Ba^2＋离子对Sr2Al2SiO7∶Eu^2＋荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2＋离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7∶Eu2＋（x=0、0.1、0.2、0.4）荧光体。研究了Ba2＋离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2＋离子取代Sr2＋离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7∶Eu2＋荧光体发光性能的影响。XRD结果表明Ba2＋离子取代Sr2＋格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大。进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2＋离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2＋离子外层电子受Ba2＋离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移。同时,掺入Ba2＋离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2＋离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降。Ba2＋离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7∶Eu2＋（x=0、0.1、0.2、0.4）荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7∶Eu0.022＋荧光体的发射峰相比出现红移。     

Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2 (x=0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)荧光体.XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu2 离子部分取代Sr2 格位进入Sr2Al2SiO7晶格.Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu2 的4f→5d 跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu2 离子4f65d→4f7跃迁导致的宽带发射.XRD结果表明Mg2 添加浓度从x=0.1～1.0增加,Mg2 离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格.Mg2 离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7∶Eu2 发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7∶Eu2 0.02发射主峰仍位于500nm;x＞0.2后,Mg2 离子取代Sr2 离子使晶体场强度减弱,Eu2 离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2 发射峰蓝移至460nm.     

Mg^2＋离子对Sr2A12SiO7：Eu^2＋荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7：Eu^2＋荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7：Eu^2＋（x=0．1,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）荧光体。XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu^2＋离子部分取代Sr^2＋格位进入Sr2Al2SiO7晶格。Sr2Al2SiO7：Eu^2＋荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu^2＋的4f→5d跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu^2＋离子4f^65d→4f^7跃迁导致的宽带发射。XRD结果表明Mg^2＋添加浓度从x=0．1～1．0增加,Mg^2＋离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格。Mg^2＋离子添加浓度x=0．1时对Sr2Al2SiO7：Eu^2＋发射光谱影响不大,Sr1．9Mg0.1Al2SiO7：Eu0.02^2＋发射主峰仍位于500nm;z〉0．2后,Mg^2＋离子取代Sr^2＋离子使晶体场强度减弱,Eu^2＋离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7：Eu^2＋发射峰蓝移至460nm。     

Eu2+在Sr2SiO4·SrCl2材料中的发光特性

采用高温固相法制备了Sr2SiO4.SrCl2∶Eu2+荧光粉,并研究了材料的发光特性。X射线衍射结果显示,Sr2SiO4.SrCl2∶Eu2+材料是由SrCl2∶Eu2+和Sr2SiO4∶Eu2+构成的复合化合物。以320nm紫外光作为激发源,测得材料的发射光谱呈宽谱特征,覆盖350～600nm。在0.5%～2%范围增大Eu2+掺杂量时,位于蓝色光区域的发射峰位置没有变化,为403nm,处于长波方向的发射峰呈现出先红移、后蓝移的变化趋势,但两发射峰的强度均明显减小。监测两发射峰,所得结果分别对应SrCl2∶Eu2+和Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发光谱,覆盖250～400nm。分析认为,材料的光谱分布及发射强度的变化与晶场环境及处于不同Sr2+格位上Eu2+间的能量传递等有关。     

燃烧法合成SrZnO_2:Eu~(3+),Li~+及荧光性能

采用燃烧法合成了SrZnO2:Eu3+,Li+发光材料,用X射线衍射谱、荧光光谱对样品进行了表征。结果表明,Eu3+和Li+成功掺入SrZnO2基质中,Eu3+离子在基质中主要占据Sr2+离子不对称性格位,发射来源于5D0→7F2615nm为主的红光。加入电荷补偿剂Li+离子的掺入能显著提高发光强度,其影响程度与Eu3+、离子和Li+离子的掺杂比例密切相关。     

Sr2Al2SiO7体系荧光粉掺杂Eu2＋和Ce3＋的光谱性能及能量传递研究

采用高温固相法合成了Sr2Al2SiO7∶Re（Re=Eu2＋,Ce3＋）荧光粉,研究了Eu2＋和Ce3＋在该基质中的发光特性,以及Eu2＋、Ce3＋共掺时的能量传递现象。研究表明Sr2Al2SiO7∶Eu2＋激发光谱呈宽带激发,最大发射峰位于513nm,Eu2＋最佳掺杂浓度为5%（摩尔分数）。Sr2Al2SiO7∶Ce3＋有两个激发峰,分别位于300和337nm,发射峰位于406nm,当Ce3＋浓度达到2%（摩尔分数）时发射强度最大。Eu2＋和Ce3＋在该体系共掺时存在Ce3＋到Eu2＋的有效能量传递,有利于提高体系的发光效率。     

稀土离子RE(RE=Pr,Nb,Eu)在Sr2CeO4基质中的发光性质

通过燃烧法合成了Sr2CeO4:RE材料,研究了Sr2CeO4材料的结晶过程和发光性质及Pr3+,Nd3+和Eu3+稀土离子在Sr2CeO4基质中的发光性能.实验通过燃烧法制得的前驱体在1200℃焙烧2 h可得均一的Sr2CeO4相,较传统方法的合成时间大为降低.稀土离子Pr3+,Nd3+和Eu3+的在基质中的少量掺杂(0.02%)均可使Sr2CeO4在475 nm左右的特征发射谱峰明显变宽增强,且Eu3+离子的掺杂可使材料在510 nm,540nm,610 nm左右产生多个明显的稀土离子的特征发射峰.实验合成的发光材料具有良好的发光性能,证明Sr2CeO4材料可作为一种优良的发光材料的基质使用,为寻找新型的发光材料提供了一条新的途径.     

Eu2+离子在Sr2Al6O11基磷光体中发光行为的研究

研究了不同Eu掺杂浓度对Sr2Al6O11基磷光体发光性能的影响。结果发现，当Eu掺杂浓度低于0.01mol时，在其发射光谱中存在403和493nm的主发射峰，对应着Sr2Al6O11基质中Sr的两种不同位置Sr1和Sr2位。随着Eu掺杂浓度增加，由于能量传递作用，导致403nm的发射峰消失，493nm的发射峰增强。余辉衰减曲线表明，未掺杂Dy的磷光体没有余辉性能，当Eu掺杂量在0.01mol时，余辉性能最好，进一步提高Eu的掺杂量，由于浓度猝灭作用，导致发光性能下降。     

硼酸对Sr2Al6O11:Eu2+微波合成及荧光性质的影响

在微波场作用下合成了Sr2Al6O11:Eu2 x%(质量分数)(H3BO3)(x=0、1.5、3、5、7、9)系列蓝色光致发光材料.X射线粉末衍射(XRD)结果表明,未加硼酸作助熔剂时,产品的主相为SrAl2O4,硼酸在x=1.5～9之间产品的主相都为Sr2Al6O11.扫描电镜(SEM)观测结果:适量硼酸的加入有助于晶体的形成,硼酸的量为0时,产物为颗粒,硼酸量为x=1.5时,开始出现棒状晶体,当硼酸量为x=5时,产物主要为棒状晶体,当硼酸量x＞7时,产品明显团聚.荧光光谱显示:随硼酸量的增加,产品发光强度先增强后减弱,硼酸加入量为x=7,发光强度最高.Eu2 在Sr2Al6O11中存在两个发光中心,发射峰分别位于456.7nm(Eu2 1)和483.4nm(Eu2 2).当硼酸量＞7%(质量分数)时,发射峰红移,归因于硼酸对两种位置Eu2 的发光性能有不同的影响.     

杂质离子对Y_2O_3∶Eu~(3+)发光性能的影响

研究了碱金属及碱土金属离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,A+ 0 .0 2 (A =Li、Na、K)和Y2 O3∶Eu3+ 0 .0 5,B2 + 0 .0 2 (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的荧光、余辉发光及热释光特性。余辉光谱数据表明 :杂质离子掺杂的荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的余辉发射主峰与未掺杂荧光体Y2 O3∶Eu3+ 的荧光发射主峰 (611nm)一致 ,为经典Eu3+ 的5D0 7F2 电偶极跃迁 ;杂质离子的引入明显地延缓了Y2 O3∶Eu3+ 的余辉衰减 ,其中Y2 O3∶Eu3+ ,A+ (A =Li、Na、K)的余辉衰减趋势几乎完全一致 ,而Y2 O3∶Eu3+ 、B2 + (B =Mg、Ca、Sr、Ba)的余辉衰减趋势由慢到快依次为Ca、Sr、Ba、Mg。热释光谱数据显示 ,杂质离子的掺杂导致基质中电子陷阱能级的生成 ,这是导致余辉衰减减慢的直接原因。Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 的热释峰都位于 175℃左右 ,相应电子陷阱能级深度为 0 .966eV左右 ;而Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释峰由高到低分别位于 192℃ (Ca)、164℃ (Sr)、13 5℃ (Ba)、118℃(Mg) ,电子陷阱能级深度分别为 1.0 0 3eV(Ca)、0 .942eV(Sr)、0 .880eV(Ba)、0 .843eV(Mg)。结合余辉衰减数据 ,可以看到 ,Y2 O3∶Eu3+ ,A+ 和Y2 O3∶Eu3+ ,B2 + 的热释光谱与相应荧光体的余辉衰减趋势吻合得十分好 ,由此可以得出 ,一定相同的条件下 ,热释峰值温度越高 ,杂     

Zn^2＋和CO^2＋对汽车件无镍常温磷化膜性能的影响

由于Ni2 污染环境,汽车磷化向无Ni或低Ni方向发展,采用扫描电镜(SEM)研究了Zn2 ,Co2 浓度对常温低锌汽车磷化膜性能的影响,对磷化液中添加不同量Co2 所形成的磷化膜做了对比试验.证实Co2 能细化磷化膜的晶粒形态,同时使磷化膜晶粒由片状向柱状转变;耐碱蚀试验表明,当Co2 从0.084g/L增加到0.420g/L时,在碱液中15min后的失重量从1.07g/m2下降到了0.60g/m2,这表明磷化液中Co2 的加入能提高磷化膜耐碱性,有利于提高随后的电泳涂膜的附着力(均达到1级)和耐冲击性能.试验证明,在汽车常温磷化中采用Co2 取代Ni是一种可行的方式.     

蓝色长余辉发光材料Sr2MgSi2O7:Eu2+,Ln3+的合成和性质

采用凝胶-燃烧法合成了系列稀土掺杂的Sr2MgSi2O7:Eu2 0.02,Ln3 0.04(Ln=La,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm)蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:掺杂了不同稀土离子的Sr2MgSi2O7:Eu2 ,Ln3 的晶体结构均为四方晶系结构;其激发、发射光谱的峰形、峰位基本无变化,激发光谱为一宽带,最大激发峰位于402nm处,次激发峰位于415nm处,与高温固相法制得的样品相比,激发峰发生了明显的红移;发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于468nm附近,是由典型的Eu2 的4f5d-4f跃迁导致的,不同之处在于其激发光谱、发射光谱强度与余辉性质有所差别,其中Dy3 是最理想的共掺杂稀土离子,Sr2MgSi2O7:Eu2 ,Dy3 的亮度最高、余辉时间最长,可达5h以上;而Sr2MgSi2O7:Eu2 ,Sm3 的发光强度最低,余辉时间最短.     

TiO2载Cu2+、Zn2+无机抗菌剂的制备及性能研究

采用固相合成法制备以TiO2为载体,以Cu2 、Zn2 为主要抗菌成分的无机抗菌剂,研究了制备条件及Cu2 、Zn2 含量对抗菌性能的影响,结果表明:当热处理温度为450～600℃,保温时间为2h,Cu2 和Zn2 质量百分含量比为(0.66～1.18):(2～3)时,样品均具有较好的抗菌效果;具有最好抗菌效果的样品中,TiO2以锐钛矿相存在,同时羟基氧的生成及Cu2 和Cu 的共存,使得样品具有良好的抗菌效果.     

Eu2+和Dy3+掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响

采用高温固相法制备得到Sr₂MgSi₂O₇: Eu²⁺和Sr₂MgSi₂O₇: Eu²⁺, Dy³⁺发光粉, 并详细研究了Eu²⁺和Dy³⁺的掺杂浓度对Sr₂MgSi₂O₇材料的荧光和长余辉性能的影响。所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰, 这可归因于Eu²⁺离子的4f⁶5d→4f⁷电子能级跃迁。当Eu²⁺掺杂浓度超过淬灭浓度, 其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短。同时, 发射峰的峰位随Eu²⁺浓度的增加而发生红移, 这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的, 而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱。Dy³⁺离子会抑制荧光, 但有助于延长余辉时间。当其掺杂浓度超过10mol%时, Eu²⁺\Dy³⁺离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭, 从而使材料的长余辉寿命减少。     

用标准加入光度法同时测定镀液中的Co2+与Ni2+

为寻找合金镀液中Ni2 ,Co2 快速、准确的测定方法,进行了用标准加入光度法同时测定镀液中的钴和镍的研究.用钴的等吸收点波长490 nm和530 nm作为测定波长,以镍为标准加入组分,用4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚(PAR)作显色剂,溶液pH值为9～10.在镀液样品中进行加标回收试验,平均回收率钴为100.4%,镍为101.5%,最大相对标准偏差钴为6.1%,镍为4.6%;还探讨了测定条件对结果的影响.结果表明,该方法操作简单,可行性强,准确度较高.     

镧铁掺杂的纳米TiO2薄膜的光吸收性能研究

采用溶胶-凝胶法,以钛酸四丁酯为原料,在生物载波片上制备了金属离子镧铁双元掺杂纳米TiO2薄膜,经过440℃高温热处理后,TiO2为锐钛矿型;通过紫外可见分光光度计测量薄膜的透射光谱,发现掺杂后TiO2的吸收边有改变,薄膜对可见光的吸收也明显加强.     

(Sr2+,Bi3+,Si4+,Ta5+)掺杂的TiO2压敏陶瓷中Ta5+的研究

研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2 0 .3%(SrCO3 Bi2 O3 SiO2 ) 0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。     

V~(5+)-Sr~(2+)共掺杂对TiO_2基压敏陶瓷性能的影响

研究了V~(5+)-Sr~(2+)共掺杂对TiO_2基压敏陶瓷电学性能的影响。采用固相烧结方法制备V~(5+)-Sr~(2+)共掺杂TiO_2样品。利用XRD衍射仪检测物相和SEM测定显微结构。用压敏电阻直流参数仪测定V~(5+)-Sr~(2+)共掺杂TiO_2样品在不同烧结温度和掺杂量下的电学性能。结果表明:掺杂0.35mol%的V_2O_5,XRD衍射仪没有检测到第二相的产生。随着SrCO_3掺杂量以及烧结温度的增加,样品压敏电压和非线性系数都有不同的变化趋势。当烧结温度为1 300℃、Sr~(2+)掺杂量为0.5mol%时,样品的各项电学性能最优:V~(5+)-Sr~(2+)共掺杂TiO_2样品压敏电压达到16.3V/mm,非线性系数α达到5.6。     

Pb^2＋与Al^3＋掺杂对SiO2薄膜电荷贮存性能的影响

较高的表面能是ＳｉＯ２薄膜产生亲水性并导致体内贮存电荷失稳的重要原因。极性Ｐｂ６２＋离子的掺入有效地降低了ＳｉＯ２薄膜的表面能，使表面趋于中性，增强了疏水性。此外，Ｐｂ＾２＋，Ａｌ＾３＋离子作为填隙式离子和替位式离的掺入较好地改善了ＳｉＯ２薄膜的网络结构并使其致密化，使样品在保持原有良好的负电荷存储性能基础上，又对称增增加了优良的正电荷贮存能力。     

Fe2+-H2O2引发淀粉-二甲基二烯丙基氯化铵接枝共聚的研究

采用Fe^2 -H2O2氧化还原引发体系进行淀粉与二甲基二烯丙基氯化铵（DMDAAC）接枝聚合，制备了一系列分子中含有阳离子季铵基团的淀粉－DMDAAC接枝共聚物。研究了单体浓度，引发剂用量，反应温度对接枝体系的接枝率，接枝效率，单体转化率和阳离子度等因素的影响，探讨了Fe^2 -H2O2引发淀粉接枝DMDAAC共聚反应的基本规律。并用IR和^1H-NMR对接枝共聚物进行了分析表征。