业界最小的3W电流敏感电阻器

LRF3W系列厚膜贴片式电阻是业界最小的3W电流敏感电阻器,而标准1225大小的贴片式电阻其额定功率一般只有1W。该系列电阻器采用基于陶瓷的结构和四端的开尔文连接方式,阻值最低可达0.003欧姆。 该系列器件比一般的同类器件可承受更高的功率,阻值又很小,因此适合应用于自动电流感应、电池充电     

小资料 简讯

<正> 圆柱形无引线电阻器投产 国内第一条圆柱形无引线电阻器生产线,已在河南鹤壁无线电二厂安装完毕,投入生产。该生产线可生产0.25W金属膜或碳膜两种无引线电阻器,产品达到IEC标准。 圆柱形无引线电阻器是片状电阻器的一种,它是国外七十年代发展起来的新型电子元件,由于具有小型化、重量轻、可靠性高等特点,可提高电了产品的组装密度和组装速度,为我国现代电子技术提供新型的电子元件。     

跟踪直流大电流的低成本电流监控器

为了测量过载检测和保护时的直流大电流,设计者经常采用电流并联电阻器或环形磁芯,以及霍尔效应磁场传感器.这些方法都有缺点.例如,用一个10m Ω电阻器测量20A电流会白白耗散掉4W功率.     

精密静带电路的产生方法

静带电路应用于伺服系统中。一个精密电流源和一个半波倒相整流器可构成一种正静带电路(图1)。REF01,即IC_1,是一个10V精密电压基准。它配上一个单位增益缓冲器(IC_(2A))和电阻器R_1,即可构成一个精密电流源。IC_(2A)迫使IC_1的接地引脚(引脚4)处于IC_(2A)正相输入端的电位。IC_1使其高精密10V基准电压加在R_1两端,所以流过R_1的电流I_1,为10v/R_1。因为IC_(2B)的倒相输入端连接到电流源的输出端,所以反     

电力电缆故障测量中接地电流消除方法的研究

在倒置电桥法测量电力电缆故障的基础上,提出了一种消除接地电流的新方法。在应用倒置电桥法测量之前,接入一套由电阻和直流电源组成的接地电流消除电路,通过调节可调电阻器消除其接地电流。分析了该方法的基本电路原理,给出了推导过程,并通过模拟实验验证了该测量方法的有效性。     

具有静电放电保护特性的高阻抗缓冲放大器输入

PH值(酸碱度)和生物电位等特性测量需要高阻抗缓冲放大器。虽然几家半导体制造商提供具有较低偏置电流和偏移输入电流的放大器IC,但把传感器电缆连接到放大器电路可能会遭到ESD(静电放电)损害。图1示出了一种并不令人满意的ESD保护方法。电阻器R1限制了ESD事件的放电电流,二极管D1A和D1B把放大器IC1的输入箝位到它的     

大功率半导体玻璃釉电阻器

这是一种采用新配方的大功率电阻器。它具有高比功率(达1.6W/cm~2),耐高温(表面工作温度允许达500℃),和较低电阻值(2Ω)的优点;作为大功率、耐浪涌、耐高温电阻器,它已受到用户的欢迎。下面是该电阻器技术指标、材料组成和生产流程的梗概。     

提供恒定电流的低压差线性稳压器

通过在稳压器输出和地节点之间连接一支固定电阻器,线性稳压器就可以提供一种产生恒定电流的简单方法。稳压器恒定的输出电压通过电阻器产生一个恒定的电流。这个基本电路可以用作高侧或低侧电流     

扩展电流分流监控器电压范围的电路

把电流分流监控器(如INA168)连接到高达60V电源电压的电流分流电阻器(见图1)上可使电流感测更高的电压。此方法可扩展MOSFETQ1适用的任何电压。齐纳二极管DZ1调整电流分流监控器的电源电压。此电压相对电源电压“浮动”。所选DZ1能为IC1和Q1组合在扩展电源范围(5.1~56V)内提供足够的工作电压。首先,选择R1置DZ1的偏置电流大于IC1最大静态电流。图中INA168标定最大静态电流为45mA。DZ1的偏置电流在200V时大约为500mA,这远远大于IC1的最大电流。所选择的偏置电流值应限制R1上的功耗小于0.1W。P沟MOSFET(Q1)连接IC1,IC1输…     

压敏电阻器的电阻值

压敏电阻器是一种限压型非线性电阻器,主要用于抑制浪涌过电压。通常不用电阻值而用电压(压敏电压、限制电压)或电流(漏电流、最大脉冲电流)来描述它的特性。但是,在有些问题中,例如在压敏电阻器的冲击电流试验中,要考虑它与冲击电流发生回路的匹配问题,这时用电阻值这个参数就更为方便。根据作者在研制压敏电阻器测试仪器中所进行的实验,对压敏电阻器的电阻值这个参数作一些讨论。     

磁控溅射镀膜的原理与故障研究

随着国际上片式电阻器工艺技术的高速发展,片式膜电阻器等新型电子元器件正在向更小尺寸、更高精度、更高稳定性和更新工艺的方向发展。片式电阻器在小型化(外形尺寸向1005方向发展)、大功率(2W、5W、10W等)、高精度(阻值精度为0.05%、0.01%)、温度系数(±5PPm)、超低阻〔阻值≤10Ω)、超高阻(阻值100MΩ)等主要技术参数方面也相继提出了这些技术指标。片式薄膜电阻器是近几年来发展最迅速、应用范围最广、前景最被看好的新一代片式电阻器。     

恒瓦数监控器

恒流和恒压电路是众所周知的。本文给出恒瓦数电路(见图1)。此电路依赖于负载和感测器电压之间的倒数关系。编程电阻器确定所供给的瓦特数。本设计围绕1V考虑。假定负载是100Ω而所希望的恒瓦数是0.01W。调整器关系是1/N×N=1V,即基准电压是1V。在Y的输入电压用N表示。最后所得到的输出是：(1/N+N)V。为了求得编程电阻器,需要知道负载电压1/N,编程电阻器是0.01负载或100Ω。因此A×A×100=0.01W,其中A为0.01(电流),负载电压为100×0.01=1V。编程电阻器电压N为1/1V,即1V。电流是共同的,所以编程电阻器是1V/0.01,或100Ω。在这种…     

新器件简讯(14)

<正> 电位器、微调电阻器在各种电路中不少见,在表面安装的电子产品中也不例外。本文介绍一组片状多圈精密电位器、片状微调电阻器及超小型微调电阻器,供设计产品及维修时选用。 片状多圈精密电位器 一种片状多圈精密电位器如图1所示。这种电位器为2.5圈,尺寸如图如示。     

ROHM开发出适合电流检测的大功率、超低阻值分流电阻器

正ROHM(总部位于日本京都)开发出适合于车载和工业设备等需要大功率的整机电流检测用途的、实现大功率与超低阻值的分流电阻器"PSR系列"。PSR400保证的额定功率为4 W,PSR500保证的额定功率为5 W,使功率电阻器的产品阵容又新增了PSR系列产品。本产品已经于2013年10月份开始以月产10万个的规模开始量产,考虑到未来日益扩大的需求,计划增产到每月100万个的规模。生产基地为ROHM     

简单高效可调电流源

有时有这样的需求,一个简单的电流源要在相对很宽的电流电平范围简便可调,而且这种需求正在增长。图1中所示电路采用200KHz脉宽调制(PWM)降压转换调节器IC来产生50mA到1.5A的可编程恒定电流。该8引脚IC需要很少外接元件,它有一个内部开关、电流敏感电阻器、热关断和欠压锁定。输入电压范围可做到8(欠压锁定)到30V。PROG引脚用于输出电流的设置。输出电流通过吸纳PROG引脚电流进行编程。输出电流接近PROG引脚输出电流的2000倍。有几种不同的电流编程方法可供使用:1.由于PROG引脚上的电压稳定在2.465V,因此由PROG引脚到接地之间…     

构成恒流源的开关稳压器电路

许多应用场合都需要电流源,而不是电压源。当你需要一种大电流电流源时,使用线性稳压器是不可取的,其原因在于串联电阻器的功耗很大。为了解决这一功率浪费问题,你可以使用开关型稳压器。图1所示电路使用一个可调的稳压器IC_1(LM2576)。IC_1只需几个外部元件,及用来控制输出电流的可调检测输入端。电阻器R_se是一个电流传感器。TL08型运算放大器的一半即IC_2A用     

新型高侧电流监控器简化高压测量

Diodes公司推出六款高可靠性的电流监控器产品系列，适用于40V和60V操作。最新的ZXCT108X器件能检测高侧检测电阻器中的电流，提供接地参考，从而降低系统电路复杂性及成本。     

厚膜玻璃轴片状电阻器

上海无线电六厂试制生产的厚膜玻璃釉片状电阻器,是采用国内丝网印刷(SMC法) 工艺技术,在氧化铝衬底上涂复一层物化性能稳定的贵金属氧化物(如:氧化钌,氧化钯)而制成.它的结构如附图.片状电阻器具有体积小、重量轻的优点,几何尺寸为1×2.5×0.4(毫米),重量为7克.由于没有引线,(根据用户需要,可以提供有引线产品)装配空间小,可适用于高频电路和电视机中调谐器.     

采用小外形DFN封装的电子电路断路器免除了检测电阻器

引言一直以来,电子电路断路器(ECB)都是由一个MOSFET、一个MOSFET控制器和一个电流检测电阻器所组成的。LTC4213是一款新型电子电路断路器,它通过采用外部MOSFET的源漏开态电阻(RDS(ON))而取消了检测电阻器。这样做的结果是实现了一个简单、小巧的解决方案,可在低工作负载电压条件下显著地降低插入损耗。LTC4213具有两种针对变动负载条件的电路断路响应,以及三种可选跳变门限和一个用于外部N沟道MOSFET开关的高侧驱动器。过流保护SENSEP和SENSEN引脚(图1)通过外部MOSFET的RDS(ON)来监视负载电流,并用作至两个内部…     

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。