一款发烧级甲乙类功率放大器的设计

优秀的线路设计是出靓声的根本之道，这一点在进口功放中得到了很好的体现。本文介绍的这款线路最早见于一些进口的日本发烧级功放，几经本人改造最终成型，音质表现极其出众，现介绍给大家。     

T7C真空管推挽甲乙类合并功率放大器

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T5F真空管推挽甲乙类合并功率放大器

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基站功率放大器的设计与仿真

为了缩短功率放大器的产品研发周期,降低其生产成本,但又不影响网络质量的要求,采用了高级设计系统进行基站功放的优化。针对基站由于受到周边环境的影响不能发挥预期效果的情况,提出一种新的基站功放设计方法,并且对中心频率为2 000 MHz基站功放的各种参数进行仿真优化,从而增大了基站的覆盖范围。通过同实际结果相比较验证了该方法非常有效。     

AB类功率放大器的设计与仿真研究

在比较A类、B类、C类和介于A类、B类中间的AB类四类功放电路各自优缺点的基础上,提出功率放大器工作点的选取以及通过阻抗匹配来实现高效率的方法。讨论了放大器输入回路阻抗变换电路、晶体管放大电路以及输出回路阻抗变换电路的设计思想,运用电报方程从理论上推导出用于信号源和晶体管之间阻抗变换的传输线变压器输入输出阻抗计算公式,由此设计出模拟信号处理电路中非常重要的AB类高功率放大器。仿真和实验结果表明,放大器在1MHz～50MHz的范围内,输入0．1w时输出为1w,其增益达到10dB,并且失真率非常低。     

音频功放芯片中AB类输出运放的设计

采用0.6μm DPDM工艺,设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器,其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出,其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构,偏置部分采用外部电流源供电,并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3~5 V,在5 V下的静态功耗为6 mW。能驱动32Ω耳机,其最大输出功率是90 mW。仿真结果表明,电路性能优良。     

基于Volterra 级数快速设计AB 类射频功放偏置电路

AB类是兼顾射频功率放大器线性度和效率的一种偏置类型,偏置电路对AB类功率放大器的性能有很大影响。为达到最优性能,通常偏置电路的参数需要通过多次试验来确定。本文提出了一种基于Volterra级数的优化设计方法,该方法利用Volterra级数和基尔霍夫电流定律(KCL),可以计算出兼顾放大器效率和线性的最佳输入偏置。由此可以在设计过程中快速确定最佳偏置参数,从而简化了设计和调测的过程。流片测试结果验证了这种设计方法的有效性。     

一种微功耗轨到轨输出AB类运算放大器设计

在分析研究AB类运算放大器的输入和输出级构成原理基础上,提出一种与信号处理模块的输出端匹配并具有一定负载能力的缓冲器的设计。缓冲器采用了AB类运放结构,其输入级采用折叠式共射共基结构,输出级分别采用PNP管和NMOS管作为上拉管和下拉管,结合电路结构的改进使之具有轨到轨(rail-to-rail)的输出特性和很低的静态电流。设计的电路具有开环增益大、静态功耗小、带宽较高等特点。此运放已在1.5μmBCD工艺下实现。测试结果表明,静态电流仅为8.5μA,闭环带宽达200kHz,开环增益为100dB。     

AB类声频功放的温度补偿改进

传统AB类功率放大器,因为要克服交越失真的问题,所以都要有偏置电路使输出级处于略导通状态,而温度的变化会引起过偏置和欠偏置的问题.分析了引起过偏置和欠偏置的原因及其导致的问题,并提出了一种解决方案.     

具有温控保护的低谐波失真AB类音频功放

设计了一款应用于电视机、PC音响等系统的AB类四通道音频功率放大器.实现最低谐波失真为0.148%.同时提出了一种新型BE结负温反馈温度监控保护电路.在电路中设置温度传感器,当芯片温度高于150℃或局部温度高于180℃时,关断功率输出级2.8ms.使用先进3μm高压双极型工艺进行版图设计并成功流片.对芯片实测显示,此功放可提供1～50W的功率输出,输出效率达到35%,总谐波失真小于1%.     

一种C波段E类GaN MMIC功率放大器设计

基于0.25μm GaN HEMT设计了一种工作于C波段、结构简单、宽带高效的E类功率放大器。针对单片微波集成电路(MMIC)功率放大器设计中射频扼流圈所占面积较大且难以实现的问题,采用有限元直流馈电电感替代扼流圈电感,抑制晶体管寄生参数C_ds对最高工作频率的影响,并采用低Q值混合参数匹配网络,将功率放大器电路输入输出的最佳阻抗匹配到标准阻抗50Ω。版图后仿真结果表明,在4.1～4.9 GHz工作频段内,功率附加效率为51.309%～58.050%,平均增益大于11 dB,输出功率大于41 dBm。版图尺寸为2.7 mm×1.4 mm。     

F类可重构功率放大器设计

针对F类功放并根据可重构理论,文中设计了一种基于PIN开关的新型谐波控制网络。该谐波控制网络主要通过调节PIN开关工作状态来实现不同频率下多项谐波分量的控制,以此来提高功放的整体效率。基于此新型谐波控制网络,采用CREE公司的CGH40010F GaN HEMT晶体管设计了一款工作在1.75 GHz和2.45 GHz的F类可重构功率放大器,并进行了加工测试。实测结果表明,在1.75 GHz和2.45 GHz工作频率下,饱和输出功率大于40.5 dBm,最大漏极效率大于69%,增益高于10.3 dB,带宽大于200 MHz。     

InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计

采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gum mel- Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的190 0 MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为2 6 d B,1d B压缩点输出功率为2 8d Bm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、- 30 .5 d Bc,1d B压缩点处的各阶谐波功率均小于- 4 0 d Bc.     

A Novel Class AB CMOS Power Amplifier

A novel class AB design is described. To achieve a large output voltage swing and to avoid the offset problems associated with a class AB input stage, the non-linearity is placed between the input and the output stage. Before the output stage the signal is separated in one positive and one negative half, which are then amplified separately.For the first time this topology is used in an integrated CMOS power amplifier. It operates with +/ –2.5 V supplies and can drive more than 4 V_pp into an 8 load.