直流磁控反应溅射沉积ITO透明导电膜的研究

研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ＩＴＯ透明导电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性，讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率的影响。     

有机材料衬底的ITO透明导电膜的结构和导电特性研究

采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数对制备条件的依赖关系，对制备薄膜的导电机制进行了研究，     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的结构和光电特性

我们用反应蒸发法在氧分压２×１０－２Ｐａ、衬底温度８０～２４０℃条件下蒸发铟－锡合金，在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ膜，并研究了其结构和光电特性随制备衬底温度的变化．制备膜的最佳取向为（１１１）方向，迁移率为２０．７～３６．７ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１，载流子浓度为（１．７～４．４）×１０２０ｃｍ－３，适当调节制备参数，可得电阻率为６．６３×１０－４Ω·ｃｍ、在可见光区透过率达８２％的有机薄膜衬底ＩＴＯ膜     

SnO2／ITO复合透明导电膜研究

在普通的真空镀膜机上,首次采用电阻加热蒸发和电子束蒸发相结合的新工艺,研制出平面的和绒面的 SnO_2/ITO复合透明导电膜.在可见光区内膜的透射率分别大于 90％和 85％,方块电阻小于 10Ω/□.用这种膜制备非晶硅太阳电池,效果令人满意,光电转换效率与日本旭消子的同类膜相同.     

柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究

用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ＩＴＯ透明导电薄膜,对薄膜的低温制备、结构和光电特性进行了研究,制备的薄膜为多晶膜,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构,最佳取向为（１１１）方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为６．６３＊１０＾－４Ω．ｃｍ,透过率达到８２％。     

光电子器件用透明导电膜

本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物透明导电膜的机理、制备及实验结果，并对某些参数在电阻率透射率方面的影响作了讨论。     

基于有机电致发光显示的透明导电膜ITO

介绍了ITO作为OLED器件阳电极时，ITO各参数对OLED整体性能，如发光亮度、效率、寿命和稳定性的影响，并以溅射ITO工艺为例，分析了制备与处理环境对ITO的方阻、透过率、表面平整度及功函数的影响。针对其成因．提出了一些改进措施。对高性能平板显示OLED器件用透明导电阳极的研制具有一定的参考价值。     

透明导电氧化物薄膜的新进展

透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟，分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年，TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期，研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势；多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求；具有高载流子迁移率的In2O3：Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路；真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。     

提高红外写入液晶光阀透明电极导电性能方法的研究

介绍了一种改善红外写入液晶光阀半导体透明导电膜导电性能的一种方法。通过对氧化铟掺铟比例的研究，经过大量科学实验，并采用X光电子能谱仪对两者的比例进行了定量分析，发现在对膜层透过特性影响不大的情况下，两者之间的质量百分比在90％比10％左右时，其膜层导电性能有明显提高，从方电阻十几kΩ／□降至730Ω／□。我们将此法制备的以BaF2为基底，在中心波长为10．6μm处透过率为56％，方电阻为730Ω／□的透明导电膜应用在红外写入液晶光阀透明电极上，得到了令人满意的效果。     

铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响

采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。     

超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。     

基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率。利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征。实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低。本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系。     

ITO/Ag/AgNW新型复合透明导电薄膜性能研究

采用磁控溅射和湿法涂布技术制备了一种ITO/Ag/AgNW结构的新型复合透明导电薄膜。研究其光学、电学等性能发现:ITO/Ag/AgNW薄膜在400~700nm的平均透过率高于ITO/Ag/ITO薄膜,且方块电阻远小于ITO/Ag/ITO薄膜,达到6.9Ω/□;耐弯折性能测试后,其方块电阻约增加62%,达11.2Ω/□。研究结果表明,这种新型的复合透明导电薄膜具有低阻、高透及耐弯折良好的特性,在柔性显示领域具有一定的应用潜力。     

基底温度对直流磁控溅射ITO透明导电薄膜性能的影响

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2)=9:1.运用分光光度计,四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用X射线衍射(XRD)仪对薄膜进行结构分析.计算了晶面间距和晶粒尺寸,分析了薄膜的力学性质.实验结果表明,在实验设备条件下,直流磁控溅射ITO陶瓷靶制备ITO薄膜时,适当的基底温度(200℃)能在保证薄膜85%以上高可见光透过率下,获得最低的电阻率,即基底温度有个最佳值.薄膜的结晶度随着基底温度的提高而提高.     

氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题