共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
透明导电氧化物薄膜(Transparent Conductive Oxides,简称TCO)用途广泛,介绍了TCO应用于光伏领域中的铜铟镓硒薄膜(CIGS)太阳电池,是CIGS太阳电池中不可缺少的一部分。简要阐述了其可见光范围内的透明性和导电性及其成因,以及作为CIGS薄膜太阳电池中窗口层的作用。将ITO和ZAO透明导电薄膜在CIGS太阳电池的应用进行相比,以掺铝的氧化锌(ZnO∶Al简称ZAO)透明导电薄膜为例,对其性能、制备方法及过程进行了简要阐述,并概括了大面积ZAO薄膜的性能。 相似文献
2.
高鹏 《电力标准化与计量》2010,(2)
硅薄膜电池已经发展到第四代——非晶硅/微晶硅双结叠层电池,而这种非晶硅与微晶硅叠层的基本结构将成为未来硅薄膜电池的主流发展趋势。薄膜光伏电池是在低成本的玻璃、塑料、不锈钢等基板上沉积形成很薄的感光材料实现光电转换,主要包括硅薄膜电池(a-Si、a-Si/c-Si等)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CIS、CIGS)。 相似文献
3.
4.
普通Se源提供的硒蒸气主要由活性较低的Sen大原子团构成(n≥4),这不利于生长高质量的CIGS薄膜。理论计算表明,等离子体裂解Se蒸气技术和热裂解Se蒸气技术均可以提供足够的能量使Sen大原子团裂解为高活性的Se2或Se。实验证明,裂解Se技术显著降低了CIGS薄膜生长过程中Se原料的使用量。高化学活性的硒蒸气使生长CIGS薄膜的动力学过程发生变化,显著改善了低温沉积CIGS薄膜性质,在一定程度上提高了相应的电池性能。因此,裂解Se蒸气技术在聚酰亚胺(PI)衬底CIGS薄膜太阳电池的研究及组件产业化领域具有很好的应用前景。 相似文献
5.
6.
7.
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其具有的诸多优势成为最具发展潜力的太阳电池之一。随着CIGS薄膜太阳电池光电转换效率世界纪录的不断被刷新,继续提高电池性能、研究无Cd缓冲层材料,发展柔性衬底CIGS薄膜电池及组件,优化现有的工艺流程,开发低成本的吸收层沉积工艺,尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为今后的研究热点。主要介绍了CIGS薄膜太阳电池近年来在这些方面的研究进展。 相似文献
8.
9.
XsunX公司是美国加州一家CIGSolar开发商。CIGSolar是一种混合薄膜太阳电池的制造技术。该公司通过CIGSolar技术制成的铜铟镓硒CIGS光伏电池片经美国国家可再生能源实验室NREL鉴定,其峰值转换效率达到16.36%。 相似文献
10.
11.
12.
13.
多晶薄膜碲化镉(CdTe)太阳电池在光代转换地面应用方面很有发展前途.目前CdTe太阳电池转换效率接近16%.高效簿膜CdTe太阳电池是以硫化镉(CdS)作匹配的异质结太阳电池.符合器件要求的CdS薄膜有多种淀积技术,而从水溶液中生成的方法是最经济的.符合器件要求的CdTe薄膜有多种廉价淀积方法,包括近距离升华、元素联合蒸汽淀积、电沉积、丝网印刷和喷镀等.本文讨论CdS和CdTe薄膜的制备与性能,以及CdS/CdTe异质结太阳电池的特性. 相似文献
14.
15.
《电源技术》2015,(8)
采用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池的缓冲层Cd S薄膜。研究了反应溶液浓度和沉积时间对大面积Cd S薄膜表面形貌和晶体结构的影响,优化了化学水浴沉积大面积Cd S薄膜工艺。采用5×10-3mol/L的(CH3COO)2Cd、0.05 mol/L的SC(NH2)2、1.5×10-2mol/L的CH3COONH4、6.5×10-3mol/L的NH3·H2O配置的反应溶液,75℃恒温水浴,沉积时间10 min作为工艺条件,在CIGS吸收层上沉积了面积为30 cm×30 cm、具有较好结晶质量的Cd S薄膜。在此基础上完成柔性CIGS薄膜太阳电池制备,在AM 1.5,25℃条件下,面积约为2.5 cm2的柔性CIGS薄膜太阳电池最高光电转换效率达到9.12%。 相似文献
16.
采用直流溅射方法研究Cu(In0.7Ga0.3)Se(CIGS)薄膜太阳电池的背电极Mo薄膜、吸收层CIGS薄膜、缓冲层ZnS薄膜以及窗口层ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备条件,并利用XRD、AFM和SEM对薄膜表面形貌进行表征。根据实验结果制备了性能良好的CIGS薄膜电池,并初步研究了电池的I-V特性,研究发现制备的太阳电池的填充因子大概为36%,并分析影响填充因子的原因。通过反复研究CIGS薄膜电池的制备条件,为制备高效CIGS薄膜电池奠定了基础。 相似文献
17.
18.
19.
提要:将薄膜太阳电池制作在非晶Si和玻璃的基底上是一项非常有挑战的工作,因为这些非传统基底并不适合当前的薄膜太阳电池(TFSCs)制作工艺.当前的TFSCs要求电池的基底是平滑的,并且对高温和化学工艺的耐受性要求高.美国斯坦福大学开发的
薄膜太阳电池(TFSCs),如氢化非晶硅(a-Si:H),碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(ClGS),基本上都制作在Si晶片上或玻璃基底上.最近,TFSCs也可以制作在价格低廉、质量轻或柔性的基底上,如金属箔和聚酰亚胺基底上.不过,TFSCs的制作工艺或材料的沉积条件通常都要进行改良,这样才能适应这些基底的温度限制和对平滑度的要求,因为他们会对TF-SCs的效率和制作产量产生不利的影响.而且,即使采用改良生产条件,TFSCs依然不能被制作在更廉价、更轻和柔性更高的基底上,如纸、纺织品和橡胶上,因为这些非传统基底在120℃下很容易发生变形,平滑度和硬度都会变得不利于操作.不过,一旦能成功制作在这些基底上,那么TFSCs的应用领域会被大大拓展,如可应用在这些领域:便携式电源、可穿戴电子产品和航空领域. 相似文献