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《电子工业专用设备》2008,37(5):52
业界预测,MEMS(微电子机械系统)振荡器正以120%的年增长率(在某些地方是该增长率的4倍)逐渐取代石英晶体振荡器。Wicht科技顾问公司对MEMS的预测(WTC,慕尼黑,德国),超过了YoleDevelopment公司稍早时候对MEMS代工厂的调查,当时,其预测的年增长率为30%。 相似文献
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利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。 相似文献
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本文介绍了无线传声器用调频振荡器的技术概况,并以频率稳定性为中心,比较了各种调频振荡器的性能,进而给出了 LiTaO_3晶体振子调频振荡器的基本电路和性能。 相似文献
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据业界预测,MEMS(微电子机械系统)振荡器正以120%的年增长率(在某些地方是该增长率的四倍)逐渐取代石英晶体振荡器。与石英晶体相比,MEMS振荡器的封装很小,而且价格相对更实惠,因此更适用于消费电子产品。 相似文献
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《电子设计技术》2006,13(8):129-130
广晟微电子有限公司采用捷智半导体公司0.18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出中国首次可供商用的3GWCDMA手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片(RS1007W)和发射芯片(RS1007RF),广晟微电子拥有该芯片组的全部知识产权。RS1007W和RS1007RF为3GWCDMA手机射频前端芯片组提供了一套完整的方案。RS1007W使用先进的零中频结构,片内集成了低噪声放大器,下变频混频器,自动增益放大器,低通滤波器,∑-△小数分频锁相环,压控振荡器,直流偏移校准电路,RC校准电路和I/Q不平衡校准电路。 相似文献
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TX4915是HiMARK技术公司推出的新型的低噪声AM/ASK发射器芯片,芯片内集成有基准振荡器,VCO(压控振荡器),相位检波器,可预置比例分频器,高频发射电路等。该片可工作在100MHz-90MHzVHF/UHF频带,完成低噪声AM/ASK发射。文中给出了TX4915的结构、原理、特性及应用电路。 相似文献
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《电子工业专用设备》2012,41(12)
面向世界各地的集成元件制造商(IDM)和最终测试分包商,设计和制造最终测试分选机、测试座和负载板的领先厂商Multitest公司,日前宣布其设备全面支持MEMS振荡器的相关优势。 相似文献
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