用4.5MV静电加速器开展快中子照相的研究

用国产原材料研制了一种适用于快中子照相的关键部件——快中子转换屏。利用⁹Be(d，n)反应在北京大学4.5MV静电加速器上产生低于7MeV能区的快中子，采用胶片成像法进行了快中子照相的初步实验。借助带不同孔径的Fe等不同材料制作的不同厚度的试验样品，对快中子胶片成像法的基本性能进行了初步测试和研究。实验结果表明，研制的快中子转换屏能够满足快中子照相的需要。     

快中子照相MCNP模拟计算

正快中子照相是近些年新开展的一种照相技术,与热中子照相相比,快中子照相快中子具有能量较高、与物质作用截面较小、穿透能力强等特点,快中子穿过较厚被测样品材料时,通过记录出射的快中子可检测出物体内的元素空间分布、材料结构上差异等信息。本工作利用MCNP模拟计算了2.45 MeV中子穿过不同厚度聚乙烯样品及金属样品后的计数情况(图1),样品出射中子选用塑料闪烁体进行探测,实物如图2所示。对2.45 MeV快中子成像分辨率及塑料闪烁体探测     

快中子转换屏发光性能研究

以中子转换屏发光机理建立数学模型,计算了LiF-ZnS中子转换屏的各项参数对成像性能的影响。用不同种类荧光粉制备了多块不同厚度和材料成分的快中子转换屏进行性能测试,实验结果显示,14 MeV快中子转换屏最佳厚度为3 mm左右,ZnS和粘合剂的最佳重量比为1:1–2:1。对快中子转换屏和塑料闪烁体等中子探测屏的性能进行了实验测试和对比,给出了各种探测屏的性能差异和适用范围。     

快中子活化分析

快中子活化分析主要指的是利用粒子加速器产生的快中子对于元素进行定性和定量测定的一种核分析技术。本文简要叙述了快中子活化分析,主要是14MeV中子活化分析的基本原理、分析测量技术、方法特点和应用范围。特别就快中子活化分析在核材料和核燃料方面的应用作了较为全面的介绍。并且对于快中子活化分析的现状、今后的发展动向和应用前景也作了简要的评述。     

快中子活化分析

快中子活化分析主要指的是利用粒子加速器产生的快中子对于元素进行定性和定量测定的一种核分析技术。本文简要叙述了快中子活化分析,主要是14MeV中子活化分析的基本原理、分析测量技术、方法特点和应用范围。特别就快中子活化分析在核材料和核燃料方面的应用作了较为全面的介绍。并且对于快中子活化分析的现状、今后的发展动向和应用前景也作了简要的评述。     

采用硅光电倍增管和塑闪阵列的便携式快中子成像系统的可行性研究

介绍了一种基于硅光电倍增管和塑料闪烁体阵列的小型快中子成像系统.对比X射线成像,快中子成像对低原子序数构成的物质更加灵敏,在工业领域有重要应用.从模拟和实验两方面探讨方案的可行性.利用GEANT4和Python搭建了一套模拟平台,实现从中子到电信号的全物理过程模拟,根据结果进行了图像重建.通过模拟,讨论了能量阈值、闪烁...     

CENDL-3.1铜的检验和改进

介绍了利用屏蔽基准实验OKTAVIAN以及核临界安全手册(ICSBEP)中的临界基准实验对CENDL-3.1铜的伞套中子评价数据进行的宏观检验.在屏蔽基准检验中,除了中子和γ泄漏谱上发现了由非弹性散射截面造成的与实验测量结果的分歧,计算结果与实验符合相当好.在快中子谱临界基准检验中,装置HMF072、HMF073和PMF013的keff的计算结果高出实验值大约2%,严重偏离实验结果.针对HMF072装置的灵敏度分析显示,该分歧的产生主要是由于全截面在0.1～1.3 MeV能区的评价不当引起的.在对0.1～1.3 MeV的全截面进行修正后,临界检验的结果获得了明显改善.     

反冲质子望远镜效率计算中的相对论修正

反冲质子望远镜和伴随粒子法是绝对测量14 MeV单能快中子通量的两种独立的方法,在高压倍加器上利用T(d,n)~4He反应可以获得14 McV单能快中子。反冲质子望远镜是通过中子入射在聚乙烯辐射体上产生反冲质子,用记录反冲质子数来确定中子通量的,而伴随粒子法则是通过记录α粒子数来测定中子通量。随着14 MeV单能快中子的应用越     

3He半导体夹心中子能谱仪

介绍了3He半导体夹心谱仪的探头组件和电子学系统,开展了热中子调试,获得快中子临界装置上0.1-1.3 MeV的能谱数据.测量结果与6Li夹心谱仪在0.3-1.3 MeV范围非常符合,证明该谱仪用于测量快中子临界装置泄漏谱是可行的.     

基于高压倍加器的快中子照相技术研究

本文详述了所建立快中子照相系统的性能和实验测试。依托中国原子能科学研究院的600kV高压倍加器,设计加工了线中子源和高L/D复合屏蔽准直器,开展了14 MeV快中子照相系统对聚乙烯、铝、铁和铅材料的空间分辨能力的实验研究。实验中分别采用了厚刀口法和狭缝指示器法,两种方法得到的实验数据相符合。研究结果表明,该快中子照相系统对单一材料能达到优于1mm的空间分辨能力,与理论计算结果相一致。