COB封装对LED光学性能影响的研究

针对LED高光效、低功耗的要求,文章在分析LED光学性能的基础上,采用了COB(ChipOn Board)即板上芯片封装技术。研究了不同封装工艺和材料,分析比较其对LED光通量、光效和色温的影响。研究首先介绍COB封装的结构、优点及其实用性,然后分析影响LED光学性能的因素,最后进行测试。在实验过程中,发现COB封装结构除了具有保护芯片的功能外,还可以提高出光效率,并实现特定的光学分布。实验结果表明:文章提出的封装工艺对于提高光通量和光效、调节色温有良好的效果。     

高光效LED灯丝球泡灯的光学性能研究

基于板上芯片(COB)封装技术,提出了一种360°出光的新型发光二极管(LED)灯丝球泡灯,其封装基板采用透明基板.研究了不同封装材料及芯片对其LED光通量、光效和色温的影响.首先介绍了LED灯丝球泡灯的结构、优点,然后分析了影响LED光学性能的因素,最后进行相关性能测试.测得采用玻璃/蓝宝石基板封装的LED灯丝的光通量分别为467.29和471.69 lm;光效分别为110.06和111.79lm/W;显色指数分别为84.1和81.9.测试结果表明,采用透明基板封装的LED灯丝球泡灯不仅能有效调节色温,而且能显著提高LED的光通量、光效和显色指数.     

一种色温可调LED的封装与性能研究

LED以其优良的性能结合智能控制系统,被越来越多地应用于室内外照明场合,但同时也对其色温、显色指数等色度指标提出了新的要求.为了应对这种挑战,设计了一种新型的色温可调LED,利用大功率LED芯片结合金属基板封装出了色温可调的暖白光高显色指数LED样品,对其发光光谱、色温和显色指数随电流的变化进行了测试,发现LED的光谱...     

低色温高显色性白光LED的研究

文章论述了低色温高显色性白光LED的制备方法及其发展现状与趋势,重点分析了低色温高显色性白光LED的光色电参数．并指出了低色温高显色性白光LED制备技术的难点。同时制备了瓦级大功率白光LED,其显色性高达93,经过1,000小时老化后,色温出现漂移,显色指数仍高于83。     

四芯片色温可调白光LED的研究

为了实现高光效、高显色性且色温可调的白光LED,对四种单基色蓝、绿、黄、红光LED的混光进行了研究.基于Yoshi-单色光模型和光的叠加原理,通过改变四种LED芯片的组合方式(峰值波长、相对光功率配比),对不同色温区的混合白光的显色指数(Ra)、色品质数(Qa)和光视效能(K)进行了仿真计算和光谱优化选择.结果表明:在2 700～6 500 K色温范围内,峰值波长为445 nm,500 nm,560 nm,620 nm的组合可以得到高Ra值和高Qa值;峰值波长为445 nm,535nm,590 nm,615 nm的组合可以得到较高K值.此外还分析了组合白光LED光谱参数对Ra、Qa、K及相关色温的影响.     

白光LED封装用蛾眼化荧光玻璃制备及光学性能

针对荧光玻璃封装白光LED存在的全反射损耗问题,制备了一种蛾眼化荧光玻璃用于提高白光LED光学性能。采用光刻和刻蚀工艺在蓝宝石基片的单面上制作出蛾眼阵列结构,再利用丝网印刷和低温烧结工艺在蓝宝石的另外一面制备YAG∶Ce^3+荧光玻璃层,最后将制备的蛾眼化荧光玻璃用于白光LED封装。通过控制荧光层厚度可以有效调节白光LED发光性能,当荧光层厚度为40μm时,白光LED光效为77.8 lm/W,色温为6024 K,显色指数为69.5。与平面荧光玻璃封装结构相比,在100 mA电流下蛾眼化荧光玻璃封装结构的光效提高了24.9%。结果表明,蛾眼化荧光玻璃提高了白光LED光效,有利于促进荧光玻璃封装白光LED的实际应用。     

可调色温的高显色指数LED白光光源的实验研究

采用暖白、绿、蓝LED混光和PWM调光技术,研究了光源的光谱、色温可调和显色指数特性。实验通过控制驱动电流的占空比,调节暖白、绿、蓝LED之间的光通量配比,实现了在3 000~6 500K范围内色温可调、Ra为85~95的高显色指数LED白光。混合光源的实验参数与理论计算值相一致。     

三芯片集成高显色指数白光LED的研究

运用基于蒙特卡罗的光线追迹方法,对采用"光转换"兼"多色混合"技术的白光LED的显色指数、相关色温、光通量、光辐射功率、荧光粉颗粒密度和色坐标进行了仿真计算和优化选择。通过改变红、绿、蓝三种LED芯片的组合方式和红、绿、黄三种荧光粉的混合方式及各色荧光粉的密度,在保证有合理的光通量输出的条件下,得到了不同色温区的高显色指数白光LED。从显色指数角度看,冷白、正白和暖白光应分别选择BBB芯片+绿、红色荧光粉、BBB芯片+黄、红色荧光粉和RBB芯片+黄色荧光粉组合。实验上测试了采用这几种组合方式的白光LED光谱、显色指数、色温、光通量和色坐标,实验数据与仿真结果基本吻合。     

高亮度白光LED色温动态可调及显色指数的研究

采用基于高亮度白光LED的色温可调混色方法,通过实验与理论计算研究了不同色温白光LED混色后色温Tc及显色指数Ra的变化。采用低色温（2 800～3 000K、3 000～3 400K）和高色温（7 000～8 000K）三种白光LED样品进行串联和并联混色,通过控制正向工作电流研究混色后白光的调光效果及显色指数变化。实验与计算表明：混色后白光色温可以实现在3 000～7 000K可调;选取Ra〉66的低色温白光LED与Ra〉87的高色温白光LED进行混色,可以在色温可调范围内得到Ra〉75的较好显色指数的白光。     

理解LED驱动器拓扑结构选择

过去几年来,高亮度发光二极管（HB-LED）在每封装流明输出和光效（单位为1 m/W）方面的性能快速提升。商用的1W LED已提供有冷色温LED（色温5000K）的每封装流明输出超过1001 m,光效达1001m/W,而相同功率等级的暖色温白光LED（色温3000～3500K）也超过了70～801 m。与两年前相比,这些性能等级提高了30%～40%。     

空调器高温、高电压启/停试验与分析

分析了空调器在启、停过程中的运行状态,以及对空调器使用可靠性的影响,提出了一种基于准高加速的可靠性试验方法：高温、高电压启／停试验方法。通过描述热激发失效的Arrhenius方程。对使用该方法进行可靠性试验的加速系数进行了计算。     

纳米压印技术的研究进展

纳米压印技术由于具有操作简单、高分辨率、成本低、重复性高等优点,近年来受到国内外研究机构的高度重视.本文主要介绍了目前主流的几种纳米压印技术,并简要概述了纳米压印技术的研究现状和应用前景.     

用于雷达发射机的140kW高压开关电源

现代电力电子学技术的迅速发展和大功率开关器件的出现使开关稳压电源在中功率雷达发射机中得到了广泛应用。目前,由于ＩＧＢＴ模块的推广应用和新的拓看望 技术的不断涌现,高压大功率开关稳压电源已开妈在现代雷达发射机中使用。本文简单介绍了１４０ＫＷ大在电源在某空间目标测量雷达发射机中的应用和其工程设计考虑。     

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。     

高强度电缆的设计

介绍了高强度电缆的结构及性能要求，以及高强度电缆所使用的几种高强度材料及它们的性能和特点，并对高强电缆设计中应注意的若干问题进行了讨论。     

一种高效率高阻抗全向COCO 天线

一般情况下,蜂窝通信基站、机场导航广播基站等系统中采用的天线要求全向方向,较高增益,较宽带宽等多项指标。针对该应用背景,在传统的COCO天线的基础上,提出了一种结构特殊的高阻抗高效率全向CO-CO天线模型,采用HFSS建立了仿真模型,通过仿真优化,给出了具有高效率、高阻抗、低驻波、较宽带宽的设计结果,进一步设计了该型天线样品,暗室增益测试和驻波测试表明,所设计的改进型COCO天线完全达到了设计目标。     

高频大功率SiGe/Si HBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.     

一种高速高精度CMOS电流比较器

针对传统电流比较器速度慢,精度低等问题,提出了一种新型CMOS电流比较器电路。我们采用CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了仿真,结果表明当电源电压为3V,输入方波电流幅度为0．3uA时,电流比较器的延时为5．2ns,而其最小分辨率仅约为0．8nA。该比较器结构简单,速度快,精度高,适合应用于高速高精度电流型集成电路中。     

高效高重复率Q－YAG倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器输出特性的研究

用国产声光调Ｑ－ＹＡＧ倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器，从理论和实验上研究了该激光器的输出特性，泵浦功率为８．１Ｗ时获得了２．０８Ｗ的钛宝石光脉冲输出，稳定的斜度效率为３０％。     

Electron transport in semiconductors under a strong high frequency electric field

We propose an analytical approach to study the electron transport in semiconductors when a strong high frequency (HF) electric field is applied together with a weak direct current (DC) electric field. We derive a set of dynamic equations, from which the amplitude and phase of each harmonic component of the electron drift velocity and the electron temperature can be obtained. Our calculation shows that the DC conductivity in an n-GaAs sample decreases dramatically with increase of the first and second harmonic applied electric fields and definitely becomes negative.