SiTime针对电子书和平板电脑推出MEMS振荡器SiT8003

全硅MEMS时钟解决方案供应商SiTime公司近日宣布针对平板电脑以及电子书产品设计所需的所有时钟振荡器,推出完整的解决方案。基于SiTime公司低功耗全硅MEMS振荡器平台,该完整方案可满足平板电脑及电子书设计中不同功能电路区块的所有频率需求。     

MEMS硅机械共振技术另辟振荡器新天地

时钟振荡器是电路中的一个必不可少的组成部分。目前市场中大部分时钟电路中采用的都是石英振荡器。30 多年来,业界一直在探讨一种能够替代石英振荡器的产品,因为石英的成本昂贵,相对于硅来说可靠性差,体积大,而且通常需要很长的生产周期,并且与CMOS并不兼容,在一个封装内只能提供一种振荡频率。近日,SiTime公司推出的MEMS硅振荡器,消除了石英振荡器所面临的困扰,在克服了其自身在长期稳定性、受温度变化影响等方面的不足后,未来将有望替代石英振荡器,开辟振荡器领域的新天地。     

成本降低封装减小MEMS市场将爆发

业界预测,MEMS（微电子机械系统）振荡器正以120％的年增长率（在某些地方是该增长率的4倍）逐渐取代石英晶体振荡器。Wicht科技顾问公司对MEMS的预测（WTC,慕尼黑,德国）,超过了YoleDevelopment公司稍早时候对MEMS代工厂的调查,当时,其预测的年增长率为30％。     

SOI CMOS器件研究

利用0．35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术（SOI）互补金属氧化物半导体（FD SOI CMOS）器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源／漏（LDD）结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应（SCE）和漏感应势垒降低效应（DIBL）;突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。     

MEMS振荡器有望取代石英振荡器

WTC（Munich,Germany）超越了早期Yole Development（Lyon,France）对MEMS芯片年增长为30％的预测。据WTC介绍,在消费电子和自动化电子产品微型化生产及单CMOS芯片多振荡器片上系统MEMS的驱动下,现有的250万美元MEMS振荡器市场在2012年将增长到140万美元。2012年之后,MEMS振荡器将在手机定时芯片方面达到10亿美元的市值。     

Discera公司推出商用MEMS振荡器

Discera公司提供CMOSMEMS共振器技术和下一代时域方案，并宣布其MEMS基振荡器也已顺利通过一系列的频率稳定性和标准半导体资格可靠性检测。该项检测旨在验证硅基MEMS共振器相对石英时域器件而言具有更好的频率稳定性、可靠性和耐用性。     

无线传声器用调频振荡器

本文介绍了无线传声器用调频振荡器的技术概况,并以频率稳定性为中心,比较了各种调频振荡器的性能,进而给出了 LiTaO_3晶体振子调频振荡器的基本电路和性能。     

IDT推出高性能应用的压电MEMS振荡器

拥有模拟和数字领域的混合信号半导体解决方案的供应商IDT@公司（IntegratedDeviceTechnology,Inc．）宣布,已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的CrystalFreeTM压电MEMS（pMEMSTM）LVDS／LVPECL振荡器。IDT的新型振荡器可在业界标准封装中以远低于1皮秒的相位抖动运行,     

意法半导体率先采用硅通孔技术，实现尺寸更小且更智能的MEMS芯片

意法半导体公司（STMicroelectronics,简称ST）日前宣布率先将硅通孔技术（TSV）引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多种MEMS产品（如智能传感器、多轴惯性模块）内,硅通孔技术以垂直短线方式取代传统的芯片互连线方法,在尺寸更小的产品内实现更高的集成度和性能。     

MEMS和石英技术争夺振荡器市场——访SiTime公司副总裁Piyush Sevalia先生

据业界预测,MEMS（微电子机械系统）振荡器正以120％的年增长率（在某些地方是该增长率的四倍）逐渐取代石英晶体振荡器。与石英晶体相比,MEMS振荡器的封装很小,而且价格相对更实惠,因此更适用于消费电子产品。     

单刀、六位RF开关达到四频段GSM手机要求

美国模拟器件公司（ADI）采用iMEMS技术推出了公司首个3轴加速度计产品——ADXL330。该款产品将MEMS传感器结构与信号调理电路集成在一起，功耗电流降低至200μA（20V电源电压条件下）。     

XP晶体振荡器系列

Pericom与Designcon公司联合推出首个低抖动、低功耗、高频晶体振荡器系列。该系列振荡器使用Pericom公司已申请专利的XP技术开发。XP技术通过独特的石英和硅集成技术,实现了低抖动、不基于PLL的振荡器,其频率范围为150MHz至220MHz。该系列振荡器适用于对成本和效能较为敏感的高增长串行连接应用,如10千兆以太网（10GbE）、无源光网络（PON）和串行连接SCSI（SAS）。     

Silicon Labs推出业界首款单晶片MEMS振荡器

SiliconLabs（芯科实验室有限公司）日前宣布推出业界最高集成度基于MEMS的Si50x振荡器,旨在替代需要低成本、低功耗和批量生产的工业、嵌入式和消费类电子应用中的通用型晶体振荡器（XO）。新型Si50x振荡器基于SiliconLabs专利的CMEMS@技术,此为首个在大批量生产中把MEMS架构直接构建于标准CMOS晶圆（Wafer）上,从而获得完全集成的高可靠“CMOS＋MEMS”单芯片解决方案。     

0．18μm锗硅3G WCDMA射频芯片组

广晟微电子有限公司采用捷智半导体公司0．18μm锗硅BiCMOS工艺成功开发出中国首次可供商用的3GWCDMA手机射频收发芯片组。广晟微电子的WCDMA射频收发芯片组包括零中频接收芯片（RS1007W）和发射芯片（RS1007RF），广晟微电子拥有该芯片组的全部知识产权。RS1007W和RS1007RF为3GWCDMA手机射频前端芯片组提供了一套完整的方案。RS1007W使用先进的零中频结构，片内集成了低噪声放大器，下变频混频器，自动增益放大器，低通滤波器，∑-△小数分频锁相环，压控振荡器，直流偏移校准电路，RC校准电路和I／Q不平衡校准电路。     

振荡器市场沉浮未定，赛普拉斯瞄准高端市场

颇具寓意的是,振荡器这个名字本身就意味着不安分,而振荡器技术的不断革新与演进使这种不安分在市场上得到更充分和形象的展现。从石英晶体振荡器到MEMS振荡器、全硅振荡器,以及Epson Toyocom的QMEMS振荡器,一场技术大战和市场争夺战早已打响。     

单片VHF／UHF发射器TX4915原理及应用

TX4915是HiMARK技术公司推出的新型的低噪声AM／ASK发射器芯片,芯片内集成有基准振荡器,VCO（压控振荡器）,相位检波器,可预置比例分频器,高频发射电路等。该片可工作在100MHz－90MHzVHF／UHF频带,完成低噪声AM／ASK发射。文中给出了TX4915的结构、原理、特性及应用电路。     

ADT公司成功研制新型MEMS和电子学金刚石基晶圆

Advanced Diamond Technologies（ADT）公司以研发工业、电子和机械应用金刚石膜而闻名,它研发出的新型金刚石涂层晶圆系列产品推动了MEMS和电子器件的发展。ADT公司的新产品包括绝缘金刚石（DOI）晶圆,该产品是ADT公司在硅晶圆上纯相位超纳米晶体金刚石（UNCD）蒸汽沉积制成的硅金刚石（DoSi）晶圆的扩展。     

Multitest设备全面支持MEMS振荡器的相关优势

面向世界各地的集成元件制造商（IDM）和最终测试分包商，设计和制造最终测试分选机、测试座和负载板的领先厂商Multitest公司，日前宣布其设备全面支持MEMS振荡器的相关优势。     

CrystalFree：压电MEMSLvDS／LvPECL振荡器

IDT公司推出针对高性能通信等应用的CrystalFree压电MEMS（pMEMS）LVDS／LVPECL振荡器。IDT的4M系列高性能LVDS／LVPECL振荡器利用IDT专利的CrystalFreepMEMS谐振器技术,让IDT能够迅速在出厂时编程所需的输出频率,无需微调昂贵的晶体。此外,由于pMEMS的本征谐振频率远高于石英晶体,     

纤巧型低频时钟芯片支持从1ms至9．5小时的长持续时间定时

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出简单和准确的低频时钟芯片UI、C6991,该芯片专门为长持续时间定时应用而设计。LTC6991是TimerBloxTM通用型硅定时器件系列的最新成员,它整合了准确的可编程振荡器与精准的电路和逻辑器件。一个极宽的可编程频率范围允许时钟以一个1ms至9．5小时的周期运作。