一种基于亚阈值区特性的CMOS四象限模拟乘法器

讨论了基于ＭＯＳ晶体管亚阈值区特性的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器的设计。分析了四种乘法器核的直流传输特性，给出的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果验证了理论分析。模拟结果表明，对于电源电压为１．５Ｖ（或±１．５Ｖ），当输入电压范围限于±０．０８Ｖ时，非线性误差小于１％；－３ｄＢ带宽约为３４０ｋＨｚ，静态功耗小于１μＷ。给出的乘法器核可应用在便携式电子系统模拟信号处理电路中，特别适于在神经网络系统中的应用。     

一种高性能的CMOS四象限模拟乘法器

本文介绍了一种带预处理电路的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器，对其预处理电路（有源衰减器及电平位移电路）和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论．设计采用３微米Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺，并给出了电路的ＳＰＩＣＥ模拟结果．当电源电压为±５Ｖ时，功耗小于６．５ｍＷ，线性输入电压范围约为±４Ｖ；当输入电压范围限于±３Ｖ内时，总谐波失真和非线性误差均小于０．３３％，－３ｄＢ带宽为１３．０ＭＨｚ和２．２ＭＨｚ；当输入电压范围限于±２Ｖ内时，总谐波失真小于０．１８％，具有良好的性能．     

±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ,输入范围为±４Ｖ时,非线性误差小于０．９％,乘法运算误差小于１．０％;在±３Ｖ的人非线性误差小于０．４％,乘法运算误差小于０．７％;－３ｄＢ带宽一端为１３０ＭＨＺ,另一端为７２０ＭＨＺ;整个电路静态功耗为４．９０ｍＷ。     

电流补偿型CMOS四象限模拟乘法器

本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器，该电路有两部分组成，第一部分是产生与输入电压Ｖｘ平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Ｇｉｌｂｅｒｔ单元。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明在±５Ｖ电源下，两路输入信号在±３Ｖ范围内，其输出非线性小于０．９％。     

全MOS管组成的模拟四象限CMOS乘法器

介绍建立于ＭＯＳ管平方特性，由２８个ＣＭＯＳ管组成的四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器。以Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制备的电路在电源电压１／３动态范围内，有最大线性误差小于２％的特性，乘法器带宽为６２ｋＨｚ，在±５Ｖ电源电压下，功耗为５ｍＷ，芯片面积为０．４７ｍｍ２。     

一种新型低压COMS四象限模拟乘法器

提出了一种采用有源衰减器和全差分电流传输器(FDCCⅡ)为核心的新型低压CMOS四象限模拟乘法器.PSPICE仿真表明,当电源电压为±1.5 V时,电路功耗小于75μW.该乘法器电路具有较好的线性输入范围,达到±1 V,当输入电压范围限于±0.8V时,非线性误差小于0.6%,-3 dB带宽约为10 MHz.     

一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。     

MOS型反相器

本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这种反相器的应用实例。     

由非对称MOS源耦对组成的模拟平方器

本文在对ＭＯＳ非对称源耦对研究的基础上，提出了一种新型模拟平方器，本文给出了电路结构并进行了理论分析。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，在±５Ｖ电源电压，±４Ｖ的输入范围内，最大满度误差为±０．４％，－３ｄＢ带宽为３３ＭＨｚ．     

C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

SB508AAK八选一模拟开关设计

本文叙述了全温(-55℃～+125℃)SB508AAK八选一模拟开关的工作原理、电路设计、版图设计及研制结果。该电路在±15V电源电压工作,±22V下不产生闭锁,按B_1级考核已通过1000小时寿命试验和机械振动实验。     

一种高压快速BiCMOS模拟开关的设计

本文详细介绍了一种高压快速ＢｉＣＭＯＳ模拟开关的电路设计原理及版图优化设计。在模拟开关的基准源和电平转换部分均采用ＢｉＣＭＯＳ设计技术，使得该模拟开关在较长沟道长度下也能实现５０ｎｓ以下的开关速度。同时通过对开关管版图的优化设计，使开关导通电阻小于５０Ω。     

高精度集成稳压器零电压调整系数研究

从理论上分析了集成稳压器的瞬态响应和电压调整系数,给出了电压调整系数为0的临界条件.根据分析结果,设计出一种高精度集成稳压器,对其电压比较器的输入阻抗和稳压器的时间常数及增益进行了分析,得到了满意的效果.     

我国第一辆模拟分量电视转播车

本文简述了几种分量电视方式,着重介绍我国第一辆模拟分量电视转播车的系统设计、技术性能和特色以及经第十一届亚运会的实际运用考验,充分显示出该车系统的优越性,并证明了它与现行彩色电视制式具有良好的兼容牲。     

Synthesis method for testable electrical networks using 1st order building blocks

This work presents a method for synthesizing testable continuous-time linear time-invariant electrical networks using 1st order blocks for the implementation of analog linear circuits. A functional-structural fault model for the block, and a fault dictionary are proposed together with a simple set of test vectors. The method allows, also, the fault grade evaluation for the modeled faults. The results obtained from the two application examples have shown the suitability of the approach as a design for test method for analog circuits.     

Switched-current (SI) integrators with reduced effect of transistor mismatches

Switched-current (SI) circuits are widely used for analog sampled-data signal processing, due to their compatibility to the pure digital CMOS process. As their main building blocks are current mirrors, they suffer from the effects of MOS transistor parameters mismatch. In this paper, the Functional Block Diagram (FBD) of already known integrator circuits is modified in such a way that the number of required current mirrors is reduced. Thus, the behavior of the derived integrator topologies, with respect to the effect of MOS transistor parameters mismatch, is improved.A comparison is performed, concerning the performance of the proposed bilinear integrator circuits and those that are already introduced in the literature. For this purpose, a fifth-order Chebyshev lowpass SI filter transfer function was simulated. In the case of the proposed filter configurations, the obtained results show that their performance is improved in terms of the effects of MOS transistor parameters mismatch, DC power dissipation, and total required silicon area.     

一种BiCMOS基准源及其应用

本文分析了ＭＯＳ晶体管的温度特性及其对器件参数的影响，提出了一种ＢｉＣＭＯＳ基准源，它使器件具有良好的温度特性和抗干扰能力。还对具体应用电路的工作原理作了简单的介绍，分析了电路的温度性能及抗干扰能力，并给出应用结果。     

Automated topology synthesis of analog and RF integrated circuits: A survey

The puzzle of automatically synthesizing analog and radio frequency (RF) circuit topology has not yet been offered with an industrially-acceptable solution although endeavors still continue to seek a conquest in this area. This survey provides a comprehensive study of the techniques utilized for this purpose. The existing methods are analyzed from four different viewpoints, namely, structural view, conceptual view, implementation view, and application view. Different schemes are perused with their advantages and drawbacks discussed in the context of balanced performance between configuration-space coverage and search efficiency. Some prospective trends are pointed out to shed light on the upcoming research activities.     

CMOS模拟开关的导通与截止特性

本文对CMOS模拟开关漏电流、导通电阻、电阻偏差,分布电容及外接负载等对模拟信号传输的影响进行了比较深入的分析,提出了改进开关性能的途径。