电子辐照技术在高压大功率开关晶体管制造工艺中的应用

在高压大功率开关晶体管制造工艺中,如何才能精确地控制少数载流子寿命,这是器件工作者长期以来不断摸索、探讨的一个课题.其原因就在于半导体器件本质上是利用少子扩散运动的器件.少子寿命是器件最重要的特征参数之一.晶体管的许多电气参数诸如h_(FE)、V_(cos)、t_(on)、t_(off)等均与少子寿命有着非常密切的关系.可以说没有掌握少子寿命控制技术,就不能协调好功率开关管诸电参数,就不可能制造出高水平的开关晶体管.因此,少子寿命控     

晶体管h_(FE)电流关系的一点注记

本文重新评价了晶体管电流放大系数h_(FE)的电流关系,结果表明,h_(FE)的最大值H_(FEmax)可能远小于其理想值h_(FEO).指出在晶体管的某些物理研究中应考虑到这一情况.     

双极型晶体管电流增益温度特性的研究

本文研究了影响双极型硅晶体管电流增益h_(FE)温度特性的各种因素。计及基极电流非理想因子n的影响,引入了“禁带宽度视在变窄量”△E_(8a)的概念,提出了描述h_(FE)温度特性的理论模型。实验表明,降低发射区掺杂浓度和改变发射区的图形结构,对改善h_(FE)的温度特性十分有利。据此理论模型研制成功了电流增益温度特性优良的中小功率晶体管系列。     

1000伏、400A的双极功率晶体管

日本三菱电机已成功地制作了收集极-发射极间耐压V_(CEO)为1000伏,最大收集极电流为400A的双极功率晶体管。为了耐高压,收集极采用了宽度为80～100μm的高电阻率层。为增大电流容量,用直径为50mm的图     

关于外延平面管大电流下h_(FE)和f_T下降的理论分析

晶体管最大工作电流I_(CM)直接由大电流时h_(FB)或f_T下降的情况所决定,因此研究大电流时h_(FB)和f_T下降就成了晶体管设计与生产的重要课题,尤其是高频大功率晶体管,这个问题更为突出。     

高频晶体管小电流h_(FE)参量分析

<正> 一、引言晶体管共发射极直流特性曲线族,直观地反映出晶体管在不同集电极工作电流时电流放大系数h_(FE)的数值。无论哪种晶体管直流特性曲线族的线性问题,在产品质量分析中都占有重要地位。双极型晶体管h_(FE)在小电流下单调下降已为众所周知,很多人对小电流h_(FE)的变化规律进行了各种研究,提出多种物理模型和h_(FE)的数学表达式。晶体管制造厂家也始终把h_(FE)的线性作为工艺过程的重点赋与高度重视。     

InGaAs/InP微波双极型晶体管的研制

本文叙述双收集区NpnN型InGaAs/InP异质结双极型晶体管的实验结果.给出器件的击穿特性、开关特性.高频特性和温度特性.理论分析和实验结果表明,n型InGaAs第一收集区的厚度对晶体管的击穿特性和开关特性有重要影响.器件的击穿电压BV_(CE0)=20伏,贮存时间t_s=0.5ns(Ic=50mA,I_(B1)=10mA,回抽电流I_(B2)=0),f_T=1.2GHz(V_(CE)=6V,Ic=15mA).在77～433K范围内h_(fe)变化很小,在4K下h_(fe)≌1,并表现出强烈的俄立(Early)效应.     

用于衬底馈电逻辑电路(SFL)的PNP宽发射极砷化镓双极型晶体管

本文从原理上分析了GaAs-I~2L电路相对于Si-I~2L电路的改进潜力,指出了PNP电流源管的基本难点在于过短的空穴扩散长度,从而相应提出了衬底馈电逻辑SFL(Substrate fed logic)GaAs电路的概念,本文比较详细地介绍了PNP-GaAs晶体管的制作工艺,并给出了相应的实验结果,初步的数据为电流增益h_(fe)=40,发射极-收集极击穿电压BV_(ceo)=2～3V,本文同时也给出了NPM和NPN-GaAs晶体管的开关特性。     

硅双极型晶体管的直流电流特性

晶体管的电流放大系数h_(FE)要随集电极电流I_C发生变化。在小电流时,h_(FE)随I_c增加而增加;当I_c增加到一定数值时,h_(FE)基本保持不变。但是,当I_c超过某一临界电流数值以后,h_(FE)会快速下降,这种现象在低集电极电压时更为明显。 本文分析了决定硅双极型晶体管电流放大系数h_(FE)的各种因素,讨论了晶体管的大电流特性,并且分析了h_(FE)随I_c增加而下降的各种机理,给出了各种分析模型的数学表达式。     

用1/f噪声预测双极晶体管的h_(FE)漂移失效

对高温贮存和功率老化寿命试验结果的统计分析表明,npn型双极晶体管的电流增益h_(FE)随时间的漂移量与其初始1/f噪声有关.初始1/f噪声越大,则其h_(FE)漂移量也越大.相对漂移量△h_(FE)/h_(FE)与初始1/f噪声谱密度S_(iB)(f)的相关系数远大于它与初始直流参数的相关系数.根据笔者已建立的h_(FE)时间漂移模型,证明h_(FE)漂移与1/f噪声可归因于同一物理起源.据此,1/f噪声测量作为一种快速且非破坏性的手段,可用于双极晶体管h_(FE)漂移失效的早期预测.     

可用于InP-I~2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管

本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管(InP-HBT).这个管子的发射区是用无定型氧化镉(CdO)做的,基区采用锌(Zn)扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×10~(17)cm~(-3)InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电流增益H_(fed)=25(3V,1mA),反向工作的电流增益h_(fen)=8(3V,1mA),文章还提出了利用这种管子做开关管的InP-I~2L.     

晶体管h_(FE)快速测试仪

本文介绍一种测试晶体管直流电流放大系数h_(FE)的快速测试电路.整个电路是由一个稳压电源、一个负反馈放大器及被测晶体管三个部分组成,反馈放大器与被测晶体管构成一个自动增益控制电路,达到恒定被测晶体管集电极电流,从而直接在基极电流的测量中直读h_(FE).     

晶体管参数|h_(fe)|及截止频率f_T的测量

晶体管在射频段使用时人们最感兴趣的h参数是:晶体管短路输入阻抗h_i、晶体管开路输出导纳h_0和晶体管短路电流放大系数h_(fo)关于h_i和h_0可以用普通的射频阻抗(或导纳)电桥通过适当改装后来测量,h_f也可以利用实验室的通用电子设备如信号发生器、高频微伏表等配合起来进行测量.本文仅限于介绍晶体管在射频段共发射极短路电流放大系数的模值     

pnp高频高反压沟道基区全温晶体管设计与制造

耗尽基区晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数h_(FE)具有负的温度系数。双极结型晶体管(BJT)的h_(FE)具有正温度系数,将BSIJ与BJT并联,采用BJT常规工艺制造了pnp高频高反压沟道基区全温晶体管。 本文描述了这一器件的结构,工作原理,设计与制造。该器件的特点是:当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。 测试结果表明,环境温度从25°升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35％,优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20％。当温室从25°降到-55℃时,器件的h_(FE)变化率小于或等于30％     

注入多晶硅扩散在双极晶体管中的应用

研制了利用注入多晶硅扩散的一种新的掺杂方法。该方法在低噪声 npn 晶体管的制作中用于基区扩散,其特性有极显著改善。消除了脉动噪声,在10赫下噪声系数为3.5～4.0分贝。得到了极好的平坦的h_(FE)与集电极电流关系。     

晶体管电路讲座(五)

六、晶体管在脉冲电路中的应用(一)晶体管的开关特性及瞬态响应图44表示晶体管在共基极连接时收集极的静态特性曲线,可以把它分成三个区域:1.截止区:对应于发射极电流I_g=O的下面部分,在这时发射精、收集枯均处于反向。 2.鲍和区:位于收集极电压>O的那一范圃内,这时要求发射桔、收集桔均处于正向。 3.技性区:位     

用氧化镉(CdO)为发射区的InGaAsP/InP双异质结晶体管

本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉(CdO)薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN双异质结晶体管.测量结果表明晶体管能双向工作,测得的正向共发射极电流增益为40(V_(CE)=5V,Ic=1mA),反向增益为8(V_(CE)=1.5V,Ic=100μA).文中还给出了h_(fe)—I_c特性和晶体管CdO-InGaAsP发射结的伏安特性.     

关于两段饱和特性的分析

我厂在进行某军工任务硅高速小功率晶体管的试制中,开始阶段制得的相当一部分晶体管,其输出特性曲线出现了两段饱和特性.其特点是,在低压较大电流区域,特性曲线密集、倾斜,在饱和区与工作区之间出现了一个准饱和区.伴随发生的另一现象是I_(CM)不能达到版图设计应达到的指标,h_(FE)随集电极电流I_C很快下降,在输出特性上表现     

第八讲 开关稳压电源中的元器件

一、功率开关元件脉宽调制(PWM)型开关稳压电源中的功率开关元件,主要是功率晶体三极管.但随着开关稳压电源趋向小型化、高频化发展,V-MOS功率场效应晶体管也得到应用.在某些调频型开关稳压电源中,还用到高频可控硅. (一)功率晶体三极管脉宽调制型开关稳压电源中的功率晶体三极管,因工作在高压开关状态,其性能的优劣会直接影响到开关稳压电源的性能和可靠性。在选用功率三极管时,必须从它的电气性能来考     

JS-7型晶体管测试仪

该产品是上海无线电仪器厂的创优产品,深受广大用户欢迎. JS-7型晶体管测试仪可以测试晶体管的直流参数,反向截止电流I_(o??o)、I_(obo),交流参数h_(11)、β、N_F等八个主要参数.用计算的方法还可求得共发直流电流放大系数β=I_o/I_(bo)基本上可以完成一个小功率晶体管