掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.     

掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.     

镍电极MLCC内电极浆料与介质烧成收缩匹配性的研究

文章通过实验,阐述了电容器用镍内电极浆料中,有机固含量的大小、无机添加剂的类型、镍/无机添加剂比例对镍内电极浆料烧成收缩曲线,以获镰浆所形成电极层与介质层在烧成过程中收缩率匹配性能的影响。     

采用电子束蒸发方法结合一步快速退火制备的Ni-FUSI栅性能研究

本文采用高真空电子束蒸发方法在HfO2栅介质上依次沉积了Si膜与Ni膜并结合一步快速退火制备了Ni基全硅化物金属栅（Ni-FUSI)。X射线衍射和拉曼光谱结果表明经过快速退火处理金属栅完成了硅化反应其主相为镍硅化物相。我们通过制备Ni-FUSI/ HfO2 /Si结构(MIS)电容研究了NiSi栅的电学性能。测得的C-V曲线积累区曲线平坦,从积累区到反型区界面陡峭,滞回电压很小,提取的NiSi功函数为5.44eV~5.53eV。MIS电容漏电流很小,在栅压为-1V时漏电流密度只有1.45?10-8A/cm-2。     

基于模糊控制的无人机智能充电器设计

某型无人机充电器采用半波倍压方式,无充电控制,充电效果差。通过比较其他常规充电方式,利用模糊控制原理,根据电池理想充电曲线和实际充电效果,设计了分段模糊控制充电方式:即首先以大速率快充,一定程度后转入模糊控制充电阶段,针对电池状态和接受电流能力对充电速率进行自动跟踪调整。设计的智能化模糊控制充电器,优化了镉镍电池充电方式,也适用于相似类型的镉镍和镍氢电池。     

Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。     

高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究

采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。     

纤维复合镍电极的研究

总结了过去对镍电极容量性能研究取得的成果和存在的问题，介绍了纤维复合镍电极的制作工艺，即纤维复合镍基体成型，烧结和电化学浸渍。研究了纤维复合镍电极的电化学性能，并探讨了它的活化机理；研究结果发现纤维复合镍电极的体积比容量为１２５￣１７５ｍＡＨ／ｃｍ＾２重量比容量为２５０￣３４０ｍＡＨ／ｇ，与粉末烧结式镍电极相比，重量比容量提高６６％￣７２％，体积比容量相近，最后还介绍了理论研究用的纤维复合镍电极。     

MAX712／713快速充电控制芯片在小型后备电源设计中的应用

文章介绍了美国ＭＡＸＩＭ公司的ＭＡＸ７１２／７１３快速充电控制芯片在小型后备电源充电电路中的应用，给出了铅酸免维护蓄电池和镍镉蓄电池的充电电路参数和对两种充电电池的充电特性曲线检测的实验结果。结果表明：该充电电路的应用对象不仅是镍镉蓄电池，还可以是铅酸免维护蓄电池，并得出结论：空载时；对铅酸免维护蓄电池充电最好选用ＭＡＸ７１２；带载时，最好选用ＭＡＸ７１３。     

ENIPIG工艺介绍及其优点

介绍了一种镍钯金ENIPIG工艺,阐述了其工艺流程和优点。ENIPIG的钯层能有效防止金和镍相互迁移,高温后仍具有良好的键合和焊锡性能,能耐多次回流焊,且能做细小间距的板,适应于高密度HDI的要求。     

Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。     

化学镀镍金板的镍厚影响因素探讨

文章从化学镀镍金板件的镍厚控制出发,对影响镍厚因素进行了探讨和比较分析,并对生产操作中镍厚控制给予处理建议,具指导和参考意义。     

光存储用偶氮镍螯合物染料的光学与热学性质研究

分别对三种以4-甲基噻唑、苯并噻唑和6-甲基苯并噻唑作为重氮组份,以3-二乙氨基苯酚作为偶合组份的偶氮染料的镍螯合物的光谱、热学性质和薄膜的光学常数(复折射率N=n ik)及光存储性能进行了研究.结果表明,以4-甲基噻唑作为重氮组份的偶氮镍螯合物在激光工作波长650 nm处具有较高的折射率指数(n=2.46)和较小的消光系数(k=0.18),在330℃左右分解,而且分解曲线陡峭.光盘静态测试仪的测试结果表明该染料薄膜在较低的写入功率和较窄的脉冲下,可以获得大的反射率对比度.该染料有望作为高密度可录光盘(DVD-R)的记录介质.     

蜂窝电话用金属氢化物镍电池、镉镍电池新旧标准分析对比

新的蜂窝电话用金属氢化物镍电池和镉镍电池两个国家标准今后7月1日起执行，为配合企业贯彻新国标，本文对两种电池的新旧标准作了对比介绍。     

杂质分凝工艺调节NiSi/n-Si肖特基势垒高度特性研究

本文通过分析不同Post-Silicide杂质分凝工艺条件处理的NiSi/n-Si肖特基二极管(NiSi/n-Si SJDs)的I-V特性曲线,提取了NiSi/n-Si SJD的有效肖特基势垒高度(φB,eff)和理想因子(n),分析了NiSi膜方块电阻(RNiSi),研究了各种Post-Silicide杂质分凝工艺条件,如杂质注入剂量、分凝退火温度和分凝退火时间等,对φBn,eff和NiSi膜电阻特性的影响,还讨论了φBn,eff和NiSi膜方块电阻的变化规律。     

化学镍层耐腐蚀影响因素研究

文章通过建立化学镍层表面SEM观测分级制度来检测镍层耐腐蚀性能,然后通过DOE试验分析了产线参数对化学镍层耐腐蚀性的影响,从而达到优化参数,降低风险的目的。     

新颖的移动电脑智能充电器

本充电器采用中文显示的超强微电脑控制芯片，单按键功能选择，可对锂离子、镍氢、镍镉电池组进行自动识别，并按相应的充电方式进行充电。中文LCD夜光照明显示屏显示当前工作状况，一目了然，分10段以百分比曲线方式显示充电量，并显示充电时间，能精确地检测电池的饱和程度，绝不会产生欠充及过充现象。     

蜂窝电话用金属氢化物镍电池、镉镍电池新旧标准的不同之处

新的蜂窝电话用金属氢化物镍电池和镉镍电池2个国家标准今年7月1日起执行，为配合企业贯彻新国标，本文对2种电池的新旧标准作了对比介绍。     

镍电极多层电容器及其应用

介绍采用镍金属作为电极的新型电容器的结构、性能及其应用。