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本論文主要在分析和設計一種內置線性器去改善功率放大器的線性度,功率放大器其製程技術是使用AlGaAs/InGaAs 0.15μm D-mode pHEMT (砷化鎵鋁/砷化鎵銦增強式異質接面場效應電晶體)元件,電路設計的中心頻率在5.2GHz,以兩級cascade的架構,其操作偏壓點於Class A 和Class AB之功率放大器。內置線性器功率放大器的設計使用ADS軟體分析與模擬。並使用測量儀器HP-8510C網路分析儀分別測量出反射損耗(S11)為-15dB,功率增益(S21) 為15 dB、輸出功率為13.3 dBm、功率附加效率(PAE) 21%和IIP3 為 1.4 dBm、 OIP3約22.5 dBm,綜合5.2 GHz 內置線性器功率放大器可增加高頻增益、輸出功率、功率附加效率和線性度等特性,非常適用於微波微波積體電路功率放大器通訊應用價值。 相似文献
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Geoff Taylor 《集成电路应用》2014,(11)
POET Technologies公司曾预言,砷化镓(Gallium arsenide,Ga As)很快就会取代硅,成为高性能晶片的材料选择。相较于硅,砷化镓能在提升电晶体性能的同时,整合光学电路的功能;这些特质能带来更高的性能以及创新的晶片架构,并因此让摩尔定律(Moore's Law)寿命无限延长。 相似文献
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在長途載波电路中,都是采用音頻振鈴。为了型式統一,均由長途机械室送出低週交流信号(16~,20~,或50~),控制載波机振鈴器的送信繼电器动作,送出音頻信号。对方接收到此信号后,再經过放大、檢波使收信繼电器动作,向長途机械室送出强电流的低週交流信号(16~,20~,50~)。但因为轉換繼电器較多及控制繼电器的电流很微弱,所以容易發生障碍。过去振鈴器的障碍一般要佔到全部机障的一大半。在全国貫徹标准調整法以后,障碍有显著下降,但維护人員需要經常进行較复杂的調整,而振鈴器障碍的数量在一般載波站的机械障碍中仍然佔較大的比例。但如要制造完善的振鈴器,成本又相当昂貴, 相似文献
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正美商POET Technologies预言,砷化镓(Gallium arsenide,GaAs)很快就会取代硅,成为高性能晶片的材料选择;而曾任职于贝尔实验室(Bell Labs)的该公司共同创办人暨首席科学家Geoff Taylor表示,上述论点自1980年代就已经被提出。Taylor指出,相较于硅,砷化镓能在提升电晶体性能的同时,整合光学电路的功能;这些特质能带来更高的性能以及创新的晶片架构,并因此让摩尔定律 相似文献