换开关晶体管应注意h_(FE)

在采用开关式稳压电源的彩电和部分进口黑白电视机中,当开关晶体管损坏换新时,有时遇到换上新管后,电源不起振或输出电压偏低很多。查电源及负载的各元器件也无问题。这时可测一下新管的h_(FE),会发现偏低,这就是电源不起振的原因。也有的彩色     

晶体管h_(FE)快速测试仪

本文介绍一种测试晶体管直流电流放大系数h_(FE)的快速测试电路.整个电路是由一个稳压电源、一个负反馈放大器及被测晶体管三个部分组成,反馈放大器与被测晶体管构成一个自动增益控制电路,达到恒定被测晶体管集电极电流,从而直接在基极电流的测量中直读h_(FE).     

晶体管h_(FE)电流关系的一点注记

本文重新评价了晶体管电流放大系数h_(FE)的电流关系,结果表明,h_(FE)的最大值H_(FEmax)可能远小于其理想值h_(FEO).指出在晶体管的某些物理研究中应考虑到这一情况.     

关于晶体管h_(FE)的研究

本文系作者近年来对高频晶体管H_(FE)参数退化机理的研究报告。 实践证明采用扫描电子束感生电流技术和俄歇扫描显微镜来研究h_(FE)的退化机理是有效的。 通过观测和分析,认为h_(FE)的退化机理在     

功率晶体管大电流密度下h_(FE)的温度特性

本文指出,在大电流密度下,晶体管h_(FE)可能表现出反常的温度特性,即dh_(FE)/dT<0.认为此种现象的机理是因为基区扩展效应受温度影响.建立了发射极电流分布的数学表达式.用此表达式进行的计算和实际测试说明,h_(FE)负温度系数的出现确实与基区扩展效应相关.所得结果有益于晶体管的设计、制造和使用.     

硅双极晶体管的低温h_(FE)

低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。     

电子辐照改造晶体管h_(FE)值

电子辐照晶体管技术在我国的研究和应用已取得可喜的进展。几年来我们做了一些工作,取得了一些实践经验和经济效益,我们的主要工作是应用电子辐照技术开展改造加工高h_(FE)值的晶体管产品(简称晶体管FZ加工)。     

一种控制晶体管h_(FE)的新技术

本文介绍了利用电子辐照技术控制晶体管h_(FE)(共发射极电流放大系数)的新技术,并用DLTS深层瞬变光谱方法研究了辐照后在晶体管中引入的缺陷.     

高频晶体管小电流h_(FE)参量分析

<正> 一、引言晶体管共发射极直流特性曲线族,直观地反映出晶体管在不同集电极工作电流时电流放大系数h_(FE)的数值。无论哪种晶体管直流特性曲线族的线性问题,在产品质量分析中都占有重要地位。双极型晶体管h_(FE)在小电流下单调下降已为众所周知,很多人对小电流h_(FE)的变化规律进行了各种研究,提出多种物理模型和h_(FE)的数学表达式。晶体管制造厂家也始终把h_(FE)的线性作为工艺过程的重点赋与高度重视。     

用1/f噪声预测双极晶体管的h_(FE)漂移失效

对高温贮存和功率老化寿命试验结果的统计分析表明,npn型双极晶体管的电流增益h_(FE)随时间的漂移量与其初始1/f噪声有关.初始1/f噪声越大,则其h_(FE)漂移量也越大.相对漂移量△h_(FE)/h_(FE)与初始1/f噪声谱密度S_(iB)(f)的相关系数远大于它与初始直流参数的相关系数.根据笔者已建立的h_(FE)时间漂移模型,证明h_(FE)漂移与1/f噪声可归因于同一物理起源.据此,1/f噪声测量作为一种快速且非破坏性的手段,可用于双极晶体管h_(FE)漂移失效的早期预测.     

h_(FE)雪崩衰退及其复原

硅平面型晶体管的发射极-基极处于反向过载偏置而发生雪崩效应后,将引起h_(FE)衰退。浅结、重掺杂的超高频晶体管的h_(FE)雪崩衰退现象更明显和严重。实验结果表明,h_(FE)雪崩表退率随反向过载偏置电流及过载时间的增加而增大;h_(FE)雪崩衰退后的器件可以由高温老化和电功率老化而退火复原。因此,在此类器体的制造流程中的检测、成品测试以及应用中,都应避免发射极-基极处于反向过载偏置。在工艺筛选中,应加强高温老化和电功率老化,使器件的h_(FE)退火复原。     

晶体管H_(FE)测量仪

直流电流放大系数H_(FB)是晶体三极管的重要参数.本电路是为快速、准确地测量H??而设计的. 根据共发射极电路H_(FE)的定义: H_(FE)=I_C/I_B|V_(??)-常数为使测量的数据接近实用状态,针对不同用途的三极管规定了相应的测试条件.例如:V_(CE)=6伏、I_C=1毫安;或V_(CB)=1.5伏、I_C=250毫安等等. 在V_(CB)和I_C为设定值的情况下,测出I_B即可求出H_(??Bo)也可直接在I_B表头上标出H_(FB)读数.本电路是用恒流源供给I_C,再通过电路自动调节I_B来恒定V_(CB)的.     

Si-SiO_2界面陷阱引起的双极晶体管h_(FE)漂移的模型与模拟

本文表明,Si-SiO_2界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子存在慢俘获作用,这将导致npn型双极晶体管电流放大系数h_(FE)随时间的正向漂移。从这种物理机制出发,建立了相应的数学模型。经计算机模拟分析,求得了h_(FE)随时间的漂移曲线以及温度、发射结偏压、基区表面势对这种漂移的影响。结果表明,基区表面势对漂移量的大小有重要影响,高温老化是漂移失效筛选的有效手段。     

多晶硅发射极晶体管h_(FE)、G_e、和K的普遍表达式及其分类

本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益h_FE发射极Gummel数G_e,和电流增益的增强因子k解析形式的普遍表达式,覆盖了PET的多种结构。并以此对PET从器件结构上进行了科学地分类。此普遍表达式也包含了Ning和Graaff的理论结果。     

简易晶体管H_(FE)自动分选仪

在器件厂、整机厂的测试以及在电信,仪表工业技术革新中,有时需要大量、快速地将晶体管的H_(FB)分选。我们用本厂生产的器件制做了一个简易H_(FE)自动分选仪,一般条件均可制做(见电原理图)。开机后,仪器处于待测状态,当插进被测管,由于be结正向导通,使触发级J_7J_T动作,J_(7-1)自保持,同时J_(T-2)J_(T-3)常闭触点断开,ce接通,J_T又启动了J_6,测试开始。通常H_(FE)测试方法是在给定I_c、V_c条件下测出I_b,则I_b=I_c/H_(FE)。如果我们按部标或需要将H_(FE)分成若干色标等级,则对应的各个I_b就确定下来,I_b又是由R_b决定的。     

用PSG表面钝化工艺提高硅平面三极管h_(FE)的稳定性

本工作对我厂的3DG102硅平面三极管进行了PSG表面钝化.结果证明,经PSG表面钝化后的管子在一万小时的长期高温贮存试验和长期额定功率试验过程中h_(FE)仍很稳定.实践还表明,该工艺既简单(适于工厂生产),又能较大提高器件的成品率和优品率.这项工艺技术的关键是:a.严格控制磷的浓度和PSG层的厚度.b.必须保持低温沉积系统的清洁度和适当的真空度.     

高压功率晶体管的纵向结构设计

本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计，可以为器件的工艺设计提供依据，以及选择实施的工艺方案。     

高压功率晶体管的玻璃钝化

为了满足整机对器件可靠性的要求,越来越多的厂商采用玻璃钝化.虽然玻璃钝化早就应用在高压二极管和硅堆的生产上,并且兼作器件封装,但成功地用来钝化高压功率品体管的C-B结却为时不久.一、玻璃成分的选择适用于高压功率器件钝化的玻璃成分很多[2][3].但不论何种玻璃都必须具备如下特性1.优良的电绝缘性能;2.与硅相匹配的热胀系数;3.低的软化温度和玻璃化温度;4.低的介电损耗;     

晶体管H_(FE)硅参数的多终端测试

H_(FE)参数是表征晶体管性能的重要参数之一,在生产厂中,一般以此参数的大小来分类,在产品质量管理中也往往按 H_(FE)参数来检验。手工测试方法不仅设备多,而且速度慢、精度差,更不能对参数进行自动记录及数据处理。为了改善测试设备,我们试制了多终端晶体管 H_(FE)参数测试仪,它以 Z80单板机为核心来完成参数测试控制及数值计算,并实现了多终端。一、测试原理及技术指标测试 H_(FE)参数首先得规定测试条件,即恒定的集电极电流 I′_c 和集电极电压 V′_(cE),对应 I′_c 和 V′_(cE)必有一个固定的基极电流 I′_(?) ,晶体管直流参数 H_(FE)=I′_c/