酞菁铜衍生物LB膜／N－Si光伏电池的反常二极管整流效应

从表面态和材料电阻率的角度分析了酞菁铜衍生物ＬＢ膜光伏电池的反常整流效应，讨论了该效应与光生电流的关系，并介绍了消除反常现象提高光生电流的实验方法。     

光点扫描装置及对薄膜CdS-Cu_2S太阳电池均匀性的研究

为适应大面积薄膜太阳电池研究的需要,我们设计安装了光点扫描装置。可对各种薄膜电池或材料进行光点扫描,以光生电流或光生电压的形式在记录仪上连续地记录下来,能够直观地、准确地指出电池或材料的均匀性差异。我们用这台装置研究了薄膜CdS-Cu_2S电池的光生电流分布,描述了电池均匀性与转换效率的关系。     

太阳电池发展简史

1815年第一次发现硒。 1822年制备出纯硅。 1839年在电解质中发现了光生伏打效应。 1873年发现硒的光电导效应。 1875年制备出点接触整流器。 1876年发现硒的光生伏打效应。 1882年制成硒光生伏打电池。 1903年发现Cu-Cu_2O光敏特性。 1913年发现光伏效应与势垒层有关。 1918年从熔体中生长出单晶。 1920年制成Cu-Cu_2O整流器。 1928年制成Cu-Cu_2O光生伏打电池。 1929年建立了固体能带理论;第一次论证了太阳电池可以直接把阳光变成电。 1930年建立了势垒电池理论,用硒光电池作检流计。     

半导体隔片电化学光电池——Ⅱ.双液结势越光电化学效应

本文报道的CdSe SC-SEPs开路光电压达到1.96V,为了解释这一高于所用半导体材料本身禁带宽度E_8的光电压,提出了双液结势越光电化学效应机理,并据此讨论了进一步提高光电压和光电流的途径。     

太阳能电池工作原理及组成

<正>在有光照(无论是太阳光,还是其它发光体产生的光照)情况下,电池吸收光能,电池两端出现异号电荷积累,即产生"光生电压",这就是"光生伏特效应"。在光生伏特效应作用下,太阳能电池两端产生电动势,将光能转换成电能。太阳能电池一般为硅电池,分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池三种。     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应──太阳电池光致性能衰退的计算机模拟

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电有的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场＂死层＂），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池中电场分布的改变（空间电场效应）是引起电池性能衰退的物理机制。但在薄ｉ层的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池中空间电荷对电池内电场调制的体效应已很微弱，这是该电池结构可获得高稳定性能的原因。     

太阳电池工作原理及特性

二、太阳电池是如何把光能转变为电能的?太阳电池把光能转变为电能可以分为三个主要过程:1.吸收一定能量的光子,产生电子一空穴对(光生载流子);2.这些电性相反的光生载流子,被某种静电场分离;3.光生载流子被电池的两极收集,在外电路中产生电流,从而获得电能。下面我们进一步说明其中的每一个过程。     

PIN型非晶硅太阳电池中的空间电荷效应——太阳电池光致性能衰退的计算机...

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池进行计算机数值模拟。结果表明，经光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳电池的空间电荷效应主要表现在ｉ层中正空间电荷的增加，使电场分布向ｐ＋／ｉ结面集中，在靠近ｎ＋／ｉ结附近区域内出现准中性区（低场“死层”），导致有源区内光生载流子收集率的减少和电池性能因光的长期辐照而衰退，支持了光辐照下电池     

非晶硅的光致发光疲劳效应和Staebler-Wronski效应

非晶硅的二种光感效应是不可逆的,只有通过退火才能恢复。这些效应引起由于材料内部不均匀性所产生的相互作用和光生缺陷,使非晶硅的光电性下降。     

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)

<正>2GaAs单结太阳电池2.1 AlxGa1-xAs/GaAs单结太阳电池在上世纪60年代,人们由Ga As材料的优良性质预见到,GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大,大部分光生载流子被表面复合中心复活,不能形成光生电流。     

什么是太阳电池

太阳电池是一种能够将光直接转换成电能的半导体器件，它是以光生伏打效应（简称光伏效应）为基础制备的，某些材料（在气体液体和固体）吸收了光能之后具有产生电动势的效应，在固体中，尤其是半导体中光能转换为电能的效率特别高。硅太阳电池是最常用的太阳电池。硅是一种半导体材料，具有４个价电子，当把具有３个价电子的元素作为杂质掺入硅中，就形成了P型半导体。由于掺入的杂质比硅少一个价电子，相当于１个空穴，这种杂质称为受主杂质。在P型半导体中，空穴起导电作用，是多数载流子，与空穴的数量相比，电子是少数载流子。P型半…     

太阳电池工作原理及特性

太阳电池是一种利用光生伏打效应把光能转变为电能的器件,它又称光伏器件。物质吸收光能产生电动势的现象称为光生伏打效应,这种现象在气体、液体或固体中都会发生。但是,只有在固体中,特别是在半导体中,才有较高的能量转换效率。因此,人们常把太阳电池称为半导体太阳电池。太阳电池是怎样把太阳能转变为电能的呢?为了     

基于二极管品质因子和暗电流研究的MPPT算法

通过对光伏最佳输出电流与短路电流间近似线性关系的理论分析与仿真研究,发现同一块光伏在相同的温度和照度情况下,输出的光生电流是固定的,而不同的二极管反向饱和电流ID和品质因子n值,可得到不同的最佳输出电流和电压值.通过对n和IO不同取值的分析,得到了光伏最佳输出电流的综合补偿系数,进而提出了一种综合补偿的MPPT算法,并结合爬山法验证了该算法的正确性,仿真结果表明在各种天气状况下该算法均可以快速跟踪到实际的最大功率点.     

用旋转环盘电极测定n—砷化镓电极的稳定度

光生空穴与溶液中还原剂反应还是与半导体本身反应存在着竞争过程,本工作采用旋转环盘电极区分此竞争过程的两部分电流,研究了pH=1.0的硫酸亚铁和pH=9.2的亚铁氰化钾对n-砷化镓电极的稳定作用。结果表明,稳定度随还原剂浓度的增加、电流密度的降低而增加,但当溶液中pH增大时,砷化镓价带边的能级正移,在pH=9.2的亚铁氰化钾溶液中,价带边与亚铁氰化钾的已占领态重叠的机率很小,所以稳定度极小。结果还证明,稳定作用确是通过还原剂竞争光分解中间产物进行的,光分解为6电子的连续反应,还原剂竞争中间产物的结果,终止了分解反应,减少了光分解电流。     

非晶硅p-i-n电池中空穴的收集长度

测量p-i-n电池单色光的光生电流随外电压的变化,可得出空穴的收集长度。空穴的μτ乘积在3×10~(-9)—1×10~(-8)cm~2/V,空穴收集长度和电池的填充因子有对应关系。由收集长度随外电压的变化可解释电池的收集效率随外电压的变化,只有FF很差的p-i-n电池,偏置光强才影响光生载流子的收集。一般的p-i-n电池,在不加偏置光条件下测得的收集效率反映AM1光强下的情况,这使p-i-n电池的测试更加简单。     

太阳电池一般电流模型参数的解析解

在太阳电池一般电流模型的基础上,通过对电流方程的微分求导和在短路点处的简化,将复杂的超越方程转换为简单的代数方程,结合电流方程在最大功率点处的极值表述,建立了求解串联内阻Rs、并联电阻Rsh、光生电流,Iph、反向饱和电流I0以及二极管理想因子等5个电性参数的封闭代数方程组,从而得到了各个参数的解析解.对计算结果与实验数据进行比较,结果证明这种方法具有很高的计算精度,并大大减少了数值解法在提取参数过程中的计算代价.     

等离子共振增强单晶硅太阳电池吸收的研究

以硅-银为例建立理论模型,计算产生共振时电池内的电场分布,推导载流子产生率与电场强度的关系,结合稳态输运方程求解光生电流,分析等离子共振引起的增强电场对电池各区域电流的影响,并将计算结果与无粒子添加的情况进行对比,发现共振条件下发射极载流子浓度增加、短路电流增大。而总体电流密度提高是银纳米粒子附近光子吸收增强载流子产生率增大的结果。     

研究光伏政策 把握市场机遇

一引言自1839年法国科学家贝克莱尔发现了"光生伏打效应",到1954年恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室,首次制成了单晶硅太阳电池,韦克尔研制出了第一块薄膜太阳电池,太阳能光伏一直处在科     

太阳电池工作原理

当光照射在具有P-N结的硅片上时,由于P-N结很浅,大部分光都被硅片基体吸收(图5)。如果硅材料晶体结构完整,光生载流子(少数载流子)的扩散长度大,其大部分都能扩散到P-N结,被结分开后,便吸附在结的两侧。如在两侧之间连接一外电阻R,则必有电流通过。由于光一直在照射,积累电荷从P-N结两侧流走之后,又产生新的积累电荷,从而达到动态平衡。在不接外电阻时,P-N结两侧积累电荷产生的光生电压,和接外电阻时不同。通常电池开路状态的     

光伏产品

首先,光伏是光生伏打的简称,简单来说就是光转变成电的一种现象。根据这种效应生产的产品应该都可以算得上光伏产品了。太阳能光伏产品：光伏模块及组件、光伏模块及组件生产设备、农村光伏发电系统、光伏设备安装及配件、并网光伏系统及光伏输配电器材等.