苯并噁嗪树脂在无卤低介电覆铜板中的应用

利用DSC测试仪、GT测试仪和从阻抗材料分析仪，从反应性、热学性和介电性能方面对覆铜板行业常见的3种苯并噁嗪树脂展开实验研究。结果表明：二氨基二苯甲烷苯并噁嗪（MDA-BOZ）的自聚反应起始温度为167.15℃，其反应活性最高；双酚A型苯并噁嗪树脂（BPA-BOZ）的反应活性最低且在固化物玻璃化转变温度和介电损耗方面的表现不如二胺型苯并噁嗪，并从分子结构层面分析了性能差异。在无卤低介电覆铜板配方中对3种苯并噁嗪树脂进行应用考察，评估了3种苯并噁嗪树脂在板材的剥离强度、热学性、热膨胀性和介电性能方面的表现。结果表明：在10%的添加量下，3种苯并噁嗪树脂可明显降低配方的介电损耗并提高玻璃化转变温度，BPA-BOZ体系的玻璃化转变温度仅为172.53℃，介电损耗为0.008 2，综合表现最差。该研究可为无卤低介电覆铜板开发提供参考。     

双噁唑啉改性苯并噁嗪的性能研究

本文介绍了苯并嗯嗪的合成以及改性的方法。2，2’-（1，3-间苯撑）双-2-噁唑啉与二胺型苯并嗯嗪树脂共聚，共聚后树脂的玻璃化转变温度可达到250℃；残炭率可达到54S。填料的加入使得苯并嗯嗪的阻燃性达到应用需求。但是填料过量会导致工艺性能下降。在少量加入某几种阻燃剂的情况下，能使得树脂具有理想的阻燃性能，UL94测试能够达到V-0级。     

一种用于高T;无卤覆铜板的含氮酚醛树脂的制备方法

文章涉及一种新型含氮树脂的制备方法,替代传统的含氮树脂,使用溶剂充分溶解,作为含磷树脂的固化剂,可用于无卤覆铜板的生产,所得覆铜板的性能均一,T;180 ℃以上,耐热性T288 ℃约为10 min。     

功率晶体管的树脂封装

本文讨论了树脂封装的功率晶体管的特性,即成形性,热膨胀系数、吸水性、透水性,热变形、热传导、热稳定性及体电阻等。目前所采用的树脂封装,是可达大约20～30瓦的功率晶体管。当 Pc=600毫瓦以上,T_1=150℃时主要是采用硅酮树脂,在600毫瓦以下,T_1=150℃时主要是采用环氧树脂,复盖晶体管主要是采用硅酮树脂。在树脂封装中,普遍采用使液态、粉末态及粉末成形了的块状材料及递模封装法。     

FR-4基材板缺点分析及对策

（1）DRY（Dried Laminate）一基板千涸原因分析：DRY是一个非常令人头痛的问题，有程度的分别，情节严重者为全面性干涸，轻微者发生于边角，发生原因可能是玻璃布的耦合剂（Coupling Agent）与树脂的兼容性不佳遵致滋润（Wet Out，沾胶性）不良。     

无铅焊接的隐忧（上）

一、无铅与有铅的优劣对比 1．1各种无铅焊料中以SAC305（Sn96.5％、Ag3％、Cu0.5％）为主流，其液化熔点（Liquidus m．P．）约在217℃-221℃）之间，比现行Sn63／Pb37之共熔合金（Eutectic Composition）至少高出34℃：以Reflow为例其平均操作时间约延长20秒，致使热量（Thrtmal Mass）大增，对元件与电路板影响极大。     

高性能BT树脂基覆铜板的研制

研制出了双烯封端棒状聚酰亚胺,并用其改性BT树脂,制得了低收缩BT树脂/石英布覆铜板。其平面方向热膨胀系数为3.1106℃1,厚度方向为1.3105℃1,优于国外同类产品;另用聚苯醚改性BT,制得低介电常数的BT树脂/玻璃布覆铜板,其er可小到3.6(106 Hz),厚度方向热膨胀系数为4.07×105℃1。改性后保留了BT树脂的其它优良特性。     

热处理对双离子束溅射SiO2薄膜力学及热力学特性的影响

光学薄膜的力学及热力学特性决定了光学系统性能的优劣。采用双离子束溅射的方法在硅110和肖特石英Q1基底上制备了SiO2薄膜,并对制备的膜层进行退火处理。系统研究了热处理前后SiO2薄膜的力学及热力学特性。研究结果表明,750℃退火条件下SiO2薄膜的弹性模量（Er）增加到72 GPa,膜层硬度增加到10 GPa。镀完后未经退火处理的SiO2薄膜表现为压应力,但是应力值在退火温度达到450℃以上时急剧降低,说明热处理有助于改善SiO2薄膜内应力。经退火处理的SiO2薄膜泊松比（vf）为0.18左右。退火前后SiO2薄膜的杨氏模量（Ef）都要比石英块体材料大,并且750℃退火膜层杨氏模量增加了50 GPa以上。550℃退火的SiO2薄膜热膨胀系数（f）从6.7810-7℃-1降到最小值5.2210-7℃-1。     

BNN对BZN系统结构和介电性能的影响

研究了Ba（Ni1／3Nb2／3）O3（BNN）对Ba（Zn1／3Nb2/3）O3（BZN）系统结构和介电性能的影响。系统的主晶相为立方钙钛矿结构的BZNN，并有少量第二相如Ba5Nb4O15，BaNb2O6等。实验表明，引入适量的BNN可以调整BZN的温度系数，且能有效改善其介电性能，当BNN摩尔分数为0．7时，于1450℃，1500℃烧结时性能最好。系统在较高温度下（1550℃）烧结时形成富Nb液相区。     

一种断裂的PVC片材的微观结构研究

对不会断片（F）和会断片（G）两种塑料片材的成份、微观织态结构、结晶度、热和机械性能用FT－IR、X射线萤光光谱仪、TEM、XRD、热分析仪和拉力实验机进行对比研究。结果表明：1）F和G的成份都是聚氮乙烯树脂，含酯增塑剂和少量添加剂；2）F颗粒尺寸在165m－34nm之间；3）G的颗粒尺寸在1μm－65nm之间，最大与最小颗粒尺寸相差15倍。文中对PVC薄片迅速断裂的机理进行了讨论，认为G迅速断裂是由于增塑剂含量少而加工温度又低（＜190℃）造成的。     

新一代高耐热性、高模量、低CTE覆铜箔层压板材料

随着PCB的发展,CCL的要求越来越高,主要表现为耐热性和可靠性,特别在高多层板中的密集BGA孔的爆孔：厚铜多层以及HDI应用中发生的爆板问题,这些问题在无铅化时代表现的更为严重。文章研究了一种高耐热性、高模量．低CTE覆铜箔层压板及粘结片材料,该材料的特点为您（DMA）〉220℃,见（5％loss）〉355℃,Z轴热膨胀系数α1：50．2μm／m℃,α2：170．6μm／m。另外,材料在高温（200℃）下的模量保持率为普通高绝材料的3倍。通过材料的优化设计,达到性能的平衡。     

厚铜PCB用高填充性半固化片的研制

一般地,106半固化片的树脂含量（简称RC）只能达到75％左右。因厚铜（铜厚达到105μm及以上）印制电路板的线路间需要更多的树脂来填充,故普通工艺制造的半固化片就很难满足厚铜印制线路板的填胶性。因此,本文研究了提高半固化片RC的新工艺方法,从而改善半固化片对厚铜印制线路板的填胶性能。     

层压板热压释放残余应力对多层印制板品质的改善

多层印制板基材的玻璃化温度、Z轴膨胀系数、热裂解温度、热分层时间及层压板固化度△Tg大小是印制板生产厂家极为关注的主要产品性能。多层板件翘曲和尺寸胀缩变化亦是多层板生产中最常见而又最难解决的产品缺陷之一。系列试验表明这些问题均与层压板残余热应力有关,而残余应力的产生与板料树脂配方、PCB线路分布均衡性、PCB制程条件等相关。丈章在简要介绍层压板残余热应力产生的基础上,重点阐述了从优化层压工艺的角度出发,采用热压释放残余应力,改善多层印制板△Tg,板件翘曲、尺寸涨缩及耐热性等多方面性能。     

高Tg多层印制板孔壁微裂纹的改善

在印制板的化学沉铜过程中,用于中Tg基板的工艺流程和配方,在加工高Tg基板时会出现非钻孔腻污等常见现象引起的孔壁微裂纹。实验表明,在不改变溶液体系的情况下,通过改善化学沉铜工艺流程和优化配方两种方法,可以极大的改善高他印制板的孔壁微裂纹情况,其中化学沉铜槽的配方对孔壁微裂纹起到决定性的影响。     

二氧化硅在CCL中的应用研究

为了给铜箔积层板设计提供科学指导，采用动力学分析（DMA）和热力学分析（TMA）等表征手段，研究了二氧化硅和硅烷偶联剂对产品尺寸稳定性及力学强度的影响。结果表明：（1）二氧化硅（未使用硅烷偶联荆处理）添加比例为30％时，热膨胀系数为2．76％，产品的储能模量和力学损耗tanδ拐点温度分别达到15615MPa和163．53℃，产品的尺寸稳定性和力学强度最好。（2）二氧化硅和硅烷偶联剂添加比例分别为25％和1．5％时，产品的储能模量和力学损耗tanδ拐点温度分别达到14644MPa和169．5℃，表明添加硅烷偶联剂能够显著提高产品的力学强度。     

氰酸酯／BMI／环氧树脂共混体系在IC封装基板材料中的应用

文章介绍了采用氰酸酯树脂、双马来酰亚胺、环氧树脂共混体系研制一种用于IC封装基板领域的高性能覆铜板。所研制的覆铜板与环氧树脂体系覆铜板相比,具有高Tg、低介电常数、低CTE的性能。     

碱性蚀刻液影响PCB蚀刻速率的因素研究

采用正交试验方法,研究了碱性氯化铜蚀刻液中（Cu2＋）、（Cl-）、pH值、及蚀刻液温度对铜箔蚀刻速率的影响规律.结果表明：在因素水平范围内,对蚀刻速率影响的大小顺序为蚀刻液温度〉Cu2＋浓度〉pH值〉Cl-浓度,最佳蚀刻工艺条件为（Cu2＋）=100g/L,（Cl-）=120g/L,pH=8.5,T=50℃,静态蚀刻速率可达8.76mm/min.     

印制板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨的制作及性能研究

文章讲述了印制电路板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨。制作的油墨黏度经黏度计测得0.087 Pa＆#183;s。TGA（热重分析）的分析结果显示油墨的固化条件为180℃、4 h。研究了固化后的埋置电阻油墨性能,包括电阻性能,玻璃化温度Tg,电阻温度系数TCR和热膨胀系数CTE等。该性能参数说明了固化后的埋置电阻油墨能够很好地与市面上大部分的印制电路板的兼容。最后,使用扫描电镜SEM观察到了炭黑颗粒在粘接剂树脂中的分布情况。     

超厚铜多层印制电路板制作工艺探讨

主要针对411．6μm（单位面积铜重量：12oz／ft^2超厚铜箔多层PCB的制作工艺进行研究,采用铜箔反面蚀刻＋压合＋正面蚀刻的技术,有效解决了超厚铜蚀刻困难和压合填胶困难等业界常见的技术难题,保证线路的蚀刻质量和压合的效果。极大提升了品质,满足了客户的特种需求。     

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究

文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。