MOS模拟集成电路的噪声分析和低噪声设计

本文论述了MOS器件的噪声和电路噪声的分析方法,提出了MOS模拟集成电路的低噪声设计原则,对开关电容网络中的1/f噪声和抽样过程所产生的混叠噪声作了较详细的说明,并以MOS运算放大器单元电路,开关电容积分电路为例作了噪声分析与低噪声设计,最后介绍了实验单元电路及其实测结果.     

MOS运算放大器的噪声模拟和低噪声设计

运算放大器的等效输入噪声电压可以表示为:V_1=[V_1~2·(A_1/A)~2+……+V_n~2(A_n/A)~2]~(1/2)运算放大器的低噪声设计原则是找出主要噪声源,减小主要噪声源的数量,并减少每个噪声源的噪声贡献.可以用SPICE—Ⅲ程序进行噪声模拟,但是MOSFET的1/f噪声公式要被修正或者适当池选择AF和KF.当AF=2,KF=3 E-24时,可以得到最小的模拟误差.模拟数据和测量数据都给出作为比较.     

用SPICE-Ⅱ程序进行MOS集成电路噪声分析

通用电路分析程序 SPICE-Ⅱ已经在国际上得到广泛的应用,并移植到国内某些计算机上。用该程序可以对电路进行非线性直流分析、非线性瞬态分析和线性交流分析,亦可进行噪声分析。但是噪声分析方面的工作一直很少有人做,因为有些问题还不够清楚,比如有关 MOS 管噪声模型的问题,参数 A_F 和K_F 的选取,以及计算结果和输入形式方面的问题。本文就上述问题并以图1所示,以高性能 NMOS运算放大器作为噪声模拟实例进行探讨。图中 E 管的V_T 为 1V,D 管的 V_T 为-3.5V,零管的 V_T 为 OV。一、程序的噪声分析功能和噪声模型SPICE-Ⅱ的噪声分析是同交流分析联系在一起的。它的交流小信号分析部分,是把交流输出变量作     

模拟MOS集成电路教材之进展

当前,大规模集成电路与系统技术发展显示出如下特征:(1)从数字系统到数字与模拟混合系统。(2)从应用于计算机领域进入通信领域。(3)从通用集成片设计到广泛的专用(或半专用)集成片设计。形成这种局面的背景主要是模拟(与数字混合)MOS集成电路研究与生产之进展及其在现代通信系统中的广泛应用。模拟MOS集成电路形成了一个新兴的技术领域。为适应这方面设计、研究与教学的需要,1980年,P.R.Gray,D.A.Hodges和R.W.Brodersen等人     

用SPICE—Ⅱ程序进行MOS集成电路噪声分析

本文讨论了用SPICE—Ⅱ进行MOS集成电路噪声模拟的有关问题,包括:SPICE—Ⅱ噪声分析功能,MOS管1/f噪声模型修正,噪声参数AF和KF的选取,模拟结果的分析和电路输入形式等等.     

声控式模拟声响集成电路MOS172

在日常生活中，往往会遇到四处寻找钥匙的尴尬事。要是能有这样一种声控钥匙圈，只要你拍几下巴掌或者吹几声口哨，它就会自动地发出声响或闪闪发光，那该有多好。下面，我们向大家介绍MOS172型声控式模拟声响集成电路，采用它可以自己动手制作声控式钥匙圈搜寻器。     

MOS和双极集成电路的发展

1972年美国半导体工业产值达到16.5亿美元,比1971年增长13％;其中MOS集成电路发展最快,只是数字双极集成电路稍有下降,线性电路也提高25％,光电器件增加40％,分立元件也有所增加。一、MOS MOS现已成为TTL新的竞争者(70年产值为2百万美元),MOS已很快成为标准产品工业的竞争者。今年将是从常规产品转为标准产品的一年。这一方面意味着MOS工艺日臻完善,另一方面表明将大幅度降价,约在1975年标准产品可占MOS总     

MOS集成电路的世界市场

MOS集成电路的世界市场一览裹 (单位:百万美元)1 9 7 81 9 7 91 9 8 01 9 8 11 9 8 21 9 8 3民用品 手表 台式计算机 汽车 乐器 电视 钟 玩具 家用电器 家用计算机 其他电子计算机 CPU(包括存储器) 外围设备事务机 科学、事务计算机 其他工业用机 测量仪器 工业用机通信与航空 通信 其他政府与军事总计 535 89 89 83 48 62 28 80 25 6 25 721 405 316 315 155 160 145 T3 T2 241 161 80 1302,08T 632 95 82 13T 53 70 30 90 29 15 31 843 466 37T 362 163 199 16T 84 83 295 198 9T 1412,440 789 110 84 196 60 79 3T 114 40 30 391,0…     

回顾和展望MOS集成电路的发展

回顾总结了ＭＯＳＶＬＳＩ的发展，展望 了未来发展趋势，说明工艺技术的进步以及器件和电器设计的不断改进对ＶＬＳＩ发展的重要作用。     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y2000-62422-86 0103719全耗尽绝缘体上硅技术比例生成0.13μm 1.2～1VCMOS 电路=Scability of fully-depleted SOI technologyinto 0.13μm 1.2V～1V CMOS generation[会,英]/Raynaud,C.& Faynot,O.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—86～87(EC)Y2000-62422-88 0103720用于超薄(35nm)绝缘体上硅0.18μm CMOS 电路的硅化物=Advanced silicide for sub-0.18μm CMOS on Ul-tra-thin(35nm)SOI[会,英]/Ren,L.P.& Cheng,Bth.//1999 IEEE International SOI Conference Proceed-ings.—88～89(EC)     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y98-61482-658 9907367静态 CMOS 组合逻辑电路的不用库的综合=Library-less synthesis for static CMOS combinational logic circuits[会,英]/Gavrilov,S.& Glebov,A.//1997 IEEE In-ternational Conference on Computer-Aided Design.—658～662(HG)     

膜混合集成电路、MOS集成电路

介绍了一种新的低功率多米诺 CMOS 逻辑电路,其功率特性基于一种低电压漂移技术。为了减小它的输出电压漂移,对该多米诺门电路的输出变流器进行了改动。结果使其动态电压耗散节省高达36%,同时提高了功率延迟结果。为了达到功率节省和速度间的折衷,采用了一种产生电压漂移可变值的技术,实验结果清楚地显示了所提出的技术在低功率工作时的可行性。参12     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y2000-62082-56 0005750采用电压定标的低功率设计(含4篇文章)=Session4:low-power design using voltage scaling[会,英]//1999Design Automation Conference.—56～75(PC)本部分收入4篇论文。题名为:公共情况计算:功率与性能优化用的高级技术,支援对偶电源电压用于以单元为基础设计的布局技术,功率驱动用的采用对偶电源电压的门级设计,以及采用对偶电源电压的低功率 CMOS VLSI 电路合成。     

膜混合集成电路、MOS集成电路

0102051片上系统集成(SoC)时代的到来[刊]/张宝元//微电子技术.—2000.28(5).—13～17(E)本文从信息市场需求和技术发展的角度分析了片上系统集成(SOC)是集成电路发展的必然趋势,它是设计技术的一场革命.将成为信息领域 IC 的主流。本文还简要地叙述了 SOC 所涉及到的如 IP、设计方法学、软、硬件协调设计、验证等主要技术。参2Y2000-62185-147 01020520.8μm CMOS 工艺的器件设计,制造及特性=Devicedesign.fabrication and characterization of 0.8gm CMOStechnology[会,英]//1998 IEEE International Confer-ence on Semiconductor Electronics.—147～151(E)Y2000-62185-162 0102053用于 CMOS 集成电路逻辑和 IDDQ 测试集成化的电流传感器及测试处理器设计=Current sensor and testprocessor design for integration of logic and IDDQ testingof CMOS ICs[会,英]/Ahaf-U1-Amin.M.＆ Darus,Z.M.//1998 IEEE International Conference on Semicon-     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y2000-62169-4 0020099采用 CMP 技术的先进的低成本加工制造方式=Ad-vanced low cost manufacluring from CMP service[会,英]/Torki,K.& Courtois,B.//Proceedings of the1999 International Conference on Microelectronic Sys-tems Education(MSE’99).-4～5(YP)Y2000-62169-47 0020100一种基于 PC 机的 CMOS 集成电路设计教学工具:APC-based educalional tool for CMOS integrated ciruit de-     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y98-61438-615 9913174CMOS 系统中同步开关噪声的新分析模型=A newanalytic model of simultaneous switching noise in CMOSsystems[会,英]/Cha,H.-R.& Kwon,O.-K.//1998IEEE 48th Electronic Components & Technology Con-ference.—615～621(AG)     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y98-61303-331 9905890聚合物集成电路和发光二极管=Polymeric integratedcircuits and light-emitting diodes[会,英]/de Leeuw,D.M.& Blom,P.W.M.//1997 IEEE International Elec-     

膜混合集成电路、MOS集成电路

Y90-62020-53 0003792移动手机用偶数谐波型直接变换接收机集成电路的设计挑战和解决办法=Even harmonic type direct conver-sion receiver ICs for mobile handsets:design challengesand Solutions[会,英]/Itoh,K.& Shimozawa,M.//1999 IEEE radiofrequency integrated circuits sympo-sium.—53～56(UC)