1.52um InGaAsP／InP分别限制量子阱激光器

报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０ｕｍ和１．３ｕｍ ＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子阱结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。     

国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定

利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。     

亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器

报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构，降低了器件串联电阻。对于２×３μｍ２的台面结构ＶＣＳＥＬ，室温连续工作阈值电流一般为１．５ｍＡ，最低达到０．７ｍＡ，阈值电压为２．５伏，输出功率达到０．５ｍＷ，激射波长为０．９４ｕｍ，量子效率为１２％。     

GaInAsSb共振腔增强光电探测器设计

本文用一插值和介电常数的计算模型,得到了ＧａＩｎＡｓＳｂ四元系２．４μｍ探测器材料的 份及其折射率。将传统的Ｐ－ｉ－ｎ－ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器结构置于两组ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳＢ Ｂｒａｇｇ反射镜之间,可以得到接近１的量子效率。本文用传递矩阵方法（ＴＭＭ）计算了ＡｌＡｓＳｂ／ＧａＳｂ Ｂｒａｇｇ反射镜的反射率与波长及反射镜个数的关系,并对探测器的结构进行了设计,讨论了吸收系数与波长的函数对探测器量子     

用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ庆变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１２０Ａ／ｃｍ＾２，激光波长在９８０ｎｍ左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｎｍ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为１５ｍＡ，外微分量子效率的典型值和最好值分别为０．８ｍＷ／ｍＡ和１．０ｍＷ／ｍＡ，线性输出功率大于１２０ｍＷ，在２０℃－５０℃的特征温度Ｔ０为１２５Ｋ。器件     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

介绍了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽１００μｍ,腔长１６００μｍ未镀膜激器。室温阈值电流密度为２２１Ａ／ｃｍ＾２,激射波长为１．０８μｍ,连续波工作最大光功率输出为２．７４Ｗ（双面）,外微分效率为８８％,经５０℃,１０００ｈ老化,仍有〉１．２Ｗ的光功率输出。     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。     

1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器

采用气态源分隔束外延方法及应变补偿生长工艺生长了ＩｎＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰ应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制成了脊波导型１．３μｍ激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于１０ｍＡ,在２５℃至９０℃温度范围内特征温度大于９０Ｋ,并表现出较好的单纵模特性。     

980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器

报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果，激光器阀值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大地１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％，５０℃，８０ｍＷ恒定功率条件下老化实验结果表明；该条件下激光器寿命超过１０００小时。     

GaAs—InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备

提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ初底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃ ｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｇ／ｍｍ，可满足与长波长光这器件进行单片集成的需要。     

量子点激光器及其应用研究

报道了分子束外延生长出自组装垂直耦合ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ大功率量子点激光器材料和器件。对腔长为８００μｍ,室温下和７７Ｋ下边续激射阈值电流密度分别为２１８Ａ／Ｃｃｍ＾２和４９Ａ／ｃｍ＾２,波长为９６０ｎｍ,最大输出功率大于１Ｗ。首次报道在０．５４Ｗ工作下,寿命超过３０００小时,功率仅下降０．４９display status０     

电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在５０ＫＶ加速电压下,其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２,曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍,分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ,首先,用Ｉ线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余     

940nm高功率列阵半导体激光器

利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（５００μｓ,１００Ｈｚ）输出功率达到２７Ｗ（室温）,峰值波长为９３９￣９４１ｎｍ,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

电子束蒸镀半导体发光二极管的减反射膜

用电子束蒸发设备，制备了用于光纤通信等中的ＧａＡｓ和ＩｎＰ系列双异质结红外发光二级管的减反射介质膜。测量结果表明，对发光波长为０．８５μｍ和０．９０μｍ的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ发光二级管，蒸镀四分之一波长厚的Ａｌ２Ｏ３减反射膜，输出光功率在５０ｍＡ和１００ｍＡ电流注入下，可增加２５￣３５％，最大可增加５０％。但对于１．３μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ型红外发光二极管，用ＺｒＯ２作减反射膜，比用Ａ     

K波段单片功率放大器

报道了Ｋ波段的ＰＨＥＭＴ ＭＭＩＣ的设计与研制。ＰＨＥＭＴ器件采用０．５μｍ栅长的３ｉｎｃｈ ＧａＡｓ标准工艺制作。三级的ＭＭＩＣ放大器在１８ＧＨｚ处,线性增益１７ｄＢ,输出功率Ｐ－１＝１９ｄＢｍ。Y     

气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用

本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。