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研究了在Ar+O2混合气氛中从Cd-In和Od-Sn合金靶射频反应溅射而成的CdIn2O4和Cd2SnO4膜的X-光电子能谱。实验结果表明了粉末Cd、In、Sn、SnO2、In2O3和CdIn2O4、Cd2SnO4膜的Cd、In、Sn3d3/2和3d5/2XPS峰值位置和形状的区别,并讨论了O1sXPS峰随氧浓度的变化。当氧浓度增加时,O1s分为两个峰。 相似文献
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利用射频反应溅射Cd-In合金靶沉积的CdIn_2O_4薄膜是n型高兼并半导体,其红外反射率随溅射气体中氧浓度的不同而有异,相同氧浓度下沉积的薄膜经过退火处理后红外反射率也会发生变化。原因是不同氧浓度下沉积薄膜的氧空位不同,其自由载流子浓度也就不同,从而使薄膜有不同的吸收系数。实验结果与理论计算值符合较好。 相似文献
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利用AES方法研究了CdIn2O4膜的成分分布。膜中的Cd、In和O成份随O浓度的变化而变化,并对膜的电学性质有重要影响。 相似文献
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研究了热处理气氛对用无电沉积方法制备的Cd2SnO4导电膜的化学态结构和导电率的影响。X射线光电子能谱和室温电阻率测量结果表明,以氢气为热处理气氛时,薄膜中的氧空位最高,导电性好,真空处理次之,以氧气为热处理气氛时,氧空位少,薄膜的导电性能差。 相似文献
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报道了以玻璃为基材用溶胶-凝胶制备了SiO2-SnO2-F基红外反射薄膜的实验研究工作,讨论了Sn/Si对薄膜光学性能的影响。 相似文献
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用电子束加热真空蒸发法(EBV法)制备了厚度为350nm的ZnIn2S4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果;通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型,典型膜的电阻率为2.5×10^-1Ω.cm,Hall迁移率为52cm^2.V^-1.s^-1,载流子浓度为1.42×10^17cm^-3,禁带宽度为2.13eV。探讨了ZnIn2S4膜的导电机理,并制作了ZnIn2S4-Si太阳电池。 相似文献
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WO3—SiO2复合薄膜制备、结构和气致变色性能 总被引:7,自引:0,他引:7
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上成功制备了具有良好气致变色性能的透明,均匀,附着力强的WO3-SiO2复合薄膜,讨论了络合剂的量和乙醇与水的比例对溶胶稳定性的成膜均匀性的影响,用热重-差热,X射线衍射,红外光谱分析对薄膜在热处理过程中的结构变化特征进行分析,用扫描电镜对薄膜表面微观形貌进行观察,初步研究了镀铂薄膜的气致变色性能,研究结果表明,溶胶稳定性随着H2O2的增加而增加,但溶胶成膜均匀性降低,增加乙醇与水的比例,可提高溶胶的成均均匀性和溶胶稳定性,结构分析和性能测试的结果表明,360℃热处理的复合薄膜具有高浓度相界,氢原子迁移速率高,变色响应速率快,气致变色性能优于单一组分薄膜。 相似文献
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透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶,它含有ZnO和2%(重量比)Al2O3,无论如何靶的代价是过高的,而能用的功率密度是有限的。最近反应磁控溅射Zn:Al靶受到关注,虽然它需电压控制和氧分压强的闭环控制以保证工作在金属/氧化物过渡模式。 相似文献
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基于透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)试验对不同掺混比例与不同负荷下的聚甲氧基二甲醚(PODE2-4)/柴油混合燃料排气颗粒物的理化特性变化规律进行研究.TEM与分形理论分析表明,当PODE2-4掺混比例增加或负荷减少时,颗粒物的整体尺寸变小,排列更紧密,分形维数变大.FT-IR分析发现,当PODE2-4掺混比例或负荷增加时,当量峰高比比值减少,颗粒物表面脂肪族碳氢官能团相对含量降低.XPS试验表明,随着PODE2-4掺混比例的增加或负荷的减小,颗粒物表面的氧、碳元素物质的量比与碳原子杂化比比值增加,羟基、羰基以及总含氧官能团含量增大.结果表明:PODE2-4掺混比例的增加和负荷的减小影响颗粒物的纳观结构和氧化活性,使其更易于被氧化,有利于颗粒物捕集器的再生. 相似文献
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在煅烧α-Al2O3粉末中α相的含量是一个重要的技术指标,本文利用X射线射分析的结果,探讨了一种更简便的估算煅烧α-Al2O3末中α相和β含量的方法,并与利用化学分析结果来进行估算的方法作了以缘分窑结果表明,利用线衍射的相对强度来估算α-Al2O3粉末中α相和β相含量的方法是可行的。 相似文献