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本文报道在He-Ne激光照射下,工作在液氮温区的YBaCuO膜对激光的响应。在调制频率为0.1Hz的情况下,经光刻后的YBaCuO膜,在其超导转变中点附近,对功率为1.5mW的He-Ne激光的响应信号可达10mV左右,响应度约10V/W。实验并研究了响应信号与调制频率的关系以及工作点温度的选择对结果的影响。 相似文献
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脉冲激光溅射沉积YBCO超导薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
从激光与材料相互作用理论出发,分析了激光烧蚀材料等离子体羽辉的空间运动特征和成分分布;以YBCO/SrTiO_3为对象,从实验上系统研究了脉冲激光溅射沉积薄膜过程中薄膜质量与基片温度、基片-靶材距离、气体压强、激光脉冲能量以及重复频率等参数的关系;总结出在SrTiO_3(100)单晶基片上溅射沉积YBCO高温超导薄膜的最佳实验参数。 相似文献
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脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引入新技术等特点.为了使脉冲激光淀积技术智能化、简便化,研究开发出了"脉冲激光淀积薄膜专家系统".该专家系统具有薄膜基片选择、淀积参数确定、实验结果总结、相关数据查询等功能.本文首先阐述了该专家系统的设计思想和工作原理,然后介绍了该专家系统的功能和结构;最后对该专家系统的适用条件和进一步拓展的目标进行了讨论.利用该专家系统,成功地指导了掺钛氧化钽薄膜和钛酸锶钙薄膜的制备.(OH16) 相似文献
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脉冲激光沉积Al膜的沉积模式及沉积速率研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为了给脉冲激光沉积(PLD)法沉积大面积均匀薄膜的应用提供相关的理论依据,以纯铝块作为靶材,采用PLD法在同轴和旁轴两种模式下对比研究了Al薄膜的厚度均匀性。同时,在旁轴的沉积模式下分别研究了基片温度、激光功率和重复频率对A l薄膜沉积速率的影响规律。实验结果表明,采用PLD方法在旁轴的沉积模式下获得的Al薄膜的厚度更加均匀。随着基片温度的增加,薄膜的沉积速率反而降低。升高激光功率,薄膜的沉积速率也随之提高。而在激光重复频率的变化过程中,Al薄膜的沉积速率有一最大值。 相似文献
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离子束增强沉积VO2多晶薄膜的成膜机理 总被引:3,自引:1,他引:2
用离子束增强沉积制备高性能VO2薄膜,在溅射V2O5粉末靶的同时,用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500℃以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜。成膜机理是:利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V2O5的V—O键断裂;利用注入氢的还原效应将V2O5转换成VO2薄膜;利用混合效应使界面结合牢固、薄膜结构均匀;利用掺杂效应,使氩出现在晶格的间隙位置,产生张应力,降低了薄膜的转换温度;利用轰击效应使薄膜致密,降低了氧空位,减小了晶界宽度,提高了其TCR。 相似文献
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Tingwei Zhang Ning Xu Yiqun Shen Wei Hu Jiada Wu Jian Sun Zhifeng Ying 《Journal of Electronic Materials》2007,36(1):75-80
Nanocrystalline zinc-blende-structured ZnSe:N films have been deposited on GaAs(100) substrates by pulsed laser deposition
(PLD). The growth of the nanocrystalline ZnSe:N films is found to be greatly affected by the pressure of ambient N2. X-ray diffraction (XRD) and field emission scanning electron microscopy (FESEM) results show that the morphologies of the
as-grown films are sensitive to the ambient pressure at a fixed substrate temperature of 300 °C, and the sizes of the as-grown
ZnSe:N nanocrystals increase as the ambient pressure increases from 0.1 Pa to 100 Pa. The average sizes of the as-grown nanocrystals
are estimated to be about 19 nm, 29 nm, and 71 nm for 0.1 Pa, 1 Pa, and 100 Pa ambient N2 pressure, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy analyses show that the N-doping concentration in the as-grown film
is over 1021 cm−3. Raman spectra demonstrate the broadening of the longitudinal optical (LO) phonon and transverse optical (TO) phonon modes
of the ZnSe nanocrystals. Based on these analyses, the mechanism of the formation of ZnSe:N nanocrystals is discussed. 相似文献
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高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积 总被引:6,自引:0,他引:6
钌酸盐是典型的ABO3型过渡金属氧化物,具有金属导电性,其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了BaRuO3的钙钛矿晶体结构和导电机制,并利用ArF准分子脉冲激光沉积(PLD)技术,结合后续退火处理,在Si(100)衬底上生长出具有(110)取向、室温电阻率约10-2~10-3Ω·cm的BaRuO3高导电性薄膜,俄歇能谱(AES)和Rutherford背散射谱(RBS)分析表明:薄膜BaRuO3的纯度高、成分均匀性好,BaRuO3/Si界面存在扩散过渡层。 相似文献
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脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度 相似文献
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采用脉冲激光沉积法(PLD)在单晶硅基底上制备了WSx固体润滑薄膜。利用X射线能谱仪(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对薄膜的成分、形貌和微观结构进行了分析,采用球盘式磨损试验机在大气(相对湿度为50%~55%)环境下评价薄膜的摩擦学特性。结果表明:薄膜中S和W的原子数分数比(简称S/W比)在1.05~3.75之间可控,摩擦系数为0.1~0.2;S/W比高于2.0时薄膜成膜质量和摩擦系数显著恶化。正交试验法得出影响薄膜S/W比的因素主次顺序分别是气压、温度、靶基距和激光通量;最优工艺参数是温度150℃、靶基距45mm、激光通量5J/cm2、气压1Pa,可获得结构致密、成分接近化学计量比的WSx薄膜。 相似文献