10bit 200MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS视频D/A转换器实现

提出了一种10bit 200MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS视频D/A转换器实现电路。采用分段式结构,利用层次式对称开关序列消除由热分布不均所引起的对称误差。该DAC集成在一款视频自适应均衡芯片中,整个芯片采用Charted 3.3V电压、0.35μm CMOS工艺生产制造。DAC的面积为1.26mm×0.78mm,工作在4Fsc(14.318MHz)采样频率时,其有效数据比特为9.3个,其积分非线性误差和微分非线性误差均小于±0.5LSB。     

一种8位250 MHz采样保持电路的设计

介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。     

8bitCMOS高速电流型数模转换器设计

系统分析了高速电流型CMOS数模转换器的设计方法.设计了一种采样率为100ms/s,分辨率为8bit,电源电压为3.3v的CMOS电流型DAC.采用同步锁存技术增加了转换速度.电路仿真结果表明在采样率为100Ms/s,输入信号从直流到Nyquist频率,无杂散动态范围(SFDR)为59dB.积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)分别为±0.5LSB和±0.3LSB.在采样率为100Ms/s,电源电压为3.3v时的功耗小于300mw.电路采用0.3um标准CMOS工艺实现.     

12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现

提出了一种12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该电路中所给出的层次式对称开关序列可以较好地补偿梯度误差.该D/A转换器采用台湾UMC 2层多晶硅、2层金属(2P2M)5V电源电压、0.5μm CMOS工艺生产制造,其积分非线性误差小于±0.9LSB,微分非线性误差小于±0.6LSB,芯片面积为1.27mm×0.96mm,当采样率为50MHz时,功耗为91.6mW.     

8bit 80MHz采样率具有梯度误差补偿的温度计码D/A转换器实现

提出了一种8bit 80MHz采样率具有梯度误差补偿的温度计码D/A转换器实现电路,该电路中所给出的层次式对称开关序列可以较好地补偿梯度误差,该D/A转换器采用台湾UMC 2层多晶硅,2层金属,5V电源电压,0.5μm CMOS工艺生产制造,其积分非线性误差以及微分非线性误差均小于0.5LSB,芯片面积为1.275mm×1.05mm,当采样率为50MHz时,功耗为56mW。     

一种6-bit 3-Gsps GaAs HBT模数转换器

本文介绍了一种采用1 μm InGaP/GaAs HBT工艺实现的6-bit 3-Gsps模数转换器的设计和测试结果。这款单片折叠内插模数转换器采用高线性度的跟踪保持放大器提高了有效分辨率ENOB。该模数转换器的芯片尺寸为4.32 mm×3.66 mm。测试结果表明,该模数转换器在3-Gsps采样率的情况下,ENOB达到5.53,有效分辨率带宽为1.1 GHz,差分非线性误差和积分非线性误差的最大值分别为0.36 LSB和0.48 LSB。     

基于码密度统计的流水线模数转换器校准算法研究

本文提出了一种用于校准流水线模数转换器线性误差的数字后台校准算法。该算法不需要修改转换器级电路部分,只需要一部分用于统计模数转换器输出码的数字电路即可完成。通过分析流水线模数转换器输出的数字码,该算法可以计算出每一级级电路对应的权重。本文利用一个14位的流水线模数转换器来验证该算法。测试结果显示,转换器的积分非线性由90LSB下降到0.8LSB,微分非线性由2LSB下降到0.3LSB;信噪失真比从38dB提高到66.5dB,总谐波失真从-37dB下降到-80dB。转换器的线性度有很大提高。     

0.35μm CMOS 4位1 Gsample/s全并行模数转换器设计

介绍了一种基于0.35μm CMOS工艺的4位最大采样速率为1GHz的全并行结构模数转换器的设计.因为在高采样率的情况下,比较器的亚稳态问题降低了模数转换器的无杂散动态范围,在本次设计中对其进行了优化.后仿真结果表明,输入信号为22.949MHz,在1GHz采样率的情况下,信噪比达到25.08dB,积分非线性和微分非线性分别小于0.025LSB和0.01LSB,无杂散动态范围达到32.91dB.芯片采用具有两层多晶硅的0.35μmCMOS工艺设计,总面积为0.84mm2.     

一种用于BOOST芯片的电流采样电路

根据BOOST（升压）转换器的特点,利用BiCMOS0．5μm工艺设计了一种新型的电流采样电路,该采样电路结构简单易于集成,而且有很好的线性度,它的采样率不会随着温度和输入电压的改变而改变,实现了高精度的采样。由于该采样电路的输出电压比较低,设计了一个高精度、低跳变电压的比较器。实现对BOOST转换器的精确控制。     

基于0.18μm CMOS工艺的 0.23pJ/step 11.05bit 有效位 125MS/s 流水线型模数转换器

本文描述了一款基于0.18μm标准CMOS工艺设计的12位 125-MS/s 的流水线型模数转换器。为了提高采样的线性度,采用了栅压自举开关和底极板采样技术。其微分非线性和积分非线性分别为0.79 LSB和0.86 LSB。在输入频率为10.5MHz时,本模数转换器可以实现11.05bit的有效位,在输入频率接近奈奎斯特频率时,仍可以达到10.5 bit的有效位。本模数转换器工作电压为1.9V,功耗62 mW,面积1.17 mm2,其中包含片内参考电压产生电路。本模数转换器的FOM值为0.23 pJ/step。