F、Cl、SO_3 对C_2AS 形成的影响

使用化学纯的试剂，研究了ＣａＯ、Ｈ２ＳｉＯ３和Ａｌ（ＯＨ）３系统中，当Ｃ∶Ｓ∶Ａ＝２∶１∶１时，Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３对Ｃ２ＡＳ形成过程的影响。结果表明在８５０～１０５０℃的温区内，ＣａＯ－Ａｌ（ＯＨ）３－Ｈ２ＳｉＯ３系统中Ｃ２ＡＳ的形成数量极少，主要矿物是Ｃ１２Ａ７，Ｃ２Ｓ和β－ＣＳ，当有Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３存在时，Ｃ２ＡＳ的数量大大增加，在１０５０℃时，Ｃ２ＡＳ的数量可达８０％左右。     

卤素化合物对NdCl_3·nTBP／MgCl_2－Al（i－Bu）_3体系催化异戊二烯聚合的影响

考察了以卤素化合物为第三组分对ＮｄＣｌ３·ｎＴＢＰ／ＭｇＣｌ２－Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）３体系催化异戊二烯聚合的影响。结果表明，各种卤素化合物的活性顺序为Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ３≈ＣｌＣＨ２—ＣＨ＝ＣＨ２＞Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｃｌ２＞ＡｌＥｔ２Ｃｌ＞ＴｉＣｌ４；以Ａｌ２（ｉ－Ｂｕ）３Ｃｌ２或ＣｌＣＨ２－ＣＨ＝ＣＨ２作第三组分，采用Ｉｐ－Ａｌ－Ｎｄ三元陈化，Ｃｌ单加或内添加卤素化合物方式，均可以提高催化活性，聚合转化率在Ｃｌ／Ｎｄ值为１－６的范围内基本保持不变。经ＩＲ和１３Ｃ－ＮＭＲ测定表明，除Ｓｔ（ＣＨ３）２Ｃｌ２外，第三组分对聚合物的微观结构影响不大。     

F,Cl,SO3对C2AS形成的影响

使用化学纯的试剂，研究了ＣａＯ、Ｈ２ＳｉＯ３和Ａｌ（ＯＨ）３系统中，当Ｃ：Ｓ：Ａ＝２：１：１时，Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３对Ｃ２ＡＳ形成过程的影响。结果表明在８５０￣１０５０℃的温区内，ＣａＯ－Ａｌ（ＯＨ）３－Ｈ２ＳｉＯ３系统中Ｃ２ＡＳ的形成数量极少，主要矿物是Ｃ１２Ａ７，Ｃ２Ｓ和β－ＣＳ，当有Ｆ、Ｃｌ和ＳＯ３存在时，Ｃ２ＡＳ的数量大大增加，在１０５０℃时，Ｃ２ＡＳ的数量可达８０％左右。     

电迁徒参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜波法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徒阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符，同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽度的温度范围和测试时间内获得ｎ值一致性很好。     

K2O和TiO2杂质对Al2O3—SiC—C砖抗渣性的影响

分析了基质Ｋ２Ｏ和ＴｉＯ２对Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖抗渣性能的影响。实验结果表明,以硅线石为基质的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖,基坑渣性能优于以矾土为基质的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖。     

絮凝剂PASC的制备及其性能

以ＮａＯ·３．２４ＳｉＯ２，ＮａＡｌＯ２和ＡｌＣｌ３为原料制备了ＰＡＣ的改性产品含硅聚合氯化铝（ＰＡＳＣ），试验了其絮凝性能及影响因素．结果表明：Ｓｉ的含量，ｐＨ值和碱化度都会影响ＰＡＳＣ的絮凝效果．在Ａｌ／Ｓｉ＝１０～２０的范围内，ＰＡＳＣ对工业废水的絮凝能力，明显高于ＰＡＣ．     

新型 Al_2O_3 基陶瓷刀具材料颗粒弥散增韧与晶须增韧的协同作用

研制成功了一种新型陶瓷刀具材料——ＳｉＣ晶须（ＳｉＣｗ）增韧和ＳｉＣ颗粒（ＳｉＣｐ）弥散增韧Ａｌ２Ｏ３陶瓷刀具ＪＸ－２－Ｉ,该材料具有良好的抗弯强度和断裂韧性,同Ａ（Ａｌ２Ｏ３）,ＡＰ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｐ）和ＡＷ（Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＣｗ）等材料相比较表明,在ＪＸ－２－Ｉ材料中具有明显的增韧叠加效应,详细研究了晶须增韧和颗粒弥散增韧的协同作用,建立了理论模型并进行了实验验证．     

Al2O3—SiC—C砖基质组成对抗渣性影响

分析了Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖基质组成对抗渣性影响。实验结果表明,以莫来石为基质的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖,其抗渣性优于以刚玉为基质的制品,并用ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统相图给予了解释。     

SiC粒子增强铝基复合材料界面行为研究

通过热力学和俄歇剖面分析，对用半固态溶液搅拌法制备的ＳｉＣｐ－Ａｌ－Ｃｕ复合材料的界面行为及其对湿润性的影响进行了研究，表明在ＳｉＣｐ／Ａｌ界面上发生了界面反应，界面反应的产物是ＭｇＯ和ＭｇＡｌ２Ｏ４。     

絮凝剂PASC的制备及其性能

以ＮａＯ．３．２４ＳｉＯ２，ＮａＡｌＯ２和ＡｌＣｌ３为原料制备了ＰＡＣ的改性产品硅聚合氟化铝（ＰＡＳＣ）试验了其絮凝性能及影响因素，结果表明，Ｓｉ的含量，ｐＨ值和碱化度都会影响ＰＡＳＣ的絮凝效果，在Ａｌ／Ｓｉ＝１０～２０范围内，ＰＡＳＣ对工业废水的絮凝能力明显高于ＰＡＣ。     

亚稳态Bi2SiO5晶体的制备及析晶热力学分析

采用熔体冷却法制备了亚稳态Bi2SiO5硅酸铋晶体,利用XRD、SEM等表征分析了所制备Bi2SiO5多晶的晶型及形貌特征.通过系统在相平衡温度时的可逆相变过程,计算了析晶过程的ΔH、ΔS和ΔG.实验结果表明:组成中当摩尔比Bi2O3/SiO2为1∶1时,所生成的Bi2SiO5晶体在2h保温时间后仍没有发生晶型转变.所制备的单相Bi2SiO5晶粒呈现层状生长,且层与层之间呈现紧密生长.热力学分析表明:当温度T=T0-ΔT=973.15K时,ΔG=-7.478KJ<0,说明从基础熔体中析出Bi2SiO5的过程是自发进行的;同时,熔体中的分相有利于Bi2SiO5晶体的析出.     

电容式非制冷红外焦平面阵列设计及优化

提出一种基于MEMS工艺弯折双材料悬臂梁结构的电容式非制冷红外焦平面成像阵列（FPA,Focal Plate Array）。并利用软件CoventorWare对器件的物理学特性进行有限元模拟分析。发现FPA的温度响应度和位移响应度与辐射能量呈线性关系;得到热时间常数、位移、温度灵敏度与铝膜与二氧化硅厚度比的关系,并得出当比率为0.5～0.6时位移响应最大,100μm×100μm和50μm×50μm两种尺寸器件的位移灵敏度峰值分别为0.061nm/pW.μm^-2和0.008nm/pW.μm^-2;随着器件尺寸的增大,其探测能力增强,瞬态响应降低;计算了吸收面与探测极板间的吸合附电压,得到100μm×100μm面板的吸附电压为3.625V～3.750V之间,50μm×50μm面板的吸附电压为10.250V～10.375V之间,以及器件尺寸与吸附电压间的关系.     

低温生长SiO_2膜的性质及其在SiGe/Si HBT研制中的应用

用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现,较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT．这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差．     

Parylene film for sidewall passivation in SCREAM process

Trench sidewall passivation is a key step in the SCREAM (single crystal reactive etching and metallization) process for releasing suspended MEMS structures. In this paper, the parylene thin film is reported to serve as the passivation layer owing to its excellent conformality, chemical inertness, mechanical performance, and especially, low growth temperature. The deposited parylene films are characterized and the test structures are released through SCREAM process utilizing the parylene films as a passivation layer. The results show that as a passivation layer the parylene has more merits than the PECVD SiO2 film.     

SrO-MgO-SiO2系玻璃形成区及其热性能的研究

采用熔融冷却法探讨SrO-MgO-SiO2三元系统的玻璃形成区,利用观察法与XRD相结合进行分析,得到了在1 500℃保温2h融制15g玻璃液时SrO-MgO-SiO2三元系统的玻璃形成区,并选取成玻区域中的4个组分进行DSC测试。研究表明,在该实验条件下SrO-MgO-SiO2三元系统的成玻区域大致在(摩尔分数):SiO2:50%～60%,SrO:10%～50%,MgO:0～40%。SrO-MgO-SiO2系统玻璃的结晶峰顶温度Tp值的大小主要与组成中的SiO2的相对含量有关,SiO2相对含量越高,对应的Tp值越大;采用(Tx-Tg)来表征玻璃的析晶趋向和稳定性,当SiO2的含量一定时,Mg/Sr值越大相应的(Tx-Tg)越大,玻璃结构越稳定,不容易析晶,当SrO的含量一定时,Si/Mg值越大相应的(Tx-Tg)越大,玻璃结构更稳定,不容易析晶。     

SiO2/Fe2O3复合颜料的制备工艺

在Fe2O3颗粒的悬浮液中以硅酸钠为硅源,稀盐酸调节反应体系的pH值,合成SiO2-Fe2O3核-壳粒子.研究Fe2O3表面包覆SiO2的影响因素,确定最优改性剂和改性条件.采用XRD、SEM对表面改性前后的Fe2O3进行表征,用酸溶率评价包膜效果.以硅酸钠作为硅源,在反应温度85℃、pH值为9~10、改性时间为2 h时,制备出SiO2-Fe2O3复合颜料.包覆后的Fe2O3的耐温性和耐酸性显著提高,干粉耐温性达到1000℃.     

关中南部地下热水氢氧 同位素组成的水文地质意义

通过对关中南部地下热水氢氧同位素组成研究,探讨了研究区地下热水的起源、补给以及有关净热水 的循环温度、循环深度、与冷水混合比例等与地下热水有关的热点问题,并与传统水文地质勘探方法进行了对比 研究。氢氧同位素研究结果表明,研究区地下热水为净热水与常温水的混合,常温水混合量达半数以上。根据 SiO2地热温标计算,净热水的热储温度为80℃～121℃,热储深度为1146.84～1779.38m。净热水的补给水源 平均气温与现代降水平均气温相差约16℃。净热水的来源为第四纪末次冰期秦岭海拔1800m以上的冰川 雪水。     

Microstructure and cementitious properties of calcined clay-containing gangue

To investigate the optimum calcination temperature and cementitious properties of gangue, the microstructure of clay-containing gangue calcined at different temperatures was analyzed by X-ray diffraction (XRD), infrared spectroscopy (IR), and magnetic angle spinning nuclear magnetic resonance (MAS NMR). The results show that the structure of kaolinite in the gangue sample calcined at 500°C is destroyed. The XRD spectra show the disappearance of illite at about 800°C and the formation of mullite at about 100...     

A composite insulation structure for silicon-based planar neuroprobes

Silicon-based planar neuroprobes are composed of silicon substrate,conducting layer,and insulation layers of SiO 2 or SiN membrane.The insulation layer is very important because it affects many key parameters of neuprobes,like impedance,SNR(signal noise ratio),reliability,etc.Monolayer membrane of SiO 2 or SiN are not good choices for insulation layer,since defects and residual stress in these layers can induce bad passivation.In this paper a composite insulation structure is studied,with thermal SiO 2 as the lower insulation layer and with multilayer membrane composed of PECVD SiO 2 and SiN as the upper insulation layer.This structure not only solves the problem of residual stress but also ensures a good probe passivation.So it’s a good choice for insulation layer of neuroprobes.     

高炉钛渣碳氮化实验研究

利用碳热还原氮化法在1300～1500℃内处理高炉钛渣,用X射线衍射仪、扫描电镜等研究了温度对Ti（C,N）晶粒的生成及其长大的影响。结果表明,实验温度范围内合成钛渣碳氮化后都有Ti（C,N）生成。随温度升高,Ti（C,N）相含量逐渐增多,晶粒明显长大。1450℃时Ti（C,N）相生成最多。与合成钛渣相比,攀钢高炉渣中生成的Ti（C,N）晶粒明显要大,合成钛渣中的为1～3μm,攀钢高炉钛渣中的为3～5μm。攀钢高炉渣中的Ti（C,N）相易附着在金属铁上形成或长大。金属铁提高Ti（C,N）晶粒尺寸效果明显。