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相似文献
 共查询到12条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
薄型低ESL多阳极镜面钽电容器低ESL在DC/DC电源开关转换器中提供更有效的滤波,使得共振频率高达500kHz(镜面D型)。新的设计还使钽电容的高度从4.3mm(E型)降低到3.1mm(D型),  相似文献   

2.
《今日电子》2008,(4):76-76
Vishay推出一款新型厚膜电阻,该电阻将超低的电阻值与面向电流感应应用的小容差及低TCR进行了完美结合。  相似文献   

3.
电阻及电容     
硬币型电容器XH311HG硬币型电容器系列符合RoHS规范,展现了在3.3~0V独有的大电流放电性质。采用3.8mm×1.1mm的封装,器件兼容无铅回流工艺。性能指标包括3.3V恒定  相似文献   

4.
《今日电子》2008,(4):120-120
此款电阻为在DC/DC转换器、电源、电动机电路、计算机及手机中的电流感应及分流应用提供高稳定性,CRCW—EL厚膜功率电阻具有10~100mΩ的超低电阻范围,客差仅为±1%及±5%。  相似文献   

5.
针对本单位某型电子产品内主板的电源模块上的厚膜电阻首次出现硫化的问题,开展了行业现状调研,研究了厚膜电阻硫化机理,分析了电源模块上厚膜电阻硫化的原因.从器件选型、设计优化、工艺改进三个方面提出了提升电源模块抗硫化能力的防护措施.重点论述了涂覆三防漆的改善措施,且经工艺验证可行,能够起到提升电源模块防硫化能力的作用.  相似文献   

6.
7.
Vishay Intertechnology推出一款新型耐高温、表面贴装的环绕式厚膜”式电阻CHPHT.对于钻井应用,CHPHT是具有.55℃-+230℃的工作温度和-55℃-+2450c储存温度的器件.  相似文献   

8.
郭春生  李志国 《电子学报》2005,33(8):1519-1522
重点研究了MCM-C基板中多层互连和厚膜电阻的可靠性.试验采用温度应力和电应力的双应力加速寿命试验.试验发现,温度小于180℃时互连失效在MCM-C基板失效中占主要地位,膜电阻失效相对互连失效可忽略不计.在温度高于180℃时膜电阻失效将起较大作用,即膜电阻比互连温度加速系数要大.重点计算了膜电阻和互连寿命分布及加速系数.  相似文献   

9.
《电子设计工程》2012,20(6):49-49
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出通过IECQ-CECC认证的无铅和舍铅厚膜片式电阻。两种器件均提供两种版本:通过EN 140401-802认证的版本A满足工业电子行业的要求:通过EN 140401-802认证的版本E适用于军工、航空和航天应用。版本E器件的失效率水平达到E6.可靠性更有保证。  相似文献   

10.
本文作者在深入研究厚膜钌系电阻浆料基础上获得经验和原理,结合厚膜钌系电阻浆料的导电模型和微观结构,提出了玻璃釉电位器电阻浆料的设计原理和电阻表面状态一玻璃相半球模型,通过获得玻璃相表面半球状态,能使电阻表面和铜触点之间的张力与摩擦力匹配,从而本质上改变了电位器特征参数CRV值。通过试验证明在这种状态下,电阻值在50Ω/□、100Ω/□、1kΩ/□、10kΩ/□、100kΩ/□、1MΩ/□都获得了良好的CRV值,在非电阻表面玻璃相半球状态下,电阻CRV值迅速增大。  相似文献   

11.
以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。  相似文献   

12.
随着移动电话越来越多功能的嵌入,设计者们不得不持续地寻求节省基板面积的方法.嵌入无源器件和使用小尺寸的分立器件(02 01)是两种较为通用的解决方法.文章考察了小尺寸的分立器件与嵌入式聚合物厚膜电阻在降低成本与节省基板面积间的协调和平衡.实验中运用高产量组装和艺术板制作技术组装小离散或聚合物厚膜电阻的方案分析了三种典型的移动电话的设计,并列举了各种方案对基板尺寸和成本的影响.  相似文献   

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