亚毫米波激光辐射对水稻生长的影响

生物活体分子内存在大约10~(11)～10~(12)Hz 纵向电振动模,这一频率范围正是光泵远红外激光器的工作谱区。基于该理论推断,进行了亚毫米波激光辐射水稻种子的实验,文中介绍经亚毫米波激光辐照后的稻种栽培种植的初步试验结果。仅以此作为光泵远红外激光器的应用尝试。     

亚毫米波激光辐射对水稻的诱变作用

本研究以水稻去壳种子为材料,观察亚毫米波激光辐射后水稻当代与自交后代出现的变异,探讨了应用亚毫米波激光技术进行水稻诱变育种的可行性。 试验所用的光泵亚毫米波激光器由上海技术物理所研制而成。供试的水稻品种有籼稻二九丰与粳稻香糯4号。去壳干种子受118.8μm与432.6μm的亚毫米波激光辐照一定时间后浸种催芽。多次设重复的试验都表明,不论处理波长如何,种子发芽率     

氦氖激光辐照对大豆生物学效应的研究

本文总结了氦氖激光不同剂量辐照对大豆的生长、发育以及农艺性状的效应。     

40mW He-Ne激光诱变蕃茄及其生物效应探讨

多年来,我们用 2mW、25mW及40mW 等各种功率的He-Ne激光辐照蕃茄干种子,其光斑均小于种子面积,观察种子的发芽及生长情况,发现激光对其发芽率均有不同程度的影响,并在照射时间相同的情况下,功率大者其效应显著。经X~2_(0.05)=3.841检验,2mW辐射长达10分钟差异不显著,而40mW 辐照 1分钟差异显著。经计算2mW的功率密度为10~4W/m~2,而40mW的功率密度只有6×10~3W/     

激光辐照水稻的生理生化基础研究——(Ⅱ)He-Ne激光辐照对水稻不同发育期同工酶的影响

为了探索激光辐照对同工酶的影响,以便进行激光作用机制的研究,为优良品种的选育提供一定的生理、生化数据和指标.我们采用He—Ne 激光辐照并以(60)~Co γ射线作参照,比较研究了各因子对水稻苗期生长和不同发育期同工酶的影响.材料和方法试验采用广陆矮四号水稻种子为材料,利用波长6328埃、输出功率20毫瓦、功率密度95.54焦尔/厘米~2的 He—Ne 激光器照射种子胚部10分钟。以及用30万伦(60)~Co γ射线,按强度179.4伦/分对种子进行照射.将种子     

色心激光材料——掺杂KCl单晶的研制

用引上法生长了掺锂KCl色心激光晶体,获得尺寸为φ25×100毫米的单晶,晶体中锂原子的含量可控制在10~(-3)～10~(-2)％(重量比)之间。测定了三种掺杂KCl单晶X-射线辐照后的吸收光谱。     

激光预处理种子提高大豆幼苗抗冷害的机理探讨

从能量转移、膜系统和自由基3个方面探讨了激光预处理大豆种子提高其幼苗抗寒性的机理.研究结果表明,激光(He-Ne)预处理大豆种子不但明显地提高大豆种子三磷酸腺苷(ATP)的含量,而且提高其幼苗(子叶期到第一真叶期)的抗低温胁迫的能力.处理组幼苗在3℃～5℃低温胁迫下比对照组有较高的过氧化氢酶(CAT)、过氧化物酶(POD)、超氧化物歧化酶(SOD)和淀粉酶(AML)的活性及可溶性蛋白质含量.同时预处理还降低了幼苗子叶中超氧阴离子(O2-)含量、丙二醛(MDA)的积累量及电解质外渗率.     

高温与反应堆辐照对石英纤维绝缘电缆的影响

在反应堆内辐照考验了石英纤维绝缘电缆,所达到的最高累积辐照水平为:热中子1.6×10~(20)nvt,快中子(能量≥1Mev)3.8×10~(19)nvt,γ剂量1.1×~(11)伦。电缆在堆内辐照时的温度,一般在550℃以上。结果表明,在热中子积分通量为10~(20)nvt以前,电缆绝缘电阻大于10~7欧姆-米,辐照感应电流在10~(-8)安培数量级,所以石英纤维绝缘电缆,可作为一般探测器用连接电缆,在堆芯较长期地使用。提高石英绝缘材料的纯度,有可能进一步改善电缆耐高温和辐照的性能。     

激光与r-射线辐照蚕豆诱变效应研究

利用CO_2、N_2、He-Ne三种激光及~(60)Co-r射线辐照蚕豆萌动种子表明:三种激光及r-射线等均对蚕豆生长和染色体畸变有不同程度的影响,特别是CO_2激光与r-射线对蚕豆促进生长和染色体畸变有明显效应,且有传递性。     

短/亚毫米波激光辐射对生物活体的作用

短/亚毫米波是指电磁波谱中频率10~(11)～10~(12)Hz的电磁波辐射,它介于微波和红外之间,又称为远红外(FIR)。 H·Frohlich,1968年以来预言了生物活体,包括活的细胞,在其新陈代谢过程中不断地将化学能转变为电振荡并引起活体细胞群体之间的协同振荡,其高频振荡频率大约在100～1000GHz范围,即短/亚毫米波谱区。后来许多实验提供了证据,说明活体细胞具有细胞自旋共振(CSR)的特性,并且不同种细胞有不同的共振频率。     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

激光对油松在干旱胁迫下萌发及酶活性的影响

在干旱胁迫条件下,对激光辐照的油松种子进行了萌发试验,并对其幼苗进行了超氧化物歧化酶(SOD)、过氧化物酶(POD)的活性和丙二醛(MDA)含量的测定。结果表明:激光辐照油松种子在干旱胁迫条件下的发芽率、根长、活力指数、生物量等显著提高,萌发期油松幼苗保护酶系统的超氧化物歧化酶和过氧化物酶活性明显提高,膜脂的过氧化物丙二醛含量下降,减少了膜脂过氧化作用对膜的伤害。从而说明,激光辐照油松种子在干旱胁迫条件下萌发及幼苗生长的抗旱性效应明显增强。     

高温与反应堆辐照对玻璃纤维绝缘电缆的影响

在反应堆内对玻璃纤维绝缘电缆进行了辐照试验。所达到的最高累积辐照剂量为热中子1.6×10~(20)nvt,快中子(能量≥1Mev)3.8×10~(19)nvt,r剂量1.1×10~(11)伦琴。电缆在堆内辐照时的温度,一般为550℃以上。在上述条件下,电缆性能良好。得到的主要结论有:(1)电缆绝缘电阻受温度影响,并与堆功率有关,在一定范围内与辐照积分通量关系不大;(2)中子与r射线在电缆上引起感应电流,这是一个复杂的过程。辐照感应电流的大小与堆功率成正比,在一定范围内与辐照积分通量无关,r射线对感应电流有较大影响;(3)辐照后电缆的机械性能良好。     

Nd:YAG倍频激光对大豆幼苗异黄酮的影响

以大豆为实验材料,研究了波长为532 mm的Nd:YAG倍频激光不同功率密度和不同照射时间对大豆发芽率、幼苗平均株高、幼苗子叶及叶片异黄酮含量的影响.从光合效率和植物异黄酮合成代谢起始酶苯丙氨酸转氨酶(PAL)活性两方面探讨激光预处理大豆种子提高其幼苗异黄酮含量的机理.结果表明,大豆种子经激光预处理后,其幼苗可溶性糖、蔗糖、淀粉等光合同化产物及异黄酮合成代谢起始酶PAL活性均得到提高,其中以15 mW/mm2激光预处理大豆种子5 min的效果最佳.幼苗光合效率得到了提高,为异黄酮的大量积累提供了基础.     

栅网耦合的光泵腔式亚毫米波激光器及最佳工作气压研究

采用电感性金属网栅作为光学谐振腔的反射镜和输入输出耦合器 ,设计制作了长度分别为 10 0cm、2 0 cm和 10 cm的 Fabry- Perot腔式亚毫米波激光器。运用半经典密度矩阵理论 ,通过迭代法计算了光泵腔式 NH3分子亚毫米波激光器的最佳工作气压。在实验上测量了 TEA CO2 - 10 R(8)和 9R(16 )泵浦上述 NH3分子亚毫米波激光器的最佳工作气压。理论计算与实验结果一致。     

光助OMVPE法生长ZnSe的发光和电学特性

用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有 n 型导电性,电子浓度为10~(16)-10~(17)cm~(-3)。造成这种现象的原因是波长为400<λ<800nm 的辐照使外延层与残留的或故意掺入的施主杂质的结合得到了很大的增强,尽管这种辐照对生长速率的增快并无很大影响。为了获得纯度更高的外延层,λ<400nm 的辐射是最理想的.然而,如果在外延生长过程中采用更纯的源材料,就可以利用400<λ<800nm 辐射来避免残余杂质的引入,而且可将这种现象应用于更理想的掺杂技术。     

软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱

本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10~(-15)～10~(-16)cm~2,有效陷阱密度为10~(11)～10~(12)cm~(-2).发现陷阱密度随辐照时间的增加而升高,但很快趋于饱和;陷阱密度并随辐照强度的提高而增大.文中研究了室温及77°K下中性陷阱的俘获特性以及陷阱的解陷作用.还给出了陷阱的退火实验结果.     

Si中注Pb的红外瞬态退火

用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.     

亚毫米波激光辐照水稻的遗传育种效应

亚毫米波激光辐照水稻种子可以诱发单一性状的变异,并能真实遗传,可以在育种中利用。     

用真空紫外辐照研究Si-SiO_2界面的氧化层陷阱和界面态

以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(12)/cm~2数量级的空穴陷阱,部分氧化层中有密度为10~(11)/cm~2的受主型电子陷阱.湿氧样品在正偏置和零偏置辐照后出现具有确定能级(E_c-E_s(?)0.40eV)的界面态密度宽峰.辐照引进的界面态和空穴被陷阱俘获有关,在1×10~(10)～5 × 10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)范围,禁带中央界面态密度正比于被俘获空穴的密度.辐照产生的界面态不能由电子注入加以消除.本文由空穴俘获-弱键破裂模型讨论了实验结果.