从国际半导体设备及材料西部展览会看半导体设备发展趋势与策略

半导体设备及材料国际组织(SEMI)于1992年6月16至18日在美国旧金山举办了一年一度的国际半导体设备及材料西部展览会.展览会规模很大,参展公司约1110家,展位2800个,展馆建筑面积为120万平方英尺;参展和参观人数约7万人.展出的产品涉及超大规模集成电路的设计、制造及测试等各个方面所需的设备和材料,品种齐全多样,IC设计     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。     

国外半导体发展的一些动向

近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年     

SiC半导体材料与器件（2）

随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极晶体管(HBT)、高效太阳能电池等相继出现,Bhatnagar等人经计算分析,指出SiC功率器件(肖特基整流管,VMOSFET)相应同类Si器件的极大优越性在于SiC器件的导通电阻为相应Si器件的几百分之一,加之良好的散热性能,在同样封装条件、结温要求下、SiC功率器件的芯片面积仅为Si器件的二十分之一,从而会部分抵消材料制备等引入的较高成本.尽管SiC器件距商品化尚有一段距离,但已展现出诱人的发展前景.     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

半导体材料的发展及现状

介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用；对其中一些材料进行了分析比较；描述了半导体新型材料的发展前景。     

二次离子质谱分析在半导体材料与器件工艺中的应用

本文简要总结国家表面物理实验室五年以来,尤其是近年来用O_2源与Cs源二次离子质谱的半导体分析工作,介绍了Si和GaAs材料中O杂质与掺杂元素离子注入浓度分布、热处理后掺杂元素重新分布、辐照感生扩散增强效应、半导体超晶格和量子阱器件及δ掺杂的SIMS分析等四个典型的应用实例,说明了SIMS的重要性,同时提出了在应用SIMS数据时必须注意的几个问题.     

宽禁带半导体市场纵横

宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0—6．0电子伏特eV的半导体材料，具体包括碳化硅SiC、氮化镓GaN、氮化镓铝AIGaN等。这类材料的禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度快、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、具有良好的化学稳定性，非常适合用来研制抗辐射、高频、大功率与高密度集成的半导体器件。利用其特有的禁带宽度，研制出蓝、绿光和紫外光发光器件及光探测器。     

2000年的半导体

从市场经济的观点着重分析了２０００年半导体的销售及市场、产品、工艺技术、可靠性等情况。     

半导体加工工艺和半导体制程设备

半导体加工工艺的发展趋势,大体上如下表所示。 随着市场需求的不半导体加工工艺的发展趋     

电力半导体模块

本文着重介绍了模块与分立器件的主要区别以及普通的焊接式模块、压接式模块、陶瓷基板式模块的特点及节能作用。认为应用电力半导体模块是电子技术的发展趋势。