用液体包封技术制备无位错砷化镓单晶

用液体包封技术通过缩晶的手段已能生长无位错砷化镓单晶。已经发现晶体直径的缩细是降低位错的主要措施。熔体组分的化学配比不一定要很严格;只要它能充分维持一个合适的生长速率即可。接近固液交界面必须有一个低的温度梯度,而且这个低温度梯度可以由三氧化二硼包封层的本身来获得。三氧化二硼熔体不一定产生位错。单晶是在〔111〕以及〔100〕方向生长的。分别通过腐蚀(111)-Ga 面和(100)面来观察位错。发现籽晶的所有位错都是从缩颈部分向着晶体的表面消失。     

液封Czochralski技术生长的InP单晶中位错产生和传播的X射线形貌观察

用x射线衍射形貌研究了液封直拉(LEC)技术在[111]方向生长的InP单晶中位错的产生和传播。首先,确定了由籽晶向生长晶体传播的位错的类型,并描述了采用缩颈过程的影响。柏格斯矢量的确定表明,位错是固着型的,柏格斯矢量平行于<(?)>方向,沿<(?)>方向传播。其次描述了晶体生长期间集结于晶体表面的位错传播。观察了位错的滑动传播,滑动是在三个向下倾斜的{111}滑移面上,它与[(?)]生长方向倾斜。对LEC生长晶体中高位错密度的有关机理进行了讨论。     

关于晶体中螺位错的弱束衍衬像

采用运动学衍衬理论,对晶体中螺位错引起的弱束衍衬像强度峰高度、位置随晶体试样厚度t,偏离参数S,位错线所在试样内部深度y的变化关系进行了计算。考虑到弱束时S比较大及S与位错柏氏矢量b之间的夹角,计算时对经典的运动学理论做了修正。     

铁中位错环的观察和类型的确定

高能离子辐照金属时形成大量的点缺陷,这些点缺陷聚集成位错环。图(a)所示是高压电镜中电子辐照铁形成的尺寸较小的位错环。为确定位错环的类型,首先要确定g·b的符号,然后确定位错环平面的倾斜方位,由于这些位错环尺寸较小,化透射电镜的实际观察中要确定位错环的倾斜方位是较困难的。作者在观察铁中的位错环时,先倾动样品获得[111]晶带轴的电子衍射花样,然后用不同的反射g观察位错象,分析观察的结果确定其柏化矢量b,再由b·B的符号确定位错环的类型。对于体心立方结构的铁,其位错的柏化矢量b为1/2<111>类型,即可能有八个方向,由于用g_1=[110]观察时位错象消失,所以g_1·b=0,再用g_2=[101]观察,位错象不消失,则g_2·b≠0,那么可以判定此位错环的柏化矢量为1/2[111]     

青海天然湖盐晶体的结构缺陷与红外透射率研究

对青海湖盐晶体进行了结构缺陷的观察和红外透射率的测量,将所得结果与人工生长的氯化纳晶体进行了比较,发现青海湖盐的位错分布和人工晶体的位错分布不同:前者具有单个位错均匀分布的特征,后者除单个位错外,还呈现由位错密排形成的亚晶界网络。两种晶体的红外透射率几乎完全相同,表明天然湖盐晶体的位错密度和分布状况不太影响其红外透射率。     

论并矢微积中的▽算子

在并矢微积中,和在矢量微积中一样,广泛地使用着▽算子。在矢量微积中对▽算子运算法的论证已在文献〔1〕中给出。但是文献〔1〕中关于T(▽)的定义并不能简单地照搬过来在并矢微积中应用,例如b▽按通常的定义等于零:     

辉钼矿中位错的电镜观察

辉钼矿(MoS_2)是一种层状材料,具有六方密堆结构,其点阵参数为a=0.315nm,C=1.23nm。试样在[001]方向极易解理,使得电镜制样较为简便,容易得到均匀的薄片。由于滑移面平行于基面,即位错的Burgers矢量在基面内,因此,在进行位错的电镜观察时,应用g·b=0位错不可见判据,可以测定位错的Burgers矢量。六方结构材料的位置Burgers矢量可用Berghezan六面体表示。在基面上,全位错的Burgers矢量分别是[100]、[010]和[110],它们常分解成不全位错。实验中观察到的位错大多是扩展位错,表明这种材料的层错能较低,全位错分解形成扩展位错后,降低了位错的能量,使位错结构更加稳定。     

在B_2O_3密封剂中生长无位错半绝缘GaAs单晶

本文介绍了用全密封直拉(FEC)法与掺杂等价元素 In 相结合生长无位错 GaAs 单晶。实验表明可以成功地获得直径为25～30mm 的无位错半绝缘GaAs 单晶。从籽晶沿〈100〉轴直接传播下来的位错只有几百个。采用 FEC 方法的关键主要是因为减少了晶体表面 As 元素的挥发。用这个方法也能拉制直径为 50mm 的几乎无位错的单晶。     

半导体与微电子技术

0626105在碳纳米管上CVD法原位生长CdSe纳米晶体〔刊,中〕/汪玲//信阳师范学院学报(自然科学版).—2006,19(3).—314-317(L)用化学气相沉积(CVD)法在多壁碳纳米管(MWCNTs)上均匀地生长了CdSe纳米晶体,并用TEM、SEM、EDS、UV-Vis和XRD对CdSe纳米晶体的形貌和结构进行了表征。结果发现,CdSe纳米晶体的粒径约为18nm,晶相为六方晶型,光谱分析表明CdSe纳米晶体的起始吸收大约在650nm左右。参150810半导体物理0626106纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模〔刊,中〕/危书义//液晶与显示.—2006,21(4).—336-342(C)0626107在…     

平界面大尺寸Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长

从熔体中提拉生长了〔100〕向45×45×190毫米、〔110〕向45×50×200毫米以上的Bi_(12)GeO_(20)晶体,单根晶体重量达3.5公斤以上。平界面晶体的质量最优。本文讨论了用精心调整温场的方法获得200毫米等径长度范围内的平界面生长等问题。     

Nd~(3+):YAP晶体光学均匀性的改进

用引上法生长的掺杂氧化物晶体,通常都具有核心的缺陷.由于核心中杂质的浓度较高,而引起的化学应力直接影响了材料的光学均匀性.关于核心形成的机理及其消除方法已有人从理论和生长工艺上进行了探讨,其中[5,6]对Nd~(3+):YAG和GGG晶体中核心的研究较为详细.关于Nd~(3+):YAP晶体中的核心,M.J.Weber及P.Korozk等人有一些简单的介绍,至于核心对材料光学均匀性的影响及在生长工艺上的消除都还未见有报导.消除核心对获取大直径光学均匀的Nd~(3+):YAP激光棒也有一定的实际意义,本文介绍了生长b轴Nd~(3+):YAP晶体的热场条件以及在消除b轴、c轴晶体中的核心,改善Nd~(3+):YAP晶体光学均匀性时得到的一些实验结果.     

专利与文献

一、激光器件 7001激光晶体完整性 Perfection of laser crystals, Deng Peihen,Proe. Inter, Conf on Lasers＇85, 1986, pp. 452-459. 已观察到Nd:YAG激光晶体中缀饰位错,详细研究了该晶体的不完整性对激光性能的影响。根据上述结果和改进生长工艺,用提拉法可生长出优质Nd:YAG晶体。也可用X射线形貌学描绘和研究红宝石和BeAl_2O_4:Cr晶体中的缺陷。〔义〕 7002 用直拉法生长晶体时固液界面附近的应力 Stresses near the solid-liquid interface during the growth of a Czochralski crystal, J.C.Lambr opoulos, J. of Crystal Growth, 1987, Vol. 80,NO. 2, p. 245. 本文介绍的数值计算和分析法,可用于计算采用     

GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.     

GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.     

Y1Ba2Cu3O7—8超导体层错的高分辨电镜研究

我们在运用高分辨电子显微术,在T_c为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间所致,两种层错分别具有位移矢量R_1=[0,/2,c/b]和R_2=[a/2,b/2,c/b]。图1为[100]带轴的高分辨象,图中显示了R_1型层错并标出了层错附近原子排列情况,结构模型在[100]方向的投影如图4A区所示。图2是与图1同一样品稍不同区域不同欠焦量的[100]带轴高分辨象。图中B区沿水平方向晶格参数与A区相同,故A、B两区具有相同的晶带轴B区显示的层错与A区不同,具有位移矢量R_2,图中标出了原子排列情况,结构模型如图4B区所示。(001)层错可以穿过整个晶粒,也可中止在其中。在层错中止处,存在伯格斯矢量和层错位移矢量相同的不全位错。图     

Ga_xIn_(1-x)P/GaAs(100)液相外延界面缺陷的透射电镜观察

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2<100>,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.     

钙钛矿外延薄膜中一种新型分裂失配位错的HRTEM研究

在钙钛矿型氧化物外延薄膜中 ,人们已观察到柏格斯矢量b =[10 0 ]的刃型失配位错 ,伴随 (0 0 1)层错b =(1 2 )〈10 1〉的不全失配位错。最近 ,我们用TEM研究了生长在 (0 0 1)LaAlO3 上Ba0 3 Sr0 7TiO3(BSTO)外延薄膜中的缺陷结构。在薄膜的近界面层观察到了高密度的穿透位错 ,其中大部分穿透位错是与 (1 2 )〈10 1〉层错相伴的不全位错[1,2 ] 。本文介绍在该薄膜中观察到的一种新型的分裂失配位错 ,如图 1所示。靠近BSTO LaAlO3 界面有四个被标为 1 4的不全位错和一被标为 5的螺位错。不全位错 2和 3间夹层错的位移矢量是 (1 2 )…     

信息理论与电子设备 信号处理、分析与设计

0626193调频信号的数字合成方法〔刊,中〕/薛文//信息技术与信息化.—2006,(3).—90-91(D)0626194一种改进的说话人识别系统〔刊,中〕/袁玉倩//信息安全与通信保密.—2006,(7).—125-126,129(L)论文通过提取输入语音的美尔倒谱系数,线性预测倒谱系数及其差分的双重方法,在建模过程中,对原有的矢量量化模型进行改进,形成一种新的连续码字分布的矢量量化模型,并与传统的动态时间规整算法和矢量量化方法比较,进行与文本有关的说话人识别实验,获得了较好的效果。参50626195《数字信号处理》课程教学手段的改革与实践〔刊,中〕/陈鸽//北京联合大…     

TiAlSi合金γ相内位错网的电子衍衬分析

γ－ＴｉＡｌ中所观察到的位错主要有（１／２）〈１１０］普通位错，（１／２）〈１１２］和［０１１］超点阵位错。Ｋａｄ等研究了ＴｉＡｌ合金层状组织层片界面的位错结构［１］，表明由于非１８０°旋转孪晶界面两侧晶体在界面处的非严格匹配而形成剪切边界，其中一类...     

十次对称准晶中位错对的会聚束电子衍射研究

自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究结果。图1是在Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中观察到的位错对的双束明场像。衍射分析表明,构成这些位错对的位错的柏格矢方向都沿着十次轴。在位错对的终端,两位错头部的黑白衬度振荡一样,说明两位错具有相同符号的柏格矢。这说明这些平行排的位错构成位错对。利用+g的弱束象分析结果也说明它们是位错对。图2(a),(b),