变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能

在变形电子束曝光机中,为使曝光均匀必须保证靶上束斑电流密度物边缘分辨率不随束斑形状和尺寸的变化而改变。实现这一目标的关键是正确设计成形偏转器。本文讨论采用高灵敏度平行板偏转器实现成形偏转时,为达到上述目标应进行的线性补偿和旋转补偿的设计计算方法。给出了用实验方法改变电子源象与偏转板几何中心的轴向距离所测得的线性补偿因子和旋转补偿因子的值。实验结果与计算值符合较好。     

DY2001A型电子束曝光机软件系统设计

DY2001A型电子束曝光机是作为实用化的小型曝光系统而研制的。从设计角度详细阐述了DY2001A型电子束曝光机软件系统的构成，包括数据转换、对准校正套刻、硬件系统控制、曝光控制及数据建立和管理。     

静电曲轴宽电子束二级几何像差及系数的计算

由二级近似下的曲轴轨迹方程出发,探讨了静电曲轴宽电子束二级几何像差及其系数,并给出了适于计算的形式.在大量管型计算的基础上,文中给出了两个实际管型的几何像差及系数的计算结果,并由此得出一级与二级几何像差的差异趋势,对实际像管的设计与计算具有一定的理论指导意义.     

电子束曝光机静电偏转系统

以静电极板为电子束曝光机偏转负载，用双通道扫描原理进行扫描，并使用计算机辅助设计研究电子束曝光机聚焦偏转系统的结构。由SDS-3电子束曝光机试验结果表明，复合静电偏转可以达到磁偏转相似的像差水平。     

磨粒在线监测静电传感器设计

针对机器磨损状态监测要求,设计了一种油液磨粒在线监测静电传感器,并给出了静电传感器的结构模型.采用有限元法对传感器静电场进行数值求解,得到了传感器的灵敏度空间分布,并对影响传感器灵敏度的主要因素进行了仿真研究,对静电传感器的频率响应特性进行了分析.在此基础上,提出了油液磨粒在线监测静电传感器结构尺寸优化设计方法.最后,构建了油液磨粒静电监测实验系统,进行磨损监测实验研究.实验结果表明,静电传感器可有效监测到荷电颗粒物和油液磨粒,本系统适用于油液磨粒在线监测.     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。     

电子束曝光中电子散射模型的优化

提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.     

基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的研制

介绍了基于扫描电镜的电子束曝光机对准系统的原理,详细分析了此系统的硬件设计、软件设计以及扫描场的校正过程。利用硬件获取扫描图像,并进行实时标记校正,利用软件进行标记位置识别和校正参数计算,满足了曝光机对准系统在性能和精度上的要求。在100μm扫描场下进行拼接曝光实验,达到了77.3 nm(2σ)的拼接精度。     

亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构

介绍了亚微米电子束曝光机光路与结构设计，该电子光学系统采用透镜内偏转设计，系统象差小，偏转灵敏度高，工件面上电流密度大，通过调试和使用，电子束流、最小电子束斑直径等主要设计指标均达要求。     

电子束缩小投影曝光机对准模拟软件设计

文章介绍了对准技术，设计出用于电子束缩小投影曝光机的标记对准模拟软件，阐述其数学模型和算法设计，并模拟出标记对准的背散射信号。     

电子束曝光UV3正性抗蚀剂的工艺研究

为了在体硅CMOSFinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形，研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术；详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计尺寸和衬底材料等在内的各类工艺参数与实际曝光图形效果的关系；特别指出了曝光过程中特有的延迟效应及解决办法。采用最终的优化工艺条件，得到了合适的图形效果。