电器》1999,35(3):12-14
采用真空熔炼法制备CuCr25合金,能提高CuCr触头材料的生产率,节约Cu,Cr资源。实验结果表明,该合金Cr相尺寸为30-50μm,相对密度大于98%,气体含量低于500×10^-6Pa,耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。  相似文献   

9.
CuCr25触头材料的制造工艺及其性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文综述了CuCr25触头材料的各种制造工艺,详细分析了它优缺点,并对CuCr25触头材料的性能进行比较分析。  相似文献   

10.
评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能,更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。  相似文献   

11.
简要介绍了中、高压输配电系统中真空断路器(VCB)用CuCr触头材料的现状和发展,讨论了近年来在解决工程应用中因真空断路器小型化、开发低接触力真空断路器和高压用真空断路器等引发的触头材料接触熔焊问题以及如何应对市场降低触头产品价格的压力实现触头材料制造企业的可持续发展。  相似文献   

12.
使用标准的拉伸试验与冲击试验测量了两种真空开关管用CuCr(75/25)触头材料的力学性能,并用光学显微镜和配有X射线能谱仪的扫描电子显微镜分析了两种触头材料的断裂特性。结果表明,真空熔铸Cu_25Cr合金触头材料的抗拉强度、塑性、冲击强度都明显高于混粉压制烧结的CuCr25粉末冶金触头材料。两种触头材料的断口金相显示了不同的断裂机理,即Cu_25Cr合金材料是以典型的韧窝状断裂为主,而CuCr25粉末冶金触头材料则以Cr颗粒本身的解理断裂和Cr颗粒与Cu基体间的界面断裂为主。同时,讨论了强度、塑性以及Cu/Cr两相的界面结合强度对触头材料接触性能的影响,这些结果将有助于进一步理解为什么Cu_Cr合金触头材料在中国已经成为广泛接受和采用的并将成为全世界范围内中压真空断路器的真空开关管首选的触头材料。  相似文献   

13.
研究了在CuCr触头表面发现的一种缺陷——黑斑与黄斑的形成原因及其对灭弧室性能及制造过程的影响,并提出了消除黑斑及黄斑的措施。  相似文献   

14.
铜铬系真空触头材料制造工艺   总被引:13,自引:2,他引:13  
周武平 《高压电器》1993,29(5):7-12,17
综述了铜铬系真空开关触头材料的各种制造工艺,详细分析了它们的优缺点。  相似文献   

15.
影响铜铬触头材料性能的因素的分析   总被引:9,自引:2,他引:9  
周武平 《高压电器》1994,30(5):12-18
综合论述了影响铜铬真空触头材料性能的因素.  相似文献   

16.
CuCr真空触头材料电特性的改善   总被引:4,自引:0,他引:4  
对深冷处理引起的铜铬真空触头材料的组织变化进行了研究。深冷处理使铜铬触头材料组织细化,尤其是合金材料中铬相细化明显,结晶的合金组织有助于改善铜铬触头材料的电性能。  相似文献   

17.
真空感应熔炼法制备CuCr25合金   总被引:4,自引:1,他引:4  
本文采用真空感应熔炼法制备CuCr2 5W1Ni2合金 ,研究了不同成分 (2 5 %Cu及 75 %Cu)和Cr晶粒尺寸对物理性能和击穿电压的影响 ,讨论了合金元素和微观结构对CuCr2 5W1Ni2合金电击穿性能的影响。研究结果表明 ,W粉能够显著细化Cr相 ,同时对Cr相进行了强化 ;在电击穿后 ,熔层中极细的W粉能起到非自发形核核心的作用 ,CuCr2 5W1Ni2的熔层表面更加扁平 ;另一方面 ,Ni能够促进Cu、Cr的互溶 ,使合金整体得以强化。这两种元素均能显著提高合金的耐电压强度。  相似文献   

18.
将熔铸的Cu-30Cr、Cu-30CrZr、Cu-30CrTe和Cu-30CrZrTe合金以及混粉压制烧结的CuCr25粉末冶金触头材料等五种材料制成的试样,在Gleeble3500热模拟试验机上进行真空扩散焊接试验,随后在热模拟试验机上将试样在室温拉断,测量不同触头材料的焊接结合力和强度;使用光学显微镜和扫描电子显微镜观察焊接试样在室温拉断后的断口表面及纵向焊接界面附近焊接区域的显微组织。结果表明,五种触头材料的焊接结合力和强度从高到低依次为Cu-30CrZr、Cu-30Cr、Cu-30CrZrTe、CuCr25、Cu-30CrTe;这些材料的断口金相显示出不同的断裂机理。据此分析在相同的焊接工艺条件下,影响CuCr触头材料焊接结合力及焊接性的主要因素,并从材料学的角度探讨进一步提高现有CuCr触头材料抗熔焊性能的途径。  相似文献   

19.
为研究三种不同触头材料(真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005、电弧熔炼CuCr50)对真空灭弧室投切背靠背电容器组性能的影响,将采用三种不同材料制备的触头各装配在三只相同的12kV等级真空灭弧室中,每只真空灭弧室经过80次背靠背电容器组合分操作,高频涌流设定为幅值8 kA、频率3.8 kHz。结果表明:真空熔渗CuCr50、真空熔铸CuCr40Te0.005以及电弧熔炼CuCr50的平均重击穿概率分别为6.7%、5.8%、8.3%,重击穿现象主要发生于恢复电压持续时间的1/4T与10T之间(T表示恢复电压周期20 ms);复燃现象多次出现,真空熔铸CuCr40Te0.005(1次)电弧熔炼CuCr50(9次)真空熔渗CuCr50(10次)。  相似文献   

20.
CuCr触头材料的等离子熔炼工艺研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了CuCr触头材料等离子熔炼工艺的特点,详细介绍了等离子炬的设计和熔炼实验系统。熔炼试验的初步研究结果表明,采用等离子熔炼工艺可以获得比常规粉末冶金法更为细密的组织结构。  相似文献   

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