可测定电容器和半导体开关漏电电流的简单夹具

图1a中的电路由一个电压跟随器IC1,和参考电压源IC2构成.IC1是Analog Devices的AD8661运算放大器,其输出偏置电流不超过1pA,其典型输入偏置电流为0.3pA(参考文献1).IC2为Ana-log Devices的ADR391精密电压基准(参考文献2).制造商将此运算放大器的输入偏置电压调整到不超过100μV,典型值为30μV.这些特性使这种放大器适合用于观测各种类型的电容器自放电.固体钽电容和采用高质量塑料电介质电容的漏电电流远远超过了电压跟随器IC1的输入偏置电流.     

改进型OTA模型优化反馈补偿网络设计

正运算跨导放大器(OTA)产生跟差分输入电压成正比的电流源输出。为了在OTA中提供强固的静电放电(ESD)保护性能,OTA输出与封装引脚输出之间的裸片上应用了限流串联保护电阻(RESD)及电压钳位。器件制造商将ESD保护电阻的影响忽略不计,在数据表中没有介绍其参数。然而,在设计电源电路时,忽略ESD保护电阻对OTA输出阻抗的影响     

IC设计中的ESD保护技术探讨

ESD是集成电路设计中最重要的可靠性问题之一。IC失效中约有40%与ESD/EOS(电学应力)失效有关。为了设计出高可靠性的IC,解决ESD问题是非常必要的。文中讲述一款芯片ESD版图设计,并且在0.35μm 1P3M 5V CMOS工艺中验证,成功通过HBM-3000V和MM-300V测试。这款芯片的端口可以被分成输入端口、输出端口、电源和地。为了达到人体放电模型(HBM)-3000V和机器放电模型(MM)-300V,首先要设计一个好的ESD保护网络。解决办法是先让ESD的电荷从端口流向电源或地,然后从电源或地流向其他端口。其次,给每种端口设计好的ESD保护电路,最后完成一张ESD保护电路版图。     

InGaP异质结双极晶体管ESD特性研究

研究了高速射频集成电路(RF IC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性.测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DC I-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力.结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,并能抵抗高能量的ESD;两种器件的击穿特性相似.这些结果可以用来指导RF IC ESD保护电路的设计.     

可使多路CCTV信号精确同步的电路

有时从组合视频获得CCTV同步 信号时,它们必须保持瞬时保真 度。这方面的一种例子涉及到这样的应用,即几个视频源由一台仪器轮询,而后仪器从视频现场提取测光数据。 本文所描述的电路完全重复输入同步脉冲宽度。这允许精确地箝位在继水平同步电平发生的暗电平上。 组合视频输入端接在电阻器R1上,并由电容器C1交流耦合到运放IC1的倒相输入(见电路图)。由于二极管D1的导通,负电压被IC1倒相,其增益大约为-1。这就把负同步末端箝位在放大器参考电平上。在本例中,参考电平是电路地。当D1不导通时(视频输入为正),放大器输入脚呈现高阻抗,而     

跟踪正负峰值的整流器

从音乐到复杂的控制系统等各种信号波形也许包含不相等的正负峰值幅度“。包络线跟随”电路能跟踪不相等的峰值,而选择预期峰值的能力能增强该电路的性能(参考文献1)。图1中的电路向经典的绝对值电路施加了一项新方法。向R(1全波)施加一个输入信号,就会产生一个等于输入绝对值的输出。向R(6正)或R7(负)施加一个输入信号,就会分别产生正或负半周期输出。图2描绘了所有三种工作模式。如果你考虑到运算放大器IC1力求把自己的反相输入保持在虚拟地,那么对该电路的理解就简单了。例如,向负输入R7施加-1V,就会把D1的阳极驱动到-333mV。IC1A的…     

把DAC的输出从单端模式转换到差分模式的电路

高速DAC,比如模拟器件(AnalogDevices)公司的AD9776/78/79TxDAC系列,能提供差分输出,但对于低端交流电应用或高精度电平设置应用,配备差分转换电路的单端电流输出DAC提供了一种新颖的方法来生成差分波形控制功能。图1中的基本电路组合了电流输出DAC(即IC1,如8位AD5424D A C)和一个单端至差分运算放大级IC2、IC3A、IC3B——来产生要求的输出。对于双电源应用,可选择DAC的单极工作模式来达到DAC的最优性能。DAC利用单一运算放大器提供了双象限倍增或单极输出电压摆动。DAC的输出需要缓冲器,这是因为对施加到DAC输入端的代…     

一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路

与消费类电子产品相比,用于继电保护的集成电路(IC)面临着更为严苛的静电放电(ESD)环境,需要高可靠性的电源钳位ESD电路,但这会给芯片带来较大的泄漏功耗.针对继电保护电路的ESD需求,提出了一种低漏电型电源钳位ESD电路,减小了ESD触发模块的电容,有效防止了继电保护下快速上电和高频噪声带来的误触发.利用电流镜结构获得大的等效ESD触发模块电容,保证了泄放晶体管的导通时间.利用钳位二极管技术,减小钳位电路触发模块的泄漏电流.基于标准65 nm CMOS工艺对电源钳位ESD电路进行了流片验证,测试结果表明,人体模型(HBM) ESD防护能力可达4 kV,泄漏电流为25.45 nA.     

混合信号IC的ESD保护电路设计

从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况下达到足够的ESD强度;另外,该结构在任意两个pad间均能形成ESD放电通路,同时将不同的电源域进行了隔离.     

IC静电放电的测试

本文主要论述了静电放电(ESD)人体放电模式的测试过程,包括测试标准、IC管脚的测试组合、IC失效判别以及静电放电敏感度等级分类等。