分离栅式快闪存储器擦除性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,由于具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是在嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。随着闪存市场高集成度的发展需求,分离栅式快闪存储器的尺寸也在逐渐地缩小。从结构和工艺优化方面探讨在这一微缩过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的擦除效率。通过实验发现通过形成非对称性浮栅结构,优化浮栅到擦除栅侧的结构形貌,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的擦除性能。     

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。     

2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(1)

1.快闪存储器在编程/擦除循环后SILC的定位(Localization of SILC in Flash Memories after Pro-gram/Erase Cycling)——2002 International Relia-bility Physics Symposium pp.1-6. 说明了确定快闪存储器隧道氧化中应力引起漏电流(SILC)薄弱环节的新的定位方法。在栅应力     

快闪器件研究

快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。     

0.18微米嵌入式快闪存储器技术及其应用

快闪存储器最初是在PC中用作BIOS存储器,如今已广泛地用于GSM电话,数字照相机、CD-ROM、智能卡等产品。在需要经常更新软件以提供新服务的应用,都广泛地使用快闪存储器。它能够以电写入的方式在现场更新存储内容,因此颇受欢迎。     

适用于无源RFID标签芯片的SPNVM优化设计

稳定的非挥发性存储器(Non-volatile memory,NVM)是射频识别标签系统中的重要组成部分,作为系统的信息承载体,用于存储用户或产品的基本信息。NVM的性能和造价是约束其发展的主要因素,为了改善非挥发性存储器的性能和降低其成本,文中基于传统的非挥发性存储器EEPROM,采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺,优化设计了一个存储容量为256位高性能低成本的单栅非挥发性存储器,从工作电压、效率、速度和功耗的角度,对存储单元进行了隔离保护处理,改进了电荷泵的升压模块和稳压模块,采用电压检测型灵敏放大器。电源电压1.8V,编程电流为42μA,读电流为2μA,编程时间为5ms/bit,读速率为2Mb/s。     

SONOS非易失性存储器件研究进展

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求。最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力、易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视。文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论。     

一种新型的嵌入式Flash存储器介绍

本文介绍了一种嵌入式应用的存储器工作原理.该存储器结构的基本单元为分离栅结构,采用电场增强型隧穿进行擦除操作,利用沟道热电子注入机制进行编程.接着,本文介绍了存储器可靠性方面的问题.最后,介绍了下一带非挥发性存储器的发展状况.     

双基地雷达抗欺骗式干扰分析

双基地雷达由于收发分置，在抗欺骗式干扰方面具有与单基地雷达不同的特性。本文对几种特定干扰情况计算子双基地雷达抗欺骗式干扰的性能，并与单基地雷达情况进行了比较，得出了有价值的结论。     

一种改进的对SAR的弹射式干扰方式

根据普通对SAR的弹射式干扰的不足,提出了一种改进的弹射式干扰。改进的弹射式干扰将干扰机转发时延设置成随机变量,这样干扰信号在方位上就不再是线性调频信号,干扰信号在方位压缩处理过程中就不会被压缩。改进的弹射式干扰将覆盖整个成像区域,而普通的弹射式干扰只能覆盖部分区域,因此改进的弹射式干扰具有明显的优越性。通过计算机仿真得到了干扰效果图,得到的干扰图像类似噪声干扰,很好地验证了理论的正确性。最后具体分析了改进的干扰方式的优越性。     

模糊控制在非线性系统中的应用研究

针对模糊控制技术的应用问题,采用模糊控制技术为某一小型污水处理厂设计了do浓度控制系统,并且针对该污水厂进水流量对do浓度的干扰问题,设计了前馈补偿器,对整个控制系统进行了仿真。通过仿真实验表明,模糊控制可以解决非线性系统中的非线性、大滞后等特点给控制带来的问题,但对于控制过程中的干扰问题作用有限。将模糊控制同前馈补偿结合,既解决了非线性及滞后问题,又降低了干扰的影响,将稳态误差从16.7%减小到0,do浓度控制效果要好于单纯使用模糊控制技术。     

激光干扰星载CCD的技术研究

介绍了CCD的工作原理及激光对CCD的干扰机理。分析了激光在大气中的传输特性,对激光干扰星载CCD所需的发射功率进行了估算。得出要达到干扰目的必须达到≥109W数量级。最后总结了激光干扰星载CCD的几项关键技术。     

PCB电磁兼容设计原则及其实例分析

电子设备电磁兼容要求的关键是其印制电路板（PCB）的设计,正确的PCB板布线可以经济而有效地降低其电磁干扰。文章综合PCB板电磁兼容设计相关文献,按照器件布局、地线与电源处理、时钟信号线处理等对设计经验和原则进行了较为系统的分类总结,并结合若干具体的工程实例进行了分析说明。     

MMDS系统的设计与实践

针对微波信号在远距离传输方面的特点 ,文章介绍了微波在电视信号传输方面应用的一例———MMDS(微波多频道多点分配系统 )。文章论述了MMDS的系统特点以及系统组成 ,并根据实际经验讨论了MMDS系统存在的问题及具体的解决方法     

传感器接口电路的抗干扰设计

介绍了传感器小信号处理时存在影响精度的来自三方面的干扰问题：局部产生、子系统内部的耦合、外部产生，并讨论了设计电路时相应的解决办法。     

Techniques for Disturb Fault Collapsing

Disturb faults are considered one the most important failure modes in non volatile memories. Disturb faults are highly dependant on the core memory cell structure, manufacturing technology, and array organization. In this paper, we analyze the origins of such disturbs and propose a method that uses cell structure and array organization information to identify the relevant disturbs and to create a reduced fault list. To demonstrates its effectiveness, the method was used to create minimized fault lists for NOR and NAND flash memory arrays. Moreover, we show how the reduced fault list developed can be used to devise more efficient test algorithms. This work was supported by Kuwait University Research Grant Number EO 01/04.     

C^3I系统的电磁兼容性设计

提出了Ｃ＾３Ｉ系统中电磁兼容性设计的一些重要准则。文中分别针对无线通信系统、有线通信系统、系统应用软件、系统总装设计与实施,单片机控制电路软、硬件设计,讨论了电兼容性设计的准则。应用这些设计准则可以大大增强了Ｃ＾３Ｉ系统的稳定性和频谱战中的生存能力,具有大的实用价值。     

遗传神经网络算法软件包在改善传感器性能中的应用

传感器都存在交叉灵敏度，本文讨论了遗传神经网络在改善传感器性能，降低交叉灵敏度的原理，并且按照遗传神经网络的原理制作了通用数据融合软件包。谈方法可降低主传感器对非目标参量的交叉灵敏度。以工作电流波动干扰量为例，试验结果表明传感器的电流波动率明显降低。实验证明谈软件包具有通用、灵活等特点，适合推广使用。     

非接触式IC卡干扰式旁路攻击与防护

为了适应非接触式IC卡在经济生活中的广泛应用，论文深入研究了对非接触式IC卡的旁路攻击理论和干扰式攻击的方法，并且针对非接触式IC卡的旁路攻击原理、干扰式攻击行为，以及针对RSA和DES算法的特殊扰动攻击行为，研究出适用于此类攻击行为的防护方法。这些方法中包括随机化；对密码的保护措施和盲化技术。通过运用这些方法我们在理论上可以达到防止非接触式IC卡干扰式旁路攻击的目的。     

0．5μm OTP工艺开发与器件特性研究

文章对0．5μm一次编程存储器（OTP）存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究。在一定的编程条件下,编程0．1ms时器件的阈值电压能够大于6V,控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0．1V,因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求。通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年。